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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
IPI90R500C3XKSA1	-	RFQ	1221	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI90R		MOSFET (금속 (()			PG-to262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널		900 v	11A (TC)	10V	500mohm @ 6.6a, 10V	3.5V @ 740µA	68 NC @ 10 v	± 20V	1700 pf @ 100 v	-	156W (TC)
BC847SH6730XTMA1	-	RFQ	5463	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BC847			250MW		PG-SOT363-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001008360	귀 99	8541.21.0075	3,000																							45V	100ma						15NA (ICBO)			2 NPN (()	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
IRFS4310TRRPBF	-	RFQ	4598	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001557384	귀 99	8541.29.0095	800			n 채널		100 v	130A (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10V	4V @ 250µA	250 nc @ 10 v	± 20V	7670 pf @ 50 v	-	300W (TC)
FP25R12KT4B11BPSA1	83.4800	RFQ	15	인피온 인피온	Econopim ™ 2	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	FP25R12			160 W.	3 정류기 정류기 브리지	Ag-Econo2b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15	3 단계 인버터																					트렌치 트렌치 정지	1200 v	25 a		2.15V @ 15V, 25A				1 MA	예	1.45 NF @ 25 v
IPD80R900p7	1.0000	RFQ	9636	인피온 인피온	*	대부분	활동적인										다운로드					귀 99	8541.29.0095	1
IPD50R2K0CEAUMA1	0.6500	RFQ	3183	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD50R2		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널		500 v	2.4A (TC)	13V	2ohm @ 600ma, 13v	3.5V @ 50µA	6 nc @ 10 v	± 20V	124 pf @ 100 v	-	33W (TC)
BAL99	-	RFQ	3268	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			기준			SOT23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	8,959		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													80 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 70 v	150 ° C (°)	250ma	1.5pf @ 0v, 1MHz
T1080N04TOFS01XPSA1	-	RFQ	9237	인피온 인피온	*	쟁반	쓸모없는				T1080N						-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1
irlu7833pbf	-	RFQ	8334	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			MOSFET (금속 (()			i-pak	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001553270	귀 99	8541.29.0095	75			n 채널		30 v	140A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 20V	4010 pf @ 15 v	-	140W (TC)
IRG4BC40W-STRRP	-	RFQ	1158	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRG4BC40	기준		160 W.		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001537010	귀 99	8541.29.0095	800				480V, 20A, 10ohm, 15V																		-	600 v	40 a	160 a	2.5V @ 15V, 20A	110µJ (on), 230µJ (OFF)	98 NC	27ns/100ns
BCW61C	1.0000	RFQ	3200	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW		SOT-23	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							32 v	100 MA						20NA (ICBO)			PNP	550MV @ 1.25ma, 50ma	250 @ 2MA, 5V	100MHz
BCR166W	0.0300	RFQ	8567	인피온 인피온	-	대부분	활동적인		표면 표면	SC-70, SOT-323	BCR166			250 MW		PG-SOT323-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	8,893																							50 v	100 MA						100NA (ICBO)			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	160MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
IDH09G65C5XKSA2	4.9500	RFQ	2220	인피온 인피온	Coolsic ™+	튜브	새로운 새로운 아닙니다		구멍을 구멍을	TO-220-2	IDH09G65		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky			PG-to220-2-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001633154	귀 99	8541.10.0080	50		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)													650 v	1.7 V @ 9 a	0 ns	160 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	9a	270pf @ 1v, 1MHz
BCR 183T E6327	-	RFQ	6804	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SC-75, SOT-416	BCR 183			250 MW		PG-SC-75	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA						100NA (ICBO)			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	200MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
IPSA70R1K4CEAKMA1	-	RFQ	3917	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPSA70		MOSFET (금속 (()			PG-to251-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001605398	귀 99	8541.29.0095	75			n 채널		700 v	5.4A (TC)	10V	1.4ohm @ 1a, 10V	3.5V @ 100µA	10.5 nc @ 10 v	± 20V	225 pf @ 100 v	-	53W (TC)
IRGSL15B60KDPBF-INF	1.4100	RFQ	250	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		기준		208 w		TO-262	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1				400V, 15a, 22ohm, 15V																		NPT	600 v	31 a	62 a	2.2V @ 15V, 15a	220µJ (on), 340µJ (OFF)	56 NC	34ns/184ns
IPU80R2K0P7AKMA1	1.1100	RFQ	4726	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPU80R2		MOSFET (금속 (()			PG-to251-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널		800 v	3A (TC)	10V	2ohm @ 940ma, 10V	3.5V @ 50µA	9 NC @ 10 v	± 20V	175 pf @ 500 v	-	24W (TC)
IRF5802	-	RFQ	1440	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6			MOSFET (금속 (()			Micro6 ™ (TSOP-6)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	100			n 채널		150 v	900MA (TA)	10V	1.2ohm @ 540ma, 10V	5.5V @ 250µA	6.8 NC @ 10 v	± 30V	88 pf @ 25 v	-	2W (TA)
irlh6224trpbf	1.4200	RFQ	3	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	IRLH6224		MOSFET (금속 (()			8-pqfn (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널		20 v	28A (TA), 105A (TC)	2.5V, 4.5V	3MOHM @ 20A, 4.5V	1.1V @ 50µA	86 NC @ 10 v	± 12V	3710 pf @ 10 v	-	3.6W (TA), 52W (TC)
IRF7353D2TRPBF	-	RFQ	5930	인피온 인피온	Fetky ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널		30 v	6.5A (TA)	4.5V, 10V	29mohm @ 5.8a, 10V	1V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	650 pf @ 25 v	Schottky 분리 (다이오드)	2W (TA)
IPC95R750P7X7SA1	-	RFQ	9866	인피온 인피온	*	대부분	활동적인				IPC95						-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP002134100		0000.00.0000	1
IRG7CH23K10EF	-	RFQ	9368	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는				irg7ch						다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	SP001545918	쓸모없는	0000.00.0000	1
BSZ0901NSITMA1	1.5300	RFQ	9	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSZ0901		MOSFET (금속 (()			PG-TSDSON-8-FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널		30 v	25A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	2.1MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	2600 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	2.1W (TA), 69W (TC)
IRFR3711Z	-	RFQ	7482	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFR3711Z	귀 99	8541.29.0095	75			n 채널		20 v	93A (TC)	4.5V, 10V	5.7mohm @ 15a, 10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 v	± 20V	2160 pf @ 10 v	-	79W (TC)
FS150R07PE4BOSA1	211.6633	RFQ	1617	인피온 인피온	Econopack ™ 4	쟁반	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FS150R07			430 w	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	6	3 단계 인버터																					트렌치 트렌치 정지	650 v	150 a		1.95V @ 15V, 150A				1 MA	예	9.3 NF @ 25 v
SIGC11T60SNCX1SA2	-	RFQ	8400	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SIGC11	기준				주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는		1				400V, 10A, 25ohm, 15V																		NPT	600 v	10 a	30 a	2.4V @ 15V, 10A	-		28ns/198ns
IPB60R070CFD7ATMA1	6.9500	RFQ	41	인피온 인피온	CoolMOS ™ CFD7	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB60R070		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널		600 v	31A (TC)	10V	70mohm @ 15.1a, 10V	4.5V @ 760µA	67 NC @ 10 v	± 20V	2721 pf @ 400 v	-	156W (TC)
BAS16E6393	0.0300	RFQ	144	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS16		기준				다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													80 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	150 ° C (°)	250ma	2pf @ 0V, 1MHz
IRGB4059DPBF	-	RFQ	7227	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		기준		56 W.		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50				400V, 4A, 100ohm, 15V													55 ns					도랑	600 v	8 a	16 a	2.05V @ 15V, 4A	35µJ (on), 75µJ (OFF)	9 NC	25ns/65ns
IRFU3707	-	RFQ	4273	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			MOSFET (금속 (()			IPAK (TO-251AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFU3707	귀 99	8541.29.0095	75			n 채널		30 v	61A (TC)	4.5V, 10V	13mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	19 NC @ 4.5 v	± 20V	1990 pf @ 15 v	-	87W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²