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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFSL7762PBF | 1.2000 |  | 54 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001576382 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 85A (TC) | 6V, 10V | 6.7mohm @ 51a, 10V | 3.7v @ 100µa | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 4440 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB04N03LB | - | | 1487 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB04N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 55a, 10V | 2V @ 70µA | 40 nc @ 5 v | ± 20V | 5203 pf @ 15 v | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP80N06S207AKSA4 | - | | 8135 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80N06 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 6.6MOHM @ 68A, 10V | 4V @ 180µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3400 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIDC30D120H6X1SA4 | - | | 8048 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | 주사위 | SIDC30D | 기준 | 호일에 호일에 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1200 v | 1.6 V @ 50 a | 27 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 50a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6618TR1 | - | | 8342 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mt | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 30A (TA), 170A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2MOHM @ 30A, 10V | 2.35V @ 250µA | 65 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5640 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB097N08N3 g | - | | 8627 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB097N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 70A (TC) | 6V, 10V | 9.7mohm @ 46a, 10V | 3.5V @ 46µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2410 pf @ 40 v | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | irlu8726pbf | - | | 3640 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001573088 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 86A (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 25a, 10V | 2.35V @ 50µA | 23 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2150 pf @ 15 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3805SPBF | - | | 2806 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 290 NC @ 10 v | ± 20V | 7960 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH4255DTRPBF | - | | 9910 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IRFH4255 | MOSFET (금속 (() | 31W, 38W | PQFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 25V | 64a, 105a | 3.2MOHM @ 30A, 10V | 2.1V @ 35µA | 15NC @ 4.5V | 1314pf @ 13v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC012N06NSATMA1 | 4.0200 | | 4419 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC012 | MOSFET (금속 (() | PG-TSON-8-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 36A (TA), 306A (TC) | 6V, 10V | 1.2mohm @ 50a, 10V | 3.3V @ 147µA | 143 NC @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 30 v | - | 214W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IPS65R1K4C6 | - | | 2101 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 650 v | 3.2A (TC) | 1.4ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 100µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 225 pf @ 100 v | - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R120P7 | - | | 7406 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 26A (TC) | 10V | 120mohm @ 8.2a, 10V | 4V @ 410µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1544 pf @ 400 v | - | 95W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB073N15N5ATMA1 | 5.9100 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ -5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB073 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 150 v | 114A (TC) | 8V, 10V | 7.3mohm @ 57a, 10V | 4.6V @ 160µA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 75 v | - | 214W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRFS3306 | - | | 1499 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001517554 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 4520 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL3705ZS | - | | 5661 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3705Z | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 52a, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 5 v | ± 16V | 2880 pf @ 25 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FB50R07W2E3B23BOMA1 | 80.0900 | | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI4121H-117P | - | | 4300 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 11A (TC) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFBL3703 | - | | 8683 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | d2-pak | MOSFET (금속 (() | d2-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 260A (TC) | 7V, 10V | 2.5mohm @ 76a, 10V | 4V @ 250µA | 209 NC @ 10 v | ± 20V | 8250 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP45P03P4L11AKSA1 | - | | 9041 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP45P | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | p 채널 | 30 v | 45A (TC) | 4.5V, 10V | 11.1MOHM @ 45A, 10V | 2V @ 85µA | 55 NC @ 10 v | +5V, -16V | 3770 pf @ 25 v | - | 58W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD65R380C6ATMA1 | 1.0436 | | 3322 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD65R380 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 10.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 3.2a, 10V | 3.5V @ 320µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 710 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| irgr4045dtrlpbf | - | | 9851 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRGR4045 | 기준 | 77 w | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001542342 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 400V, 6A, 47ohm, 15V | 74 ns | 도랑 | 600 v | 12 a | 18 a | 2V @ 15V, 6A | 56µJ (on), 122µJ (OFF) | 19.5 NC | 27ns/75ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP16CN10NGXKSA1 | 1.7500 | | 124 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP16CN10 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 53A (TC) | 10V | 16.5mohm @ 53a, 10V | 4V @ 61µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 3220 pf @ 50 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP299H6327XUSA1 | - | | 5316 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 400MA (TA) | 10V | 4ohm @ 400ma, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 400 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS84PW | - | | 7588 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 150MA (TA) | 4.5V, 10V | 8ohm @ 150ma, 10V | 2V @ 20µA | 1.5 nc @ 10 v | ± 20V | 19.1 pf @ 25 v | - | 300MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPB80N03S2L-04 | - | | 2319 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 80a, 10V | 2V @ 130µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 3900 pf @ 25 v | - | 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGCM06F60GAXKMA1 | 11.1300 | | 133 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CIPOS ™ | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 24-powerdip ip (1.028 ", 26.10mm) | IGBT | IGCM06 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 14 | 3 단계 | 6 a | 600 v | 2000VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF450R17ME4PB11BOSA1 | 384.9300 | | 5596 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econodual ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF450R17 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 독립 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 450 a | 2.3V @ 15V, 450A | 3 MA | 예 | 36 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 | 287.4700 | | 17 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS3L200 | 20 MW | 기준 | Ag-Easy3b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 8 | 3 레벨 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 950 v | 70 a | 1.55V @ 15V, 25A | 31 µA | 예 | 6.48 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | irg7ph30k10pbf | - | | 1297 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | irg7ph | 기준 | 210 W. | TO-247AC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001537520 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V, 9A, 22OHM, 15V | 도랑 | 1200 v | 33 a | 27 a | 2.35V @ 15V, 9A | 530µJ (on), 380µJ (OFF) | 45 NC | 14ns/110ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC098N10NS5ATMA1 | 1.6500 | | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC098 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 60A (TC) | 6V, 10V | 9.8mohm @ 30a, 10V | 3.8V @ 36µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 2100 pf @ 50 v | - | 2.5W (TA), 69W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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