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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	구조	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	얻다	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPD65R380C6ATMA1	1.0436	RFQ	3322	인피온 인피온	Coolmos ™ C6	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		IPD65R380		MOSFET (금속 (()				PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널							650 v	10.6A (TC)	10V	380mohm @ 3.2a, 10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 v	± 20V	710 pf @ 100 v	-	83W (TC)
IPP16CN10NGXKSA1	1.7500	RFQ	124	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		IPP16CN10		MOSFET (금속 (()				PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							100 v	53A (TC)	10V	16.5mohm @ 53a, 10V	4V @ 61µA	48 NC @ 10 v	± 20V	3220 pf @ 50 v	-	100W (TC)
BSP299H6327XUSA1	-	RFQ	5316	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA				MOSFET (금속 (()				PG-SOT223-4	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널							500 v	400MA (TA)	10V	4ohm @ 400ma, 10V	4V @ 1MA		± 20V	400 pf @ 25 v	-	1.8W (TA)
BSS84PW	-	RFQ	7588	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323				MOSFET (금속 (()				PG-SOT323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널							60 v	150MA (TA)	4.5V, 10V	8ohm @ 150ma, 10V	2V @ 20µA	1.5 nc @ 10 v	± 20V	19.1 pf @ 25 v	-	300MW (TA)
SPB80N03S2L-04	-	RFQ	2319	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		SPB80N		MOSFET (금속 (()				PG-to263-3-2	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널							30 v	80A (TC)	4.5V, 10V	3.9mohm @ 80a, 10V	2V @ 130µA	105 NC @ 10 v	± 20V	3900 pf @ 25 v	-	188W (TC)
IGCM06F60GAXKMA1	11.1300	RFQ	133	인피온 인피온	CIPOS ™	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	24-powerdip ip (1.028 ", 26.10mm)	IGBT	IGCM06							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	14	3 단계						6 a	600 v	2000VRMS
FF450R17ME4PB11BOSA1	384.9300	RFQ	5596	인피온 인피온	Econodual ™ 3	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준		FF450R17					기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	6	2 독립																																	트렌치 트렌치 정지	1700 v	450 a		2.3V @ 15V, 450A				3 MA	예	36 nf @ 25 v
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1	287.4700	RFQ	17	인피온 인피온	EasyPack ™	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		FS3L200			20 MW		기준	Ag-Easy3b	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	8	3 레벨 인버터																																	트렌치 트렌치 정지	950 v	70 a		1.55V @ 15V, 25A				31 µA	예	6.48 NF @ 25 v
irg7ph30k10pbf	-	RFQ	1297	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		irg7ph	기준		210 W.			TO-247AC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001537520	귀 99	8541.29.0095	25					600V, 9A, 22OHM, 15V																													도랑	1200 v	33 a	27 a	2.35V @ 15V, 9A	530µJ (on), 380µJ (OFF)	45 NC	14ns/110ns
BSC098N10NS5ATMA1	1.6500	RFQ	3	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn		BSC098		MOSFET (금속 (()				PG-TDSON-8-7	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널							100 v	60A (TC)	6V, 10V	9.8mohm @ 30a, 10V	3.8V @ 36µA	28 nc @ 10 v	± 20V	2100 pf @ 50 v	-	2.5W (TA), 69W (TC)
IPF10N03LA g	-	RFQ	4831	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		IPF10N		MOSFET (금속 (()				PG-to252-3-23	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널							25 v	30A (TC)	4.5V, 10V	10.4mohm @ 30a, 10V	2V @ 20µA	11 NC @ 5 v	± 20V	1358 pf @ 15 v	-	52W (TC)
Bfr720L3RHE6327XTSA1	-	RFQ	2017	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883		BFR720			80MW			PG-TSLP-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	15,000						24dB																													4.7V	20MA									NPN		160 @ 13MA, 3V	45GHz		0.5dB ~ 0.8db @ 1.8GHz ~ 6GHz
T1800N42TOFXPSA1	1.0000	RFQ	5367	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	do-200ae		T1800N42				하나의			-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2				300 MA																4.2kV	2820 a	2.5 v	41000A @ 50Hz	300 MA	2490 a								1 scr
BFS483H6327XTSA1	0.8300	RFQ	52	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		BFS483			450MW			PG-SOT363-PO	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000						19db																													12V	65MA									2 NPN (()		70 @ 15ma, 8v	8GHz		0.9dB ~ 1.4DB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPW65R048CFDAFKSA1	18.8100	RFQ	240	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		IPW65R048		MOSFET (금속 (()				PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			n 채널							650 v	63.3A (TC)	10V	48mohm @ 29.4a, 10V	4.5V @ 2.9ma	270 nc @ 10 v	± 20V	7440 pf @ 100 v	-	500W (TC)
IRF7404TRPBF	1.0300	RFQ	54	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		IRF7404		MOSFET (금속 (()				도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000			p 채널							20 v	6.7A (TA)	2.7V, 4.5V	40mohm @ 3.2a, 4.5v	700mv @ 250µa (최소)	50 nc @ 4.5 v	± 12V	1500 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
IPP60R180P7XKSA1	2.8400	RFQ	2603	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		IPP60R180		MOSFET (금속 (()				PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001606038	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							650 v	18A (TC)	10V	180mohm @ 5.6a, 10V	4V @ 280µA	25 nc @ 10 v	± 20V	1081 pf @ 400 v	-	72W (TC)
IRL3715ZSTRRPBF	-	RFQ	5710	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()				D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널							20 v	50A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10V	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	± 20V	870 pf @ 10 v	-	45W (TC)
BCR 519 E6327	-	RFQ	6541	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		BCR 519			330 MW			PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																																			50 v	500 MA						100NA (ICBO)			npn-사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	120 @ 50MA, 5V	100MHz	4.7 Kohms
BSL202SNL6327	0.1600	RFQ	9535	인피온 인피온	Optimos ™ 2	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6				MOSFET (금속 (()				PG-TSOP6-6-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	646			n 채널							20 v	7.5A (TA)	2.5V, 4.5V	22mohm @ 7.5a, 4.5v	1.2V @ 30µA	8.7 NC @ 4.5 v	± 12V	1147 pf @ 10 v	-	2W (TA)
IRLU3715	-	RFQ	2581	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA				MOSFET (금속 (()				i-pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRLU3715	귀 99	8541.29.0095	75			n 채널							20 v	54A (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 26a, 10V	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 v	± 20V	1060 pf @ 10 v	-	3.8W (TA), 71W (TC)
IDW24G65C5BXKSA2	12.2500	RFQ	240	인피온 인피온	Coolsic ™+	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	TO-247-3		IDW24G65		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky				PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	240		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)																								650 v	1.7 V @ 12 a	0 ns	190 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	12a	360pf @ 1v, 1MHz
IPP80R360P7XKSA1	2.8400	RFQ	21	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		IPP80R360		MOSFET (금속 (()				PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							800 v	13A (TC)	10V	360mohm @ 5.6a, 10V	3.5V @ 280µA	30 nc @ 10 v	± 20V	930 pf @ 500 v	-	84W (TC)
TD140N18KOFHPSA1	-	RFQ	5223	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준		TD140N18				시리즈 시리즈 - scr/다이오드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	8				200 MA																2.2kV	250 a	2 v	4000A @ 50Hz	150 MA	159 a								1 scr, 1 다이오드
TT500N14KOFHPSA2	302.0000	RFQ	2	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준		TT500N14				시리즈 시리즈 - 연결 scr			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2				300 MA																1.4kV	900 a	2.2 v	17000a @ 50Hz	250 MA	500 a								2 scrs
sgp30n60xksa1	-	RFQ	4484	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		sgp30n	기준		250 W.			TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는		500					400V, 30A, 11ohm, 15V																													NPT	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V, 30A	1.29mj	140 NC	44ns/291ns
IPB25N06S3L-22	-	RFQ	5746	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		IPB25		MOSFET (금속 (()				PG-to263-3-2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널							55 v	25A (TC)	5V, 10V	21.3mohm @ 17a, 10V	2.2V @ 20µA	47 NC @ 10 v	± 16V	2260 pf @ 25 v	-	50W (TC)
IPI126N10N3G	1.0000	RFQ	3945	인피온 인피온	최적화 ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA				MOSFET (금속 (()				PG-to262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1			n 채널							100 v	58A (TC)	6V, 10V	12.6MOHM @ 46A, 10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 v	± 20V	2500 pf @ 50 v	-	94W (TC)
FS100R12KT4GPNPSA1	-	RFQ	7220	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준					515 w		기준	기준 기준	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1	전체 전체 인버터																																	트렌치 트렌치 정지	1200 v	100 a		2.2V @ 15V, 100A				1 MA	예	6.3 NF @ 25 v
IDT08S60C	3.0800	RFQ	4	인피온 인피온	-	대부분	활동적인		구멍을 구멍을	TO-220-2				SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky				PG-to220-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)																								600 v	1.7 V @ 8 a	0 ns	100 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	310pf @ 1v, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²