SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRF1404STRRPBF Infineon Technologies IRF1404STRRPBF -
RFQ
ECAD 2212 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1404 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001562994 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 162A (TC) 10V 4mohm @ 95a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 7360 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
BSL205NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL205NL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 7332 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL205 MOSFET (금속 (() 500MW PG-TSOP6-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 2.5A 50mohm @ 2.5a, 4.5v 1.2V @ 11µA 3.2NC @ 4.5V 419pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies IRFS3607TRLPBF 1.5800
RFQ
ECAD 31 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS3607 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10V 4V @ 100µa 84 NC @ 10 v ± 20V 3070 pf @ 50 v - 140W (TC)
PTFA261702E V1 Infineon Technologies PTFA261702E V1 -
RFQ
ECAD 4260 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드 2.66GHz LDMOS H-30275-4 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 10µA 1.8 a 170W 15db - 28 v
BFP405E6327BTSA1 Infineon Technologies BFP405E6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 8574 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP405 75MW PG-SOT343-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 23db 5V 25MA NPN 60 @ 5MA, 4V 25GHz 1.25dB @ 1.8GHz
IRFR2307ZPBF Infineon Technologies IRFR2307ZPBF -
RFQ
ECAD 5422 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 16mohm @ 32a, 10V 4V @ 100µa 75 NC @ 10 v ± 20V 2190 pf @ 25 v - 110W (TC)
IPP60R099P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R099P7XKSA1 5.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R099 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 31A (TC) 10V 99mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 530µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1952 pf @ 400 v - 117W (TC)
BAS16E6393HTSA1 Infineon Technologies BAS16E6393HTSA1 -
RFQ
ECAD 6270 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000010204 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C (°) 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
AUIRLL014NTR Infineon Technologies auirll014ntr -
RFQ
ECAD 4920 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 2A (TA) 4V, 10V 140mohm @ 2a, 10V 2V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 16V 230 pf @ 25 v - 1W (TA)
BSS139 E6906 Infineon Technologies BSS139 E6906 -
RFQ
ECAD 8029 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 250 v 100MA (TA) 0V, 10V 14ohm @ 0.1ma, 10V 1V @ 56µA 3.5 nc @ 5 v ± 20V 76 pf @ 25 v 고갈 고갈 360MW (TA)
BC847BL3E6327XTMA1 Infineon Technologies BC847BL3E6327XTMA1 0.1136
RFQ
ECAD 3301 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC847 250 MW PG-TSLP-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BFP183WE6327BTSA1 Infineon Technologies BFP183WE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 9914 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP183 450MW PG-SOT343-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 22db 12V 65MA NPN 70 @ 15ma, 8v 8GHz 0.9dB ~ 1.4DB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRFC8721ED Infineon Technologies IRFC8721ED -
RFQ
ECAD 9560 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001570724 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
FF600R12IS4FBOSA1 Infineon Technologies FF600R12IS4FBOSA1 -
RFQ
ECAD 7652 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 3700 w 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000611226 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 - 1200 v 600 a 3.75V @ 15V, 600A 5 MA 39 NF @ 25 v
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGB10N60TATMA1 1.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IGB10 기준 110 W. PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 10A, 23ohm, 15V npt, 필드 트렌치 중지 600 v 20 a 30 a 2.05V @ 15V, 10A 430µj 62 NC 12ns/215ns
IPP50R520CPHKSA1 Infineon Technologies IPP50R520CPHKSA1 -
RFQ
ECAD 6623 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP50R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 550 v 7.1A (TC) 10V 520mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 680 pf @ 100 v - 66W (TC)
DDB6U50N22W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies DDB6U50N22W1RPB11BPSA1 72.2400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 DDB6U50 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30
IPP60R099C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R099C6XKSA1 7.5300
RFQ
ECAD 1337 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R099 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 37.9A (TC) 10V 99mohm @ 18.1a, 10V 3.5v @ 1.21ma 119 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 100 v - 278W (TC)
IRLL1503 Infineon Technologies irll1503 -
RFQ
ECAD 6701 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 30 v 75A (TA) 3.3mohm @ 140a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v 5730 pf @ 25 v - -
BFP 196R E6501 Infineon Technologies BFP 196R E6501 -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFP 196 700MW PG-SOT-143-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10.5dB ~ 16.5dB 12V 150ma NPN 70 @ 50MA, 8V 7.5GHz 1.3dB ~ 2.3db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRL7833SPBF Infineon Technologies IRL7833SPBF -
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 38a, 10V 2.3V @ 250µA 47 NC @ 4.5 v ± 20V 4170 pf @ 15 v - 140W (TC)
IRF7854PBF Infineon Technologies IRF7854PBF -
RFQ
ECAD 6395 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001551588 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 80 v 10A (TA) 10V 13.4mohm @ 10a, 10V 4.9V @ 100µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1620 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRLI530NPBF Infineon Technologies irli530npbf -
RFQ
ECAD 6365 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 12A (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 16V 800 pf @ 25 v - 41W (TC)
BCW60CE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW60CE6327HTSA1 0.0492
RFQ
ECAD 3814 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW60 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 250 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF7456TRPBF Infineon Technologies IRF7456TRPBF -
RFQ
ECAD 9277 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7456 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 16A (TA) 2.8V, 10V 6.5mohm @ 16a, 10V 2V @ 250µA 62 NC @ 5 v ± 12V 3640 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
BAV199E6359HTMA1 Infineon Technologies BAV199E6359HTMA1 -
RFQ
ECAD 1788 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV199 기준 PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 80 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 1.5 µs 5 na @ 75 v 150 ° C (°)
IPP096N03L G Infineon Technologies IPP096N03L g -
RFQ
ECAD 9768 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP096N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 9.6MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 15 v - 42W (TC)
AUIRF9Z34N Infineon Technologies auirf9z34n -
RFQ
ECAD 3569 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 55 v 19A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRF150P221XKMA1 Infineon Technologies IRF150P221XKMA1 -
RFQ
ECAD 9963 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRF150 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 150 v 186A (TC) 10V 4.5mohm @ 100a, 10V 4.6V @ 264µA 100 nc @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 75 v - 341W (TC)
ND260N08KHPSA1 Infineon Technologies ND260N08KHPSA1 -
RFQ
ECAD 4546 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 ND260N 기준 BG-PB50nd-1 - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP000540046 귀 99 8541.10.0080 1 800 v 1.32 V @ 800 a 30 ma @ 800 v 150 ° C (°) 260A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고