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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	트랜지스터 트랜지스터	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
TZ740N22KS01HPSA3	-	RFQ	3246	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	TZ740N22				하나의		다운로드					귀 99	8541.30.0080	1			500 MA													2.2kV	1500 a	2 v	30000A @ 50Hz	250 MA	819 a								1 scr
irfr5505trr	-	RFQ	9969	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				55 v	18A (TC)	10V	110mohm @ 9.6a, 10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 20V	650 pf @ 25 v	-	57W (TC)
IRFZ48Z	-	RFQ	2726	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFZ48Z	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				55 v	61A (TC)	10V	11mohm @ 37a, 10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 v	± 20V	1720 pf @ 25 v	-	91W (TC)
IPP60R099P7XKSA1	5.2900	RFQ	1	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP60R099		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				600 v	31A (TC)	10V	99mohm @ 10.5a, 10V	4V @ 530µA	45 NC @ 10 v	± 20V	1952 pf @ 400 v	-	117W (TC)
IRF9317pbf	-	RFQ	3454	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001572200	귀 99	8541.29.0095	95		p 채널				30 v	16A (TA)	4.5V, 10V	6.6mohm @ 16a, 10V	2.4V @ 50µA	92 NC @ 10 v	± 20V	2820 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
BSZ42DN25NS3GATMA1	1.4100	RFQ	27	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSZ42DN25		MOSFET (금속 (()			PG-TSDSON-8-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				250 v	5A (TC)	10V	425mohm @ 2.5a, 10V	4V @ 13µA	5.5 nc @ 10 v	± 20V	430 pf @ 100 v	-	33.8W (TC)
IPP096N03L g	-	RFQ	9768	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP096N		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널				30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	9.6MOHM @ 30A, 10V	2.2V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	1600 pf @ 15 v	-	42W (TC)
BFP 196R E6501	-	RFQ	4254	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BFP 196			700MW		PG-SOT-143-3D	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000					10.5dB ~ 16.5dB																										12V	150ma						NPN	70 @ 50MA, 8V	7.5GHz	1.3dB ~ 2.3db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IGB10N60TATMA1	1.6700	RFQ	1	인피온 인피온	TrenchStop®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IGB10	기준		110 W.		PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000				400V, 10A, 23ohm, 15V																										npt, 필드 트렌치 중지	600 v	20 a	30 a	2.05V @ 15V, 10A	430µj	62 NC	12ns/215ns
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si4420dytr	-	RFQ	2055	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널				30 v	12.5A (TA)	4.5V, 10V	9mohm @ 12.5a, 10V	1V @ 250µA	78 NC @ 10 v	± 20V	2240 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
ND260N08KHPSA1	-	RFQ	4546	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는		섀시 섀시	기준 기준	ND260N		기준			BG-PB50nd-1	-		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	SP000540046	귀 99	8541.10.0080	1	짐																					800 v	1.32 V @ 800 a		30 ma @ 800 v	150 ° C (°)	260A	-
FF8MR12W1M1HB70BPSA1	207.7600	RFQ	2878	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인				FF8MR12		-				-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지				24														-
IRFC3415B	-	RFQ	9659	인피온 인피온	Hexfet®	대부분	쓸모없는	-	표면 표면	주사위			MOSFET (금속 (()			주사위	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	448-IRFC3415B	쓸모없는		1		-				150 v	43A	10V	42MOHM @ 43A, 10V	-		-		-	-
IPP50R520CPHKSA1	-	RFQ	6623	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP50R		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널				550 v	7.1A (TC)	10V	520mohm @ 3.8a, 10V	3.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	680 pf @ 100 v	-	66W (TC)
IPA80R750P7XKSA1	1.9000	RFQ	1776	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPA80R750		MOSFET (금속 (()			PG-to220-FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				800 v	7A (TC)	10V	750mohm @ 2.7a, 10V	3.5V @ 140µA	17 nc @ 10 v	± 20V	460 pf @ 500 v	-	27W (TC)
irlts6342trpbf	0.5300	RFQ	1	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	IRLTS6342		MOSFET (금속 (()			6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	8.3A (TA)	2.5V, 4.5V	17.5mohm @ 8.3a, 4.5v	1.1V @ 10µA	11 NC @ 4.5 v	± 12V	1010 pf @ 25 v	-	2W (TA)
SIPC03N50C3X1SA1	-	RFQ	6848	인피온 인피온	-	대부분	활동적인				SIPC03						-	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	SP000014882		0000.00.0000	1							-
64-2127pbf	-	RFQ	1976	인피온 인피온	*	튜브	활동적인				64-2127						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001574284	귀 99	8541.29.0095	50
irfr2405trpbf	1.6800	RFQ	82	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR2405		MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널				55 v	56A (TC)	10V	16mohm @ 34a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	2430 pf @ 25 v	-	110W (TC)
BSS119L6433HTMA1	-	RFQ	3816	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (금속 (()			PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널				100 v	170ma (TA)	4.5V, 10V	6ohm @ 170ma, 10V	2.3V @ 50µA	2.5 nc @ 10 v	± 20V	78 pf @ 25 v	-	360MW (TA)
irli530npbf	-	RFQ	6365	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()			TO-220AB Full-Pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널				100 v	12A (TC)	4V, 10V	100mohm @ 9a, 10V	2V @ 250µA	34 NC @ 5 v	± 16V	800 pf @ 25 v	-	41W (TC)
DZ1070N18KHPSA3	491.3700	RFQ	1	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인		섀시 섀시	기준 기준	DZ1070		기준			기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐																					1800 v	1.11 v @ 3000 a		150 ma @ 1800 v	-40 ° C ~ 150 ° C	1100A	-
Accessory33234NOSA1	-	RFQ	2965	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는				액세서리 3						-			영향을받지 영향을받지	448-Accessory33234NOSA1	귀 99	8542.39.0001	1
BSS7728NL6327HTSA1	-	RFQ	1116	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (금속 (()			PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널				60 v	200MA (TA)	4.5V, 10V	5ohm @ 500ma, 10V	2.3V @ 26µA	1.5 nc @ 10 v	± 20V	56 pf @ 25 v	-	360MW (TA)
IRF150P221XKMA1	-	RFQ	9963	인피온 인피온	Strongirfet ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRF150		MOSFET (금속 (()			PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25		n 채널				150 v	186A (TC)	10V	4.5mohm @ 100a, 10V	4.6V @ 264µA	100 nc @ 10 v	± 20V	6000 pf @ 75 v	-	341W (TC)
irg4rc10kd	-	RFQ	8025	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		기준		38 w		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*irg4rc10kd	귀 99	8541.29.0095	75				480V, 5A, 100ohm, 15V																				28 ns						-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V, 5A	250µJ (on), 140µJ (OFF)	19 NC	49ns/97ns
IPD30N06S2L-23	-	RFQ	1850	인피온 인피온	최적화 ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-11	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		n 채널				55 v	30A (TC)	4.5V, 10V	23mohm @ 22a, 10V	2V @ 50µA	42 NC @ 10 v	± 20V	1091 pf @ 25 v	-	100W (TC)
IRFU3910pbf	1.1200	RFQ	5	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IRFU3910		MOSFET (금속 (()			IPAK (TO-251AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널				100 v	16A (TC)	10V	115mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	79W (TC)
auirf9z34n	-	RFQ	3569	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널				55 v	19A (TC)	10V	100mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	620 pf @ 25 v	-	68W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²