SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
IRFR3711 Infineon Technologies IRFR3711 -
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRFZ34NSTRR Infineon Technologies IRFZ34NSTRR -
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 29A (TC) 10V 40mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 68W (TC)
BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSC010N04LS6ATMA1 2.4600
RFQ
ECAD 511 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC010 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 40A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1MOHM @ 50A, 10V 2.3V @ 250µA 67 NC @ 4.5 v ± 20V 4600 pf @ 20 v - 3W (TA), 150W (TC)
IRFR2607ZPBF Infineon Technologies IRFR2607ZPBF -
RFQ
ECAD 2792 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001567472 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 22mohm @ 30a, 10V 4V @ 50µA 51 NC @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 25 v - 110W (TC)
BCR 146T E6327 Infineon Technologies BCR 146T E6327 -
RFQ
ECAD 2418 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 146 250 MW PG-SC-75 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 70 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 150MHz 47 Kohms 22 KOHMS
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon Technologies IPP014N06NF2SAKMA2 3.8100
RFQ
ECAD 345 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-U05 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 39A (TA), 198a (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10V 3.3V @ 246µA 305 NC @ 10 v ± 20V 13800 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
IRGB4060DPBF Infineon Technologies IRGB4060DPBF -
RFQ
ECAD 7095 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 99 w TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001533960 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 8A, 47ohm, 15V 60 ns 도랑 600 v 16 a 32 a 1.85V @ 15V, 8A 70µJ (on), 145µJ (OFF) 19 NC 30ns/95ns
IPP80R1K2P7 Infineon Technologies IPP80R1K2P7 0.6800
RFQ
ECAD 980 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
IPB65R110CFDATMA1 Infineon Technologies IPB65R110CFDATMA1 3.8773
RFQ
ECAD 1946 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R110 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 31.2A (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10V 4.5V @ 1.3ma 118 NC @ 10 v ± 20V 3240 pf @ 100 v - 277.8W (TC)
IRLZ44NSTRRPBF Infineon Technologies irlz44nstrrpbf -
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001552954 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 47A (TC) 4V, 10V 25A, 25A, 10V 2V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 16V 1700 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
BB565E7902 Infineon Technologies BB565E7902 -
RFQ
ECAD 5640 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-80 SCD-80 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 3,000 2.2pf @ 28V, 1MHz 하나의 30 v 11 C1/C28 -
BCR129WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR129WE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 1608 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR129 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 10 KOHMS
IRLU3714PBF Infineon Technologies irlu3714pbf -
RFQ
ECAD 4038 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 4.5 v ± 20V 670 pf @ 10 v - 47W (TC)
BSM300GA120DLCSHOSA1 Infineon Technologies BSM300GA120DLCSHOSA1 207.8090
RFQ
ECAD 9201 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM300 2250 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 1200 v 570 a 2.6V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 22 nf @ 25 v
BC858BE6327HTSA1 Infineon Technologies BC858BE6327HTSA1 0.0489
RFQ
ECAD 2115 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
IRFS4227PBF Infineon Technologies IRFS4227pbf -
RFQ
ECAD 8080 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 62A (TC) 10V 26mohm @ 46a, 10V 5V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 30V 4600 pf @ 25 v - 330W (TC)
AIMZH120R040M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZH120R040M1TXKSA1 16.4400
RFQ
ECAD 5205 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-AIMZH120R040M1TXKSA1 240
BAS7005WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAS7005WH6327XTSA1 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS7005 Schottky PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 100 ps 100 na @ 50 v 150 ° C (°)
IPB65R125C7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R125C7ATMA1 -
RFQ
ECAD 4611 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 18A (TA) 10V 125mohm @ 8.9a, 10V 4V @ 440µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1670 pf @ 400 v - 101W (TC)
IRFHP8321TRPBF Infineon Technologies irfhp8321trpbf -
RFQ
ECAD 7302 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 irfhp8321trpbftr 귀 99 8541.29.0095 4,000 - - - - - -
BSO301SPNTMA1 Infineon Technologies BSO301SPNTMA1 -
RFQ
ECAD 6625 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 12.6A (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 14.9a, 10V 2V @ 250µA 136 NC @ 10 v ± 20V 5890 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
AUIRFP46310Z Infineon Technologies AUIRFP46310Z -
RFQ
ECAD 3344 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BC847CE6433HTMA1 Infineon Technologies BC847CE6433HTMA1 0.3600
RFQ
ECAD 237 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies IKZ50N65EH5XKSA1 7.3100
RFQ
ECAD 1144 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IKZ50N65 기준 273 w PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V 53 ns 도랑 650 v 85 a 200a 2.1V @ 15V, 50A 410µJ (on), 190µJ (OFF) 109 NC 20ns/250ns
IRF6629TR1PBF Infineon Technologies irf6629tr1pbf -
RFQ
ECAD 1640 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 29A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 29a, 10V 2.35V @ 100µa 51 NC @ 4.5 v ± 20V 4260 pf @ 13 v - 2.8W (TA), 100W (TC)
BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC022N04LSATMA1 1.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC022 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
IPT012N06NATMA1 Infineon Technologies IPT012N06NATMA1 6.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT012 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 240A (TC) 6V, 10V 1.2MOHM @ 100A, 10V 3.3V @ 143µA 124 NC @ 10 v ± 20V 9750 pf @ 30 v - 214W (TC)
FS10R12YE3BOMA1 Infineon Technologies FS10R12YE3BOMA1 -
RFQ
ECAD 6402 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 FS10R12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 20
IPTC007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTC007N06NM5ATMA1 6.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 16-Powersop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-16-U01 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 60 v 52A (TA), 454A (TC) 6V, 10V 0.75mohm @ 150a, 10V 3.3V @ 280µA 261 NC @ 10 v ± 20V 21000 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 375W (TC)
IPP08CN10L G Infineon Technologies IPP08CN10L g -
RFQ
ECAD 5742 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP08C MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 98A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 98a, 10V 2.4V @ 130µA 90 NC @ 10 v ± 20V 8610 pf @ 50 v - 167W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고