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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS225H6327FTSA1 | 0.6600 | ![]() | 5692 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BSS225 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 90MA (TA) | 4.5V, 10V | 45ohm @ 90ma, 10V | 2.3V @ 94µA | 5.8 nc @ 10 v | ± 20V | 131 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irf6635tr1pbf | - | ![]() | 7101 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 32A (TA), 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 32a, 10V | 2.35V @ 250µA | 71 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5970 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA191001F V4 R250 | - | ![]() | 2576 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA191001 | 1.96GHz | LDMOS | H-37248-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 10µA | 900 MA | 44dbm | 17dB | - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC060P03NS3EGATMA1 | 1.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC060 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 17.7A (TA), 100A (TC) | 6V, 10V | 6ohm @ 50a, 10V | 3.1V @ 150µA | 81 NC @ 10 v | ± 25V | 6020 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD400S33K2CNOSA1 | - | ![]() | 1716 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 기준 | A-IHV130-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2 | 짐 | 2 독립 | 3300 v | - | 3.5 V @ 400 a | 550 A @ 1800 v | -40 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr3706trr | - | ![]() | 3786 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 75A (TC) | 2.8V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2410 pf @ 10 v | - | 88W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS33N15DTRLP | - | ![]() | 8058 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 33A (TC) | 10V | 56MOHM @ 20A, 10V | 5.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 30V | 2020 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3315LPBF | - | ![]() | 5636 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF3315LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 21A (TC) | 10V | 82mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU3504ZPBF | - | ![]() | 8776 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 10V | 9MOHM @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1510 pf @ 25 v | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R330P6XKSA1 | - | ![]() | 4295 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001017060 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 330mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 370µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1010 pf @ 100 v | - | 93W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6100 | - | ![]() | 5937 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-FLIPFET ™ | MOSFET (금속 (() | 4-FLIPFET ™ | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6,000 | p 채널 | 20 v | 5.1A (TA) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 5.1a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 21 NC @ 5 v | ± 12V | 1230 pf @ 15 v | - | 2.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI65R150CFD | 1.4700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos CFD2 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 650 v | 22.4A (TC) | 10V | 150mohm @ 9.3a, 10V | 4.5V @ 900µA | 86 NC @ 10 v | ± 20V | 2340 pf @ 100 v | - | 195.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N06S2L11AKSA2 | - | ![]() | 9875 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 10.7mohm @ 40a, 10V | 2V @ 93µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 2075 pf @ 25 v | - | 158W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT500N16KOFHPSA2 | 368.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | TT500N16 | 시리즈 시리즈 - 연결 scr | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 MA | 1.6kV | 900 a | 2.2 v | 17000a @ 50Hz | 250 MA | 500 a | 2 scrs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R400CEXKSA1 | 1.7000 | ![]() | 8891 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R400 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 10.3A (TC) | 10V | 400mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 300µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 100 v | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDB6HK95N16LOFHOSA1 | 252.3500 | ![]() | 3560 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | TDB6HK95 | 다리 다리, 3 상- 모든 scrs | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 3 | 200 MA | 1.6kV | 75 a | 2.5 v | 720A @ 50Hz | 150 MA | 130 a | 6 scrs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFC3206EB | - | ![]() | 4994 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001563978 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU80R2K8CEBKMA1 | - | ![]() | 3862 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU80R | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 800 v | 1.9A (TC) | 10V | 2.8ohm @ 1.1a, 10V | 3.9V @ 120µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 290 pf @ 100 v | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR18N15D | - | ![]() | 1430 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 150 v | 18A (TC) | 10V | 125mohm @ 11a, 10V | 5.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 900 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4063D-EPBF | - | ![]() | 8166 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRGP4063D | 기준 | 330 w | TO-247AD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001541796 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 48A, 10ohm, 15V | 115 ns | 도랑 | 600 v | 96 a | 200a | 2.14V @ 15V, 48A | 625µJ (on), 1.28mj (OFF) | 140 NC | 60ns/145ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA057N06N3GXKSA1 | 2.5700 | ![]() | 7737 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA057 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-31 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 10V | 5.7mohm @ 60a, 10V | 4V @ 58µA | 82 NC @ 10 v | ± 20V | 6600 pf @ 30 v | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TD430N22KOFHPSA2 | 369.0900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | TD430N22 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 MA | 2.2kV | 800 a | 2.2 v | 14000a @ 50Hz | 250 MA | 430 a | 1 scr, 1 다이오드 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB12CN10N g | - | ![]() | 5134 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB12C | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 67A (TC) | 10V | 12.6MOHM @ 67A, 10V | 4V @ 83µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 4320 pf @ 50 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC252N10NSFGATMA1 | 1.3900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC252 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 7.2A (TA), 40A (TC) | 10V | 25.2MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 43µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 50 v | - | 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR183WH6327XTSA1 | - | ![]() | 8402 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BCR183 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 200MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS150R12N3T4PB81BPSA1 | 305.7767 | ![]() | 3653 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | FS150R12 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB7430PBF | 3.2100 | ![]() | 625 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB7430 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.3mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 250µA | 460 nc @ 10 v | ± 20V | 14240 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPS02N60C3 | - | ![]() | 8415 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | SPS02N | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-11 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 650 v | 1.8A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10V | 3.9V @ 80µA | 12.5 nc @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZ425N14KOFHPSA1 | 226.3100 | ![]() | 2445 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | TZ425N14 | 하나의 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 MA | 1.4kV | 800 a | 1.5 v | 14500A @ 50Hz | 250 MA | 510 a | 1 scr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7705 | - | ![]() | 5309 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7705 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 30 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 88 NC @ 10 v | ± 20V | 2774 pf @ 25 v | - | 1.5W (TC) |
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