SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
IRL5602STRR Infineon Technologies IRL5602STRR -
RFQ
ECAD 6776 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 20 v 24A (TC) 2.5V, 4.5V 42mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 8V 1460 pf @ 15 v - 75W (TC)
IRF7460 Infineon Technologies IRF7460 -
RFQ
ECAD 3636 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7460 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 20 v 12A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2050 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
IPA80R310CEXKSA2 Infineon Technologies IPA80R310CEXKSA2 3.7100
RFQ
ECAD 2500 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA80R310 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 16.7A (TC) 10V 310mohm @ 11a, 10V 3.9V @ 1mA 91 NC @ 10 v ± 20V 2320 pf @ 100 v - 35W (TC)
IPP60R280P6 Infineon Technologies IPP60R280P6 -
RFQ
ECAD 5822 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos P6 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 600 v 13.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.2a, 10V 4.5V @ 430µA 25.5 nc @ 10 v ± 20V 1190 pf @ 100 v - 104W (TC)
IRL8113S Infineon Technologies IRL8113S -
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL8113S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 105A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 20V 2840 pf @ 15 v - 110W (TC)
IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPZA65R029CFD7XKSA1 15.4500
RFQ
ECAD 230 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IPZA65 MOSFET (금속 (() PG-to247-4-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 69A (TC) 10V 29mohm @ 35.8a, 10V 4.5V @ 1.79ma 145 NC @ 10 v ± 20V 7149 pf @ 400 v - 305W (TC)
IPS090N03LGBKMA1 Infineon Technologies IPS090N03LGBKMA1 -
RFQ
ECAD 3273 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000252578 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 15 v - 42W (TC)
FS400R07A3E3BOMA1 Infineon Technologies FS400R07A3E3BOMA1 526.4700
RFQ
ECAD 8273 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 활동적인 FS400R07 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 16
SPI07N60C3HKSA1 Infineon Technologies SPI07N60C3HKSA1 -
RFQ
ECAD 7488 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI07N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350µA 27 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 83W (TC)
IRF7811A Infineon Technologies IRF7811A -
RFQ
ECAD 3635 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 28 v 11A (TA) 4.5V 10mohm @ 11a, 10v 3V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 12V 1760 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SPD30P06P Infineon Technologies spd30p06p -
RFQ
ECAD 5316 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 spd30p MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 30A (TC) 10V 75mohm @ 21.5a, 10V 4V @ 1.7ma 48 NC @ 10 v ± 20V 1535 pf @ 25 v - 125W (TC)
BSO613SPVGHUMA1 Infineon Technologies BSO613SPVGHUMA1 -
RFQ
ECAD 7905 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 3.44A (TA) 10V 130mohm @ 3.44a, 10V 4V @ 1MA 30 nc @ 10 v ± 20V 875 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRF3707ZSTRRP Infineon Technologies IRF3707ZSTRRP -
RFQ
ECAD 3064 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 59A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 21a, 10V 2.25V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1210 pf @ 15 v - 57W (TC)
IPU10N03LA G Infineon Technologies ipu10n03la g -
RFQ
ECAD 9888 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU10N MOSFET (금속 (() P-to251-3-1 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 11 NC @ 5 v ± 20V 1358 pf @ 15 v - 52W (TC)
T660N24TOFXPSA1 Infineon Technologies T660N24TOFXPSA1 -
RFQ
ECAD 4825 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK T660N 하나의 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 300 MA 2.6kV 1500 a 2.2 v 13000a @ 50Hz 250 MA 660 a 1 scr
IPP60R160C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R160C6XKSA1 4.5000
RFQ
ECAD 2861 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R160 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 23.8A (TC) 10V 160mohm @ 11.3a, 10V 3.5V @ 750µA 75 NC @ 10 v ± 20V 1660 pf @ 100 v - 176W (TC)
DF1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies DF1000R17IE4DB2BOSA1 793.6300
RFQ
ECAD 5324 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 DF1000 6250 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 하나의 - 1700 v 2.45V @ 15V, 1000A 5 MA 81 NF @ 25 v
IPA80R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies IPA80R1K0CEXKSA1 -
RFQ
ECAD 5992 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA80R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 3.6A (TC) 10V 950mohm @ 3.6a, 10V 3.9V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 785 pf @ 100 v - 32W (TC)
BAT6404WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAT6404WE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 3772 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, BAT64 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAT6404 Schottky PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 250ma 750 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 30 v 150 ° C (°)
IRFS4610PBF Infineon Technologies IRFS4610PBF -
RFQ
ECAD 2252 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
IRL8113STRL Infineon Technologies irl8113strl -
RFQ
ECAD 4570 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 105A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 20V 2840 pf @ 15 v - 110W (TC)
BAS7004E6327HTSA1 Infineon Technologies BAS7004E6327HTSA1 0.3700
RFQ
ECAD 27 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS7004 Schottky PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 100 ps 100 na @ 50 v 150 ° C (°)
IRL1004S Infineon Technologies IRL1004S -
RFQ
ECAD 6779 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL1004 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10V 1V @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 16V 5330 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies IPB048N15N5LFATMA1 9.8900
RFQ
ECAD 6646 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ -5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB048 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 120A (TC) 10V 4.8mohm @ 100a, 10V 4.9V @ 255µA 84 NC @ 10 v ± 20V 380 pf @ 75 v - 313W (TC)
BFR 183T E6327 Infineon Technologies BFR 183T E6327 -
RFQ
ECAD 3507 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 BFR 183 250MW PG-SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 19.5dB 12V 65MA NPN 50 @ 15ma, 8v 8GHz 1.2dB ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz
BSS159NL6906HTSA1 Infineon Technologies BSS159NL6906HTSA1 -
RFQ
ECAD 4911 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 230MA (TA) 0V, 10V 3.5ohm @ 160ma, 10V 2.4V @ 26µA 2.9 NC @ 5 v ± 20V 44 pf @ 25 v 고갈 고갈 360MW (TA)
D841S45TXPSA1 Infineon Technologies D841S45TXPSA1 -
RFQ
ECAD 5469 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 D841S45 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 6
DD540N26KHPSA1 Infineon Technologies DD540N26KHPSA1 378.1100
RFQ
ECAD 5123 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 DD540N26 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 1 연결 연결 시리즈 2600 v 540A 1.48 V @ 1700 a 40 ma @ 2600 v -40 ° C ~ 150 ° C
BB814E6327GR2HTSA1 Infineon Technologies BB814E6327GR2HTSA1 -
RFQ
ECAD 1184 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BB814 PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 22.7pf @ 8V, 1MHz 1 음극 음극 공통 18 v 2.25 C2/C8 200 @ 2V, 100MHz
IRF6665 Infineon Technologies IRF6665 -
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sh MOSFET (금속 (() DirectFet ™ sh 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001554114 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 100 v 4.2A (TA), 19A (TC) 10V 62mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고