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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	scrs, 수 다이오드	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
AUIRFS4010	-	RFQ	5711	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			PG-to263-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001522400	귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			100 v	180A (TC)	10V	4.7mohm @ 106a, 10V	4V @ 250µA	215 NC @ 10 v	± 20V	9575 pf @ 50 v	-	375W (TC)
IKW15T120FKSA1	4.0500	RFQ	275	인피온 인피온	TrenchStop®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IKW15T120	기준		110 W.		PG-to247-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30					600V, 15A, 56OHM, 15V																					140 ns				npt, 필드 트렌치 중지	1200 v	30 a	45 a	2.2V @ 15V, 15a	2.7mj	85 NC	50ns/520ns
SPD15P10PGBTMA1	1.9700	RFQ	6505	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SPD15P10		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널			100 v	15A (TC)	10V	240mohm @ 10.6a, 10V	2.1V @ 1.54ma	48 NC @ 10 v	± 20V	1280 pf @ 25 v	-	128W (TC)
IPP50R280CEXKSA1	1.5600	RFQ	379	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP50R280		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			500 v	13A (TC)	13V	280mohm @ 4.2a, 13v	3.5V @ 350µA	32.6 NC @ 10 v	± 20V	773 pf @ 100 v	-	92W (TC)
auirfsl6535	-	RFQ	4875	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			PG-to262-3-901	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			300 v	19A (TC)	10V	185mohm @ 11a, 10V	5V @ 150µA	57 NC @ 10 v	± 20V	2340 pf @ 25 v	-	210W (TC)
irfs4310ztrlpbf	3.2200	RFQ	7	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFS4310		MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			100 v	120A (TC)	10V	6MOHM @ 75A, 10V	4V @ 150µA	170 nc @ 10 v	± 20V	6860 pf @ 50 v	-	250W (TC)
SPD50N03S2L06GBTMA1	-	RFQ	6631	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SPD50N		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			30 v	50A (TC)	4.5V, 10V	6.4mohm @ 50a, 10V	2V @ 85µA	68 NC @ 10 v	± 20V	2530 pf @ 25 v	-	136W (TC)
AUIRGP35B60PD-E	-	RFQ	3646	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AUIRGP35B	기준		308 W.		TO-247AD	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	400					390v, 22a, 3.3ohm, 15v																					42 ns				NPT	600 v	60 a	120 a	2.55V @ 15V, 35A	220µJ (on), 215µJ (OFF)	55 NC	26ns/110ns
IRGC15B60KD	-	RFQ	9538	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	주사위		기준				주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는		1					-																					130 ns				-	600 v	15 a		-	-		-
IRF8721TRPBF	0.7200	RFQ	4994	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF8721		MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널			30 v	14A (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 14a, 10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 v	± 20V	1040 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
BCR 146L3 E6327	-	RFQ	4611	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	SC-101, SOT-883	BCR 146			250 MW		PG-TSLP-3-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	15,000																															50 v	70 MA						100NA (ICBO)	npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	50 @ 5MA, 5V	150MHz	47 Kohms	22 KOHMS
BCP51-10E6327	-	RFQ	3607	인피온 인피온	-	대부분	활동적인										다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0075	2,000
IPS031N03L g	-	RFQ	9438	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK			MOSFET (금속 (()			PG-to251-3-11	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널			30 v	90A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 20V	5300 pf @ 15 v	-	94W (TC)
ETD630N18P60HPSA1	253.1400	RFQ	2872	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	135 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준					시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2				300 MA												1.8 kV	700 a	2 v	16800a, 2000a	250 MA	628 a								1 scr, 1 다이오드
IPB054N06N3G	-	RFQ	4348	인피온 인피온	Optimos ™ 3	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1			n 채널			60 v	80A (TC)	10V	5.7mohm @ 80a, 10V	4V @ 58µA	82 NC @ 10 v	± 20V	6600 pf @ 30 v	-	115W (TC)
BAV199E6327HTSA1	0.4300	RFQ	1	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV199		기준			PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																				1 연결 연결 시리즈	80 v	200MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	1.5 µs	5 na @ 75 v	150 ° C (°)
IRF9956TRPBF	0.7800	RFQ	2	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF995		MOSFET (금속 (()	2W		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 n 채널 (채널)					30V	3.5A		100mohm @ 2.2a, 10V	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	논리 논리 게이트
IRFP4232PBF	-	RFQ	5091	인피온 인피온	Hexfet®	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3			MOSFET (금속 (()			TO-247AC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25			n 채널			250 v	60A (TC)	10V	35.7mohm @ 42a, 10V	5V @ 250µA	240 NC @ 10 v	± 20V	7290 pf @ 25 v	-	430W (TC)
IRF6603	-	RFQ	4117	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt			MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ Mt	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,800			n 채널			30 v	27A (TA), 92A (TC)	4.5V, 10V	3.4mohm @ 25a, 10V	2.5V @ 250µA	72 NC @ 4.5 v	+20V, -12V	6590 pf @ 15 v	-	3.6W (TA), 42W (TC)
IPB11N03LA	-	RFQ	3581	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB11N		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			25 v	30A (TC)	4.5V, 10V	11.2MOHM @ 30A, 10V	2V @ 20µA	11 NC @ 5 v	± 20V	1358 pf @ 15 v	-	52W (TC)
IPD65R420CFDATMA2	1.0650	RFQ	8558	인피온 인피온	CoolMOS ™ CFD2	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPD65R420		MOSFET (금속 (()			PG-to251-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			650 v	8.7A (TC)	10V	420mohm @ 3.4a, 10V	4.5V @ 300µA	31.5 nc @ 10 v	± 20V	870 pf @ 100 v	-	83.3W (TC)
SPD07N60C2	-	RFQ	7898	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인	-	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			-			PG-to252-3-1	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	2,500			-				7.3A	-	-	-		-		-	-
BC848AE6327HTSA1	0.0418	RFQ	2025	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC848			330 MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																															30 v	100 MA						15NA (ICBO)	NPN	600mv @ 5ma, 100ma	110 @ 2MA, 5V	250MHz
IRFB3307ZPBF	2.6200	RFQ	2	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFB3307		MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			75 v	120A (TC)	10V	5.8mohm @ 75a, 10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 v	± 20V	4750 pf @ 50 v	-	230W (TC)
BCX5416H6327XTSA1	0.1920	RFQ	4134	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BCX5416			2 w		PG-SOT89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																															45 v	1 a						100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	100MHz
IRFR024NTRRPBF	-	RFQ	1976	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001554980	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널			55 v	17A (TC)	10V	75mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	370 pf @ 25 v	-	45W (TC)
IPA65R400CEXKSA1	1.6200	RFQ	372	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPA65R400		MOSFET (금속 (()			PG-to220-FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			650 v	15.1A (TC)	10V	400mohm @ 3.2a, 10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 v	± 20V	710 pf @ 100 v	-	31W (TC)
IPD65R650CEATMA1	-	RFQ	5949	인피온 인피온	Coolmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD65R		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001295798	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			650 v	10.1A (TC)	10V	650mohm @ 2.1a, 10V	3.5V @ 210µA	23 nc @ 10 v	± 20V	440 pf @ 100 v	-	86W (TC)
BCP54-16E6327	0.1300	RFQ	8	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA				2 w		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																															45 v	1 a						100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	100MHz
IRF6710S2TR1PBF	-	RFQ	6363	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1			MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			25 v	12A (TA), 37A (TC)	4.5V, 10V	5.9mohm @ 12a, 10V	2.4V @ 25µA	13 nc @ 4.5 v	± 20V	1190 pf @ 13 v	-	1.8W (TA), 15W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²