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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	테스트 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	커패시턴스 커패시턴스	커패시턴스 커패시턴스 조건	Q @ vr, f
irfr3910trlpbf	1.3400	RFQ	27	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR3910			MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널					100 v	16A (TC)	10V	115mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	79W (TC)
BBY 57-02W E6327	-	RFQ	5650	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	SC-80	BBY 57					SCD-80	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000																									5.5pf @ 4V, 1MHz									하나의	10 v						4.5	C1/C4	-
SIDC19D60SIC3	-	RFQ	5268	인피온 인피온	-	대부분	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	주사위	SIDC19D			SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		호일에 호일에	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000013870	귀 99	8541.10.0080	1		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)																	600 v	1.7 V @ 6 a	0 ns	200 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	300pf @ 1v, 1MHz
IRG8B08N120KDPBF	-	RFQ	4681	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRG8B	기준			89 w	TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001542028	쓸모없는		50					600V, 5A, 47ohm, 15V																50 ns					-	1200 v	15 a	15 a	2V @ 15V, 5A	300µJ (on), 300µJ (OFF)	45 NC	20ns/160ns
IRLR7833TRRPBF	-	RFQ	6987	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001573116	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널					30 v	140A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 20V	4010 pf @ 15 v	-	140W (TC)
irfr2405trr	-	RFQ	3423	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR2405			MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널					55 v	56A (TC)	10V	16mohm @ 34a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	2430 pf @ 25 v	-	110W (TC)
irfl024ztrpbf	0.8000	RFQ	116	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IRFL024			MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널					55 v	5.1A (TA)	10V	57.5mohm @ 3.1a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	340 pf @ 25 v	-	1W (TA)
irlms6802trpbf	0.6900	RFQ	1	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	IRLMS6802			MOSFET (금속 (()		Micro6 ™ (TSOP-6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널					20 v	5.6A (TA)	2.5V, 4.5V	50mohm @ 5.1a, 4.5v	1.2V @ 250µA	16 nc @ 5 v	± 12V	1079 pf @ 10 v	-	2W (TA)
IRFS3307pbf	-	RFQ	4930	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001557274	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널					75 v	120A (TC)	10V	6.3mohm @ 75a, 10V	4V @ 150µA	180 NC @ 10 v	± 20V	5150 pf @ 50 v	-	200W (TC)
IPN50R1K4CEATMA1	0.6700	RFQ	3453	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IPN50R1			MOSFET (금속 (()		PG-SOT223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널					500 v	4.8A (TC)	13V	1.4ohm @ 900ma, 13v	3.5V @ 70µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	178 pf @ 100 v	-	5W (TC)
IRLR8503TRL	-	RFQ	2045	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널					30 v	44A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 v	± 20V	1650 pf @ 25 v	-	62W (TC)
IRFBA1405PPBF	-	RFQ	6426	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-273AA				MOSFET (금속 (()		Super-220 ™ (TO-273AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널					55 v	174A (TC)	10V	5MOHM @ 101A, 10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 v	± 20V	5480 pf @ 25 v	-	330W (TC)
1D2209NK005U7742	-	RFQ	2372	인피온 인피온	*	대부분	활동적인											-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0080	12
IPP100N04S204AKSA1	-	RFQ	3985	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP100N			MOSFET (금속 (()		PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널					40 v	100A (TC)	10V	3.6mohm @ 80a, 10V	4V @ 250µA	172 NC @ 10 v	± 20V	5300 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IPD60R385CPBTMA1	-	RFQ	4566	인피온 인피온	Coolmos ™ CP	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD60R			MOSFET (금속 (()		PG-to252-3-11	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널					600 v	9A (TC)	10V	385mohm @ 5.2a, 10V	3.5V @ 340µA	22 nc @ 10 v	± 20V	790 pf @ 100 v	-	83W (TC)
T1590N54P158XPSA1	-	RFQ	5210	인피온 인피온	*	쟁반	쓸모없는					T1590N						-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1
SPW52N50C3FKSA1	-	RFQ	2359	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	SPW52N			MOSFET (금속 (()		PG-to247-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	240			n 채널					560 v	52A (TC)	10V	70mohm @ 30a, 10V	3.9v @ 2.7ma	290 NC @ 10 v	± 20V	6800 pf @ 25 v	-	417W (TC)
IQE046N08LM5SCATMA1	2.9900	RFQ	1267	인피온 인피온	Optimos ™ 5	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	IQE046			MOSFET (금속 (()		PG-WHSON-8	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널					80 v	15.6A (TA), 99A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 47µA	38 NC @ 10 v	± 20V	3250 pf @ 40 v	-	2.5W (TA), 100W (TC)
IPP086N10N3GHKSA1	-	RFQ	5444	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP086N			MOSFET (금속 (()		PG-to220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000485980	귀 99	8541.29.0095	500			n 채널					100 v	80A (TC)	6V, 10V	8.6mohm @ 73a, 10V	3.5V @ 75µA	55 NC @ 10 v	± 20V	3980 pf @ 50 v	-	125W (TC)
PXFC192207SHV1R250XTMA1	-	RFQ	5702	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	28 v			H-37248G-4/2	PXFC192207		1.805GHz ~ 1.99GHz	LDMOS		H-37288G-4/2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001282070	귀 99	8541.29.0095	250	이중			10µA		50W	20dB											-
IPP60R520E6	-	RFQ	6903	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				MOSFET (금속 (()		PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	373			n 채널					600 v	8.1A (TC)	10V	520mohm @ 2.8a, 10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 v	± 20V	512 pf @ 100 v	-	66W (TC)
irf7700tr	-	RFQ	8975	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)				MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000			p 채널					20 v	8.6A (TC)	2.5V, 4.5V	15mohm @ 8.6a, 4.5v	1.2V @ 250µA	89 NC @ 5 v	± 12V	4300 pf @ 15 v	-	1.5W (TC)
SPD04N60S5	-	RFQ	4536	인피온 인피온	Coolmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SPD04N			MOSFET (금속 (()		PG-to252-3-11	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널					600 v	4.5A (TC)	10V	950mohm @ 2.8a, 10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 v	± 20V	580 pf @ 25 v	-	50W (TC)
IRL7833LPBF	-	RFQ	4311	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA				MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널					30 v	150A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 38a, 10V	2.3V @ 250µA	47 NC @ 4.5 v	± 20V	4170 pf @ 15 v	-	140W (TC)
BSP171PE6327T	-	RFQ	2596	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA				MOSFET (금속 (()		PG-SOT223-4	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			p 채널					60 v	1.9A (TA)	4.5V, 10V	300mohm @ 1.9a, 10V	2V @ 460µA	20 nc @ 10 v	± 20V	460 pf @ 25 v	-	1.8W (TA)
SPA03N60C3XKSA1	-	RFQ	9911	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SPA03N			MOSFET (금속 (()		PG-to220-3-31	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널					650 v	3.2A (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10V	3.9V @ 135µA	17 nc @ 10 v	± 20V	400 pf @ 25 v	-	29.7W (TC)
BSP372L6327HTSA1	-	RFQ	2039	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA				MOSFET (금속 (()		PG-SOT223-4	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널					100 v	1.7A (TA)	5V	310mohm @ 1.7a, 5V	2V @ 1mA		± 14V	520 pf @ 25 v	-	1.8W (TA)
IRF7425PBF	-	RFQ	7255	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001563588	귀 99	8541.29.0095	95			p 채널					20 v	15A (TA)	2.5V, 4.5V	8.2mohm @ 15a, 4.5v	1.2V @ 250µA	130 NC @ 4.5 v	± 12V	7980 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
BCW66KGE6327HTSA1	0.0579	RFQ	3367	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW66				500MW	PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																											45 v	800 MA								20NA (ICBO)	NPN	450MV @ 50MA, 500MA	160 @ 100MA, 1V	170MHz
IRF7470TRPBF	1.7600	RFQ	49	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF7470			MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널					40 v	10A (TA)	2.8V, 10V	13mohm @ 10a, 10V	2V @ 250µA	44 NC @ 4.5 v	± 12V	3430 pf @ 20 v	-	2.5W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²