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불연속 불연속 제품 (16626)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
AUXHMF7321D2 Infineon Technologies AUXHMF7321D2 -
RFQ
 ECAD 2222 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 p 채널 30 v 4.7A (TA) 4.5V, 10V 62mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
6PS04012E4DG36022NOSA1 Infineon Technologies 6PS04012E4DG36022NOSA1 -
RFQ
 ECAD 8978 0.00000000 인피온 인피온 Primestack ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 기준 기준 기준 - 다운로드 영향을받지 영향을받지 448-6PS04012E4DG36022NOSA1 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 - 3600 v 306 a 2.05V @ 15V, 200a 아니요
IKB20N65EH5ATMA1 Infineon Technologies IKB20N65EH5ATMA1 3.4300
RFQ
 ECAD 9819 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IKB20N65 기준 125 w PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 20A, 32OHM, 15V 80 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 38 a 60 a 2.1V @ 15V, 20A 560µJ (ON), 130µJ (OFF) 48 NC 19ns/160ns
IRG4BC30U Infineon Technologies irg4bc30u -
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 100 W. TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4BC30U 귀 99 8541.29.0095 50 480v, 12a, 23ohm, 15v - 600 v 23 a 92 a 2.1V @ 15V, 12a 160µJ (on), 200µJ (OFF) 50 NC 17ns/78ns
FF400R12KT4HOSA1 Infineon Technologies FF400R12KT4HOSA1 133.3300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BCR158WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR158WH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR158 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
SPN02N60S5 Infineon Technologies SPN02N60S5 -
RFQ
 ECAD 7093 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA SPN02N MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 400MA (TA) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 5.5V @ 80µa 7.4 NC @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IPP80P04P4L08AKSA1 Infineon Technologies IPP80P04P4L08AKSA1 -
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80p MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 80A, 10V 2.2V @ 120µA 92 NC @ 10 v +5V, -16V 5430 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRFU5410PBF Infineon Technologies IRFU5410PBF 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU5410 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 13A (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 25 v - 66W (TC)
BCR 196F E6327 Infineon Technologies BCR 196F E6327 -
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-723 BCR 196 250 MW PG-TSFP-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 70 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 150MHz 47 Kohms 22 KOHMS
IRF3709ZPBF Infineon Technologies IRF3709ZPBF -
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 87A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10V 2.25V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 20V 2130 pf @ 15 v - 79W (TC)
IRL3102PBF Infineon Technologies irl3102pbf -
RFQ
 ECAD 7723 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 61A (TC) 4.5V, 7V 13mohm @ 37a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 58 NC @ 4.5 v ± 10V 2500 pf @ 15 v - 89W (TC)
BSM200GA120DN2FSE32HOSA1 Infineon Technologies BSM200GA120DN2FSE32HOSA1 -
RFQ
 ECAD 3751 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM200 1550 w 기준 기준 기준 - 쓸모없는 1 단일 단일 - 1200 v 300 a 3V @ 15V, 200a 4 MA 아니요 13 nf @ 25 v
IRLR014NPBF Infineon Technologies IRLR014NPBF -
RFQ
 ECAD 9654 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 55 v 10A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 6a, 10V 1V @ 250µA 7.9 NC @ 5 v ± 16V 265 pf @ 25 v - 28W (TC)
IRF7328TRPBF Infineon Technologies IRF7328TRPBF 1.8100
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF732 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 30V 8a 21mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 78NC @ 10V 2675pf @ 25V 논리 논리 게이트
FZ2400R17HP4B2BOSA2 Infineon Technologies FZ2400R17HP4B2BOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ2400 13000 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 반 반 트렌치 트렌치 정지 1700 v 4800 a 2.25V @ 15V, 2400A 5 MA 아니요 195 NF @ 25 v
IRF5305STRR Infineon Technologies IRF5305STRR -
RFQ
 ECAD 7326 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF5305 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q971401A 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 55 v 31A (TC) 10V 60mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
FZ2400R12HP4PHPSA1 Infineon Technologies FZ2400R12HP4PHPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ2400 12500 w 기준 Ag-IHMB130-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 단일 단일 도랑 1200 v 3460 a 2.05V @ 15V, 2.4ka 5 MA 아니요
FF200R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies FF200R33KF2CNOSA1 -
RFQ
 ECAD 8213 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF200R33 2200 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 2 독립 - 3300 v 330 a 4.25V @ 15V, 200a 5 MA 아니요 25 nf @ 25 v
BC850BWE6327HTSA1 Infineon Technologies BC850BWE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC850 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
AUIRLS3036-7TRL Infineon Technologies auirls3036-7trl -
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) auirls3036 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518960 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 240A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 180a, 10V 2.5V @ 250µA 160 nc @ 4.5 v ± 16V 11270 pf @ 50 v - 380W (TC)
SPP12N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPP12N50C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 5456 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp12n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 11.6A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SPA12N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPA12N50C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 7330 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA12N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 560 v 11.6A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 33W (TC)
F1225R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies F1225R12KT4GBOSA1 138.0900
RFQ
 ECAD 9542 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 F1225 160 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 25 a 2.15V @ 15V, 25A 1 MA 아니요 1.45 NF @ 25 v
IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies IPA60R1K0CEXKSA1 1.0600
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R1 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 6.8A (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130µA 13 nc @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 26W (TC)
IRG4IBC30UDPBF Infineon Technologies irg4ibc30udpbf -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 45 W. TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 480v, 12a, 23ohm, 15v 42 ns - 600 v 17 a 68 a 2.1V @ 15V, 12a 380µJ (ON), 160µJ (OFF) 50 NC 40ns/91ns
IPD088N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPD088N06N3GATMA1 -
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD088N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-311 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 8.8mohm @ 50a, 10V 4V @ 34µA 48 NC @ 10 v ± 20V 3900 pf @ 30 v - 71W (TC)
IRGP6630DPBF Infineon Technologies IRGP6630DPBF -
RFQ
 ECAD 2645 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 192 w TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001548332 귀 99 8541.29.0095 400 400V, 18A, 22OHM, 15V 70 ns - 600 v 47 a 54 a 1.95V @ 15V, 18A 75µJ (on), 350µJ (OFF) 30 NC 40ns/95ns
PZTA42E6327HTSA1 Infineon Technologies PZTA42E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 2708 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZTA42 1.5 w PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 70MHz
BCR 158L3 E6327 Infineon Technologies BCR 158L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-101, SOT-883 BCR 158 250 MW PG-TSLP-3-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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