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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 커패시턴스 커패시턴스 | 커패시턴스 커패시턴스 조건 | Q @ vr, f |
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![]() | IPB70N10SL16ATMA1 | - | ![]() | 6151 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB70N10 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 50a, 10V | 2V @ 2MA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 4540 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | irf6609trpbf | - | ![]() | 1808 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mt | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 20 v | 31A (TA), 150A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 31A, 10V | 2.45V @ 250µA | 69 NC @ 4.5 v | ± 20V | 6290 pf @ 10 v | - | 1.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IQD020N10NM5CGATMA1 | 4.6500 | ![]() | 4662 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-powertdfn | IQD020 | MOSFET (금속 (() | PG-TTFN-9-U02 | - | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 26A (TA), 273A (TC) | 6V, 10V | 2.05mohm @ 50a, 10V | 3.8V @ 159µA | 134 NC @ 10 v | ± 20V | 9500 pf @ 50 v | - | 3W (TA), 333W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3315STRR | - | ![]() | 3083 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 21A (TC) | 10V | 82mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ddb6u30n08vrboma1 | - | ![]() | 7386 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 83.5 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | 브레이크가있는 3 인버터 단계 | - | 600 v | 26 a | 2.55V @ 15V, 20A | 1 MA | 예 | 880 pf @ 25 v |
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