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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPP60R600E6XKSA1	-	RFQ	4724	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP60R		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			600 v	7.3A (TC)	10V	600mohm @ 2.4a, 10V	3.5V @ 200µA	20.5 nc @ 10 v	± 20V	440 pf @ 100 v	-	63W (TC)
IRGP6630DPBF	-	RFQ	2645	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		192 w		TO-247AC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001548332	귀 99	8541.29.0095	400				400V, 18A, 22OHM, 15V																70 ns			-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V, 18A	75µJ (on), 350µJ (OFF)	30 NC	40ns/95ns
irlu8729-701pbf	-	RFQ	7133	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-4, DPAK (3 리드 + 탭)			MOSFET (금속 (()			I-PAK (LF701)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75			n 채널			30 v	58A (TC)	4.5V, 10V	8.9mohm @ 25a, 10V	2.35V @ 25µA	16 nc @ 4.5 v	± 20V	1350 pf @ 15 v	-	55W (TC)
FZ2400R17HP4B2BOSA2	1.0000	RFQ	2	인피온 인피온	IHM-B	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FZ2400			13000 w	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2	반 반																						트렌치 트렌치 정지	1700 v	4800 a		2.25V @ 15V, 2400A				5 MA	아니요	195 NF @ 25 v
SPP12N50C3XKSA1	-	RFQ	5456	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	spp12n		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			500 v	11.6A (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10V	3.9V @ 500µA	49 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	125W (TC)
auirls3036-7trl	-	RFQ	9385	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)	auirls3036		MOSFET (금속 (()			D2PAK (7- 리드)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001518960	귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			60 v	240A (TC)	4.5V, 10V	1.9mohm @ 180a, 10V	2.5V @ 250µA	160 nc @ 4.5 v	± 16V	11270 pf @ 50 v	-	380W (TC)
F1225R12KT4GBOSA1	138.0900	RFQ	9542	인피온 인피온	EconoPack ™ 3	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	F1225			160 W.	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	3 단계 인버터																						트렌치 트렌치 정지	1200 v	25 a		2.15V @ 15V, 25A				1 MA	아니요	1.45 NF @ 25 v
FF200R33KF2CNOSA1	-	RFQ	8213	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FF200R33			2200 W.	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4	2 독립																						-	3300 v	330 a		4.25V @ 15V, 200a				5 MA	아니요	25 nf @ 25 v
BC850BWE6327HTSA1	-	RFQ	4507	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC850			250 MW		PG-SOT323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																								45 v	100 MA						15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
BSO040N03MSGXUMA1	1.5800	RFQ	74	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	BSO040		MOSFET (금속 (()			PG-DSO-8	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			30 v	16A (TA)	4.5V, 10V	4MOHM @ 20A, 10V	2V @ 250µA	73 NC @ 10 v	± 20V	5700 pf @ 15 v	-	1.56W (TA)
BCR 196F E6327	-	RFQ	9938	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SOT-723	BCR 196			250 MW		PG-TSFP-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																								50 v	70 MA						100NA (ICBO)			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	50 @ 5MA, 5V	150MHz	47 Kohms	22 KOHMS
IPD088N06N3GATMA1	-	RFQ	1944	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD088N		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-311	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			60 v	50A (TC)	10V	8.8mohm @ 50a, 10V	4V @ 34µA	48 NC @ 10 v	± 20V	3900 pf @ 30 v	-	71W (TC)
irl3102pbf	-	RFQ	7723	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			20 v	61A (TC)	4.5V, 7V	13mohm @ 37a, 7v	700mv @ 250µa (최소)	58 NC @ 4.5 v	± 10V	2500 pf @ 15 v	-	89W (TC)
IPP08CNE8N g	-	RFQ	5788	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP08C		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			85 v	95A (TC)	10V	6.4mohm @ 95a, 10V	4V @ 130µA	99 NC @ 10 v	± 20V	6690 pf @ 40 v	-	167W (TC)
SPA12N50C3XKSA1	-	RFQ	7330	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SPA12N		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-31	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			560 v	11.6A (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10V	3.9V @ 500µA	49 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	33W (TC)
IPD50R380CEATMA1	-	RFQ	3896	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD50R		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			500 v	14.1A (TC)	13V	380mohm @ 3.2a, 13v	3.5V @ 260µA	24.8 nc @ 10 v	± 20V	584 pf @ 100 v	-	98W (TC)
irg7pk42ud1pbf	-	RFQ	5226	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는				irg7pk						다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	SP001537490	쓸모없는	0000.00.0000	1
IAUA250N04S6N007AUMA1	3.4500	RFQ	7155	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	5-powersfn	IAUA250		MOSFET (금속 (()			PG-HSOF-5-4	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널			40 v	435A (TJ)	7V, 10V	0.7mohm @ 100a, 10V	3V @ 130µA	151 NC @ 10 v	± 20V	9898 pf @ 25 v	-	250W (TC)
IPA60R1K0CEXKSA1	1.0600	RFQ	470	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPA60R1		MOSFET (금속 (()			PG-to220-FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			600 v	6.8A (TC)	10V	1ohm @ 1.5a, 10V	3.5V @ 130µA	13 nc @ 10 v	± 20V	280 pf @ 100 v	-	26W (TC)
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BAS7005WE6327HTSA1	-	RFQ	6687	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SC-70, SOT-323	BAS7005		Schottky			PG-SOT323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도														1 음극 음극 공통	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	100 ps	100 na @ 50 v	150 ° C (°)
IPW65R230CFD7AXKSA1	4.1200	RFQ	3	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3			MOSFET (금속 (()			PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			n 채널			650 v	11A (TC)	10V	230mohm @ 5.2a, 10V	4.5V @ 260µA	23 nc @ 10 v	± 20V	1044 pf @ 400 v	-	63W (TC)
SPN03N60S5	-	RFQ	8402	인피온 인피온	Coolmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	SPN03N		MOSFET (금속 (()			PG-SOT223-4	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			600 v	700MA (TA)	10V	1.4ohm @ 2a, 10V	5.5V @ 135µA	12.8 nc @ 10 v	± 20V	440 pf @ 25 v	-	1.8W (TA)
IRG4BC20SD-S	-	RFQ	9272	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		60 W.		D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRG4BC20SD-S	귀 99	8541.29.0095	50				480V, 10A, 50ohm, 15V																37 ns			-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V, 10A	320µJ (on), 2.58mj (OFF)	27 NC	62ns/690ns
IRFU5410PBF	1.1000	RFQ	2	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IRFU5410		MOSFET (금속 (()			IPAK (TO-251AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75			p 채널			100 v	13A (TC)	10V	205mohm @ 7.8a, 10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 20V	760 pf @ 25 v	-	66W (TC)
BSC020N03LSGATMA1	1.5800	RFQ	18	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSC020		MOSFET (금속 (()			PG-TDSON-8-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널			30 v	28A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	2MOHM @ 30A, 10V	2.2V @ 250µA	93 NC @ 10 v	± 20V	7200 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 96W (TC)
IRF7328TRPBF	1.8100	RFQ	71	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF732		MOSFET (금속 (()	2W		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 p 채널 (채널)					30V	8a		21mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	78NC @ 10V		2675pf @ 25V	논리 논리 게이트
SS05N70AKMA1	-	RFQ	8601	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는				SS05N						-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001060048	쓸모없는	0000.00.0000	1							-
BCR 158L3 E6327	-	RFQ	3971	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	SC-101, SOT-883	BCR 158			250 MW		PG-TSLP-3-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	15,000																								50 v	100 MA						100NA (ICBO)			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	200MHz	2.2 Kohms	47 Kohms
IRF5305STRR	-	RFQ	7326	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF5305		MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q971401A	귀 99	8541.29.0095	800			p 채널			55 v	31A (TC)	10V	60mohm @ 16a, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 110W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²