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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	노이즈 노이즈	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRF6622TR1PBF	-	RFQ	3682	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq				MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ Sq	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널							25 v	15A (TA), 59A (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 15a, 10V	2.35V @ 25µA	17 NC @ 4.5 v	± 20V	1450 pf @ 13 v	-	2.2W (TA), 34W (TC)
IRF4104SPBF	2.2100	RFQ	1059	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF4104			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							40 v	75A (TC)	10V	5.5mohm @ 75a, 10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	3000 pf @ 25 v	-	140W (TC)
IPB70P04P409ATMA1	-	RFQ	9184	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB70P04			MOSFET (금속 (()			PG-to263-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널							40 v	72A (TC)	10V	9.1MOHM @ 70A, 10V	4V @ 120µA	70 nc @ 10 v	± 20V	4810 pf @ 25 v	-	75W (TC)
BF998RE6327HTSA1	-	RFQ	7016	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	12 v		표면 표면	SOT-143R	BF998		45MHz	MOSFET			PG-SOT-143R-3D	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000	n 채널			30ma			10 MA	-	28db																	2.8dB																			8 v
IDH05SG60CXKSA1	-	RFQ	8217	인피온 인피온	Coolsic ™+	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	IDH05SG60			SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky			PG-to220-2-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)																										600 v		2.3 V @ 5 a	0 ns	30 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	110pf @ 1v, 1MHz
IPP70N04S3-07	-	RFQ	6613	인피온 인피온	Optimos ™ t	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	425			n 채널							40 v	80A (TC)	10V	6.5mohm @ 70a, 10V	4V @ 50µA	40 nc @ 10 v	± 20V	2700 pf @ 25 v	-	79W (TC)
IPP70P04P409AKSA1	-	RFQ	5607	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP70p			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000735978	귀 99	8541.29.0095	500			p 채널							40 v	72A (TC)	10V	9.4mohm @ 70a, 10V	4V @ 120µA	70 nc @ 10 v	± 20V	4810 pf @ 25 v	-	75W (TC)
IRF6626TR1PBF	-	RFQ	1227	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 st				MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ st	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널							30 v	16A (TA), 72A (TC)	4.5V, 10V	5.4mohm @ 16a, 10V	2.35V @ 250µA	29 NC @ 4.5 v	± 20V	2380 pf @ 15 v	-	2.2W (TA), 42W (TC)
bsb056n10nn3gxuma1	3.9000	RFQ	24	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-Wdson	BSB056			MOSFET (금속 (()			Mg-Wdson-2, Canpak M ™	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널							100 v	9A (TA), 83A (TC)	6V, 10V	5.6MOHM @ 30A, 10V	3.5V @ 100µA	74 NC @ 10 v	± 20V	5500 pf @ 50 v	-	2.8W (TA), 78W (TC)
IPP03N03LB g	-	RFQ	4680	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP03N			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							30 v	80A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 55a, 10V	2V @ 100µa	59 NC @ 5 v	± 20V	7624 pf @ 15 v	-	150W (TC)
irf9410trpbf	-	RFQ	9591	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널							30 v	7A (TA)	4.5V, 10V	30mohm @ 7a, 10V	1V @ 250µA	27 NC @ 10 v	± 20V	550 pf @ 25 v	-	2.5W (TA)
IRF9530NS	-	RFQ	8727	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			p 채널							100 v	14A (TC)	10V	200mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 20V	760 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 79W (TC)
PTFA212001F1V4R250XTMA1	-	RFQ	3785	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	65 v		표면 표면	2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지			2.14GHz	LDMOS			H-37260-2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000432156	쓸모없는	0000.00.0000	1				-			1.6 a	50W	15.8dB																	-																			30 v
IRFP150N	-	RFQ	7536	인피온 인피온	Hexfet®	가방	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3				MOSFET (금속 (()			TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25			n 채널							100 v	42A (TC)	10V	36mohm @ 23a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	1900 pf @ 25 v	-	160W (TC)
2SD315AINPSA1	-	RFQ	2701	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는												-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1
T901N32TOFXPSA1	-	RFQ	2000	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	TO-200AC	T901N					하나의		다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000091161	귀 99	8541.30.0080	1					350 MA															3.6kV	29900 a	2.5 v	44000a @ 50Hz	350 MA	1900 a											1 scr
irfl024ntrpbf	0.8100	RFQ	2	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IRFL024			MOSFET (금속 (()			SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널							55 v	2.8A (TA)	10V	75mohm @ 2.8a, 10V	4V @ 250µA	18.3 NC @ 10 v	± 20V	400 pf @ 25 v	-	1W (TA)
BAW79DH6327XTSA1	0.2765	RFQ	7579	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-243AA	BAW79			기준			PG-SOT89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1,000		짐																									1 음극 음극 공통	400 v	500ma	1.6 V @ 1 a	1 µs	1 µa @ 400 v	150 ° C (°)
SPP07N60S5	-	RFQ	6771	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	spp07n			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널							650 v	7.3A (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 v	± 20V	970 pf @ 25 v	-	83W (TC)
irfr6215trrpbf	-	RFQ	7483	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR6215			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널							150 v	13A (TC)	10V	295mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 v	± 20V	860 pf @ 25 v	-	110W (TC)
BFR181WH6327XTSA1	0.4100	RFQ	104	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BFR181				175MW		PG-SOT323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000									19db																													12V	20MA								NPN		70 @ 5MA, 8V	8GHz			0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPT007N06NATMA1	6.5400	RFQ	3	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-Powersfn	IPT007			MOSFET (금속 (()			PG-HSOF-8-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널							60 v	300A (TC)	6V, 10V	0.75mohm @ 150a, 10V	3.3V @ 280µA	287 NC @ 10 v	± 20V	16000 pf @ 30 v	-	375W (TC)
IRFU5505PBF	-	RFQ	2235	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IRFU5505			MOSFET (금속 (()			IPAK (TO-251AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널							55 v	18A (TC)	10V	110mohm @ 9.6a, 10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 20V	650 pf @ 25 v	-	57W (TC)
BCR183S	0.0300	RFQ	101	인피온 인피온	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR183				250MW		PG-SOT23-3-11	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																																						50V	100ma							100NA (ICBO)	2 pnp--바이어스 (듀얼)	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	200MHz	10kohms	10kohms
IPP100N12S305AKSA1	5.2700	RFQ	6	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP100			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							120 v	100A (TC)	10V	5.1MOHM @ 100A, 10V	4V @ 240µA	185 NC @ 10 v	± 20V	11570 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IPN70R1K5CEATMA1	0.7800	RFQ	8382	인피온 인피온	Coolmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IPN70R1			MOSFET (금속 (()			PG-SOT223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널							700 v	5.4A (TC)	10V	1.5ohm @ 1a, 10V	3.5V @ 100µA	10.5 nc @ 10 v	± 20V	225 pf @ 100 v	-	5W (TC)
IRFB3306GPBF	1.8300	RFQ	1	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFB3306			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							60 v	120A (TC)	10V	4.2MOHM @ 75A, 10V	4V @ 150µA	120 nc @ 10 v	± 20V	4520 pf @ 50 v	-	230W (TC)
IRL3303S	-	RFQ	8194	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRL3303S	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							30 v	38A (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 20a, 10V	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	± 16V	870 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 68W (TC)
IRG8P08N120KD-EPBF	-	RFQ	8658	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	irg8p	기준			89 w		TO-247AD	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001532714	귀 99	8541.29.0095	25						600V, 5A, 47ohm, 15V																									50 ns						-	1200 v	15 a	15 a	2V @ 15V, 5A	300µJ (on), 300µJ (OFF)	45 NC	20ns/160ns
SPP21N50C3HKSA1	-	RFQ	2699	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	spp21n			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널							560 v	21A (TC)	10V	190mohm @ 13.1a, 10V	3.9V @ 1mA	95 NC @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	208W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²