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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPD088N06N3GATMA1	-	RFQ	1944	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD088N		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-311	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			60 v	50A (TC)	10V	8.8mohm @ 50a, 10V	4V @ 34µA	48 NC @ 10 v	± 20V	3900 pf @ 30 v	-	71W (TC)
irl3102pbf	-	RFQ	7723	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			20 v	61A (TC)	4.5V, 7V	13mohm @ 37a, 7v	700mv @ 250µa (최소)	58 NC @ 4.5 v	± 10V	2500 pf @ 15 v	-	89W (TC)
IPP08CNE8N g	-	RFQ	5788	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP08C		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			85 v	95A (TC)	10V	6.4mohm @ 95a, 10V	4V @ 130µA	99 NC @ 10 v	± 20V	6690 pf @ 40 v	-	167W (TC)
SPA12N50C3XKSA1	-	RFQ	7330	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SPA12N		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-31	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			560 v	11.6A (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10V	3.9V @ 500µA	49 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	33W (TC)
IPD50R380CEATMA1	-	RFQ	3896	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD50R		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			500 v	14.1A (TC)	13V	380mohm @ 3.2a, 13v	3.5V @ 260µA	24.8 nc @ 10 v	± 20V	584 pf @ 100 v	-	98W (TC)
irg7pk42ud1pbf	-	RFQ	5226	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는				irg7pk						다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	SP001537490	쓸모없는	0000.00.0000	1
IAUA250N04S6N007AUMA1	3.4500	RFQ	7155	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	5-powersfn	IAUA250		MOSFET (금속 (()			PG-HSOF-5-4	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널			40 v	435A (TJ)	7V, 10V	0.7mohm @ 100a, 10V	3V @ 130µA	151 NC @ 10 v	± 20V	9898 pf @ 25 v	-	250W (TC)
IPA60R1K0CEXKSA1	1.0600	RFQ	470	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPA60R1		MOSFET (금속 (()			PG-to220-FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			600 v	6.8A (TC)	10V	1ohm @ 1.5a, 10V	3.5V @ 130µA	13 nc @ 10 v	± 20V	280 pf @ 100 v	-	26W (TC)
BFR182E6327HTSA1	0.3800	RFQ	5	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BFR182			250MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000					12dB ~ 18dB																					12V	35MA									NPN		70 @ 10ma, 8v	8GHz			0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BAS7005WE6327HTSA1	-	RFQ	6687	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SC-70, SOT-323	BAS7005		Schottky			PG-SOT323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도														1 음극 음극 공통	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	100 ps	100 na @ 50 v	150 ° C (°)
IPW65R230CFD7AXKSA1	4.1200	RFQ	3	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3			MOSFET (금속 (()			PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			n 채널			650 v	11A (TC)	10V	230mohm @ 5.2a, 10V	4.5V @ 260µA	23 nc @ 10 v	± 20V	1044 pf @ 400 v	-	63W (TC)
SPN03N60S5	-	RFQ	8402	인피온 인피온	Coolmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	SPN03N		MOSFET (금속 (()			PG-SOT223-4	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			600 v	700MA (TA)	10V	1.4ohm @ 2a, 10V	5.5V @ 135µA	12.8 nc @ 10 v	± 20V	440 pf @ 25 v	-	1.8W (TA)
IRG4BC20SD-S	-	RFQ	9272	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		60 W.		D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRG4BC20SD-S	귀 99	8541.29.0095	50				480V, 10A, 50ohm, 15V																37 ns					-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V, 10A	320µJ (on), 2.58mj (OFF)	27 NC	62ns/690ns
IRFU5410PBF	1.1000	RFQ	2	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IRFU5410		MOSFET (금속 (()			IPAK (TO-251AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75			p 채널			100 v	13A (TC)	10V	205mohm @ 7.8a, 10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 20V	760 pf @ 25 v	-	66W (TC)
IRF7328TRPBF	1.8100	RFQ	71	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF732		MOSFET (금속 (()	2W		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 p 채널 (채널)					30V	8a		21mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	78NC @ 10V		2675pf @ 25V	논리 논리 게이트
SS05N70AKMA1	-	RFQ	8601	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는				SS05N						-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001060048	쓸모없는	0000.00.0000	1							-
BCR 158L3 E6327	-	RFQ	3971	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	SC-101, SOT-883	BCR 158			250 MW		PG-TSLP-3-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	15,000																										50 v	100 MA						100NA (ICBO)			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	200MHz	2.2 Kohms	47 Kohms
IRF5305STRR	-	RFQ	7326	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF5305		MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q971401A	귀 99	8541.29.0095	800			p 채널			55 v	31A (TC)	10V	60mohm @ 16a, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 110W (TC)
BSL202SNL6327HTSA1	-	RFQ	5973	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6			MOSFET (금속 (()			PG-TSOP6-6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널			20 v	7.5A (TA)	2.5V, 4.5V	22mohm @ 7.5a, 4.5v	1.2V @ 30µA	8.7 NC @ 4.5 v	± 12V	1147 pf @ 10 v	-	2W (TA)
IRG8P15N120KD-EPBF	-	RFQ	6389	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	irg8p	기준		125 w		TO-247AD	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001537560	귀 99	8541.29.0095	25				600V, 10A, 10ohm, 15V																60 ns					-	1200 v	30 a	30 a	2V @ 15V, 10A	600µJ (on), 600µJ (OFF)	98 NC	15ns/170ns
IPP80N06S2L09AKSA2	-	RFQ	5219	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP80N		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			55 v	80A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 52a, 10V	2V @ 125µA	105 NC @ 10 v	± 20V	2620 pf @ 25 v	-	190W (TC)
FP150R07N3E4_B11	178.1400	RFQ	118	인피온 인피온	Econopim ™ 3	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준				430 w	3 정류기 정류기 브리지	Ag-Econo3	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1	3 단계 인버터																								트렌치 트렌치 정지	650 v	150 a		1.95V @ 15V, 150A				1 MA	예	9.3 NF @ 25 v
BSS205NH6327XTSA1	0.5000	RFQ	61	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS205		MOSFET (금속 (()			PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널			20 v	2.5A (TA)	2.5V, 4.5V	50mohm @ 2.5a, 4.5v	1.2V @ 11µA	3.2 NC @ 4.5 v	± 12V	419 pf @ 10 v	-	500MW (TA)
IRF7426TR	-	RFQ	1888	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널			20 v	11.5A (TA)		-	-				-	-
IPW50R399CPFKSA1	-	RFQ	6122	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IPW50R		MOSFET (금속 (()			PG-to247-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	240			n 채널			560 v	9A (TC)	10V	399mohm @ 4.9a, 10V	3.5V @ 330µA	23 nc @ 10 v	± 20V	890 pf @ 100 v	-	83W (TC)
IPB05N03LA g	-	RFQ	1929	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB05N		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			25 v	80A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 55a, 10V	2V @ 50µA	25 nc @ 5 v	± 20V	3110 pf @ 15 v	-	94W (TC)
SPI11N60C3HKSA1	-	RFQ	3794	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	spi11n		MOSFET (금속 (()			PG-to262-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000013522	귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			600 v	11A (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10V	3.9V @ 500µA	60 nc @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	125W (TC)
IPB120N04S3-02	-	RFQ	9513	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB120N		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			40 v	120A (TC)	10V	2MOHM @ 80A, 10V	4V @ 230µA	210 nc @ 10 v	± 20V	14300 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IRL1104L	-	RFQ	8609	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRL1104L	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			40 v	104A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 62a, 10V	1V @ 250µA	68 NC @ 4.5 v	± 16V	3445 pf @ 25 v	-	2.4W (TA), 167W (TC)
idk12g65c5xtma1	-	RFQ	2464	인피온 인피온	Coolsic ™+	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IDK12G65		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky			PG-to263-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)															650 v		1.8 V @ 12 a	0 ns	2.1 ma @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	12a	360pf @ 1v, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²