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불연속 불연속 제품 (16626)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
D452N12EVFXPSA1 Infineon Technologies D452N12EVFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 2311 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 나사 나사 비표준 D452N 기준 FL54 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1200 v 50 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 450a -
IRFH5204TRPBF Infineon Technologies IRFH5204TRPBF -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vqfn q 패드 MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001577944 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 22A (TA), 100A (TC) 10V 4.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 100µa 65 nc @ 10 v ± 20V 2460 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 105W (TC)
SMBT3906UE6327HTSA1 Infineon Technologies SMBT3906UE6327HTSA1 0.1037
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 SMBT 3906 330MW PG-SC74-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA (ICBO) 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
IRFHP8334TRPBF Infineon Technologies irfhp8334trpbf -
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 irfhp8334trpbftr 귀 99 8541.29.0095 4,000 - - - - - -
BFN39E6327HTSA1 Infineon Technologies BFN39E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 1348 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 300 v 200 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 30 @ 30MA, 10V 100MHz
IHW40N60R Infineon Technologies IHW40N60R 2.3100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 305 w PG-to247-3-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 130 400V, 40A, 5.6OHM, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 80 a 120 a 2.05V @ 15V, 40A 750µJ (OFF) 223 NC -/193ns
FD1000R17IE4BOSA2 Infineon Technologies FD1000R17IE4BOSA2 710.6400
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 3 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FD1000 6250 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 하나의 - 1700 v 2.45V @ 15V, 1000A 5 MA 예 81 NF @ 25 v
IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies irlhs6242trpbf 0.6300
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powervdfn IRLHS6242 MOSFET (금속 (() 6-pqfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 10A (TA), 12A (TC) 2.5V, 4.5V 11.7mohm @ 8.5a, 4.5v 1.1V @ 10µA 14 nc @ 4.5 v ± 12V 1110 pf @ 10 v - 1.98W (TA), 9.6W (TC)
PTFA091201GL V1 Infineon Technologies PTFA091201GL V1 -
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드 PTFA091201 960MHz LDMOS PG-63248-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 10µA 750 MA 110W 18.5dB - 28 v
IRL2703PBF Infineon Technologies irl2703pbf -
RFQ
 ECAD 3929 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 24A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 14a, 10V 1V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 16V 450 pf @ 25 v - 45W (TC)
BCR141SH6327 Infineon Technologies BCR141SH6327 -
RFQ
 ECAD 9891 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR141 250MW PG-SOT363-6-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 130MHz 22kohms 22kohms
IRF7303PBF Infineon Technologies IRF7303PBF -
RFQ
 ECAD 7134 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001563422 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 30V 4.9A 50mohm @ 2.4a, 10V 1V @ 250µA 25NC @ 10V 520pf @ 25V -
IRL3715ZSTRL Infineon Technologies IRL3715ZSTRL -
RFQ
 ECAD 8268 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 10 v - 45W (TC)
IQE008N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies IQE008N03LM5CGATMA1 2.6800
RFQ
 ECAD 282 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn IQE008N MOSFET (금속 (() PG-TTFN-9-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 27A (TA), 253A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 16V 5700 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 89W (TC)
D452N14EXPSA1 Infineon Technologies D452N14expsa1 -
RFQ
 ECAD 8152 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 나사 나사 비표준 D452N 기준 FL54 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1400 v 50 ma @ 1400 v -40 ° C ~ 180 ° C 450a -
BSP149L6906HTSA1 Infineon Technologies BSP149L6906HTSA1 -
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 660MA (TA) 0V, 10V 1.8ohm @ 660ma, 10V 1V @ 400µA 14 nc @ 5 v ± 20V 430 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
BSS138N E7854 Infineon Technologies BSS138N E7854 -
RFQ
 ECAD 5243 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 230MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 230ma, 10V 1.4V @ 250µA 1.4 NC @ 10 v ± 20V 41 pf @ 25 v - 360MW (TA)
IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies IQE220N15NM5CGSCATMA1 1.5191
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IQE220N15NM5CGSCATMA1TR 6,000
AUIRFU8403-701TRL Infineon Technologies auirfu8403-701trl -
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() PG-to251-3-21 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.1mohm @ 76a, 10V 3.9V @ 100µA 99 NC @ 10 v ± 20V 3171 pf @ 25 v - 99W (TC)
IFS200V12PT4BOSA1 Infineon Technologies IFS200V12PT4BOSA1 -
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 인피온 인피온 MIPAQ ™ 쟁반 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 IFS200 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 3 단계 인버터 - 1200 v 200a 2.15V @ 15V, 200a 예
IRF3707ZCSPBF Infineon Technologies IRF3707ZCSPBF -
RFQ
 ECAD 2282 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3707ZCSPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 59A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 21a, 10V 2.25V @ 25µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1210 pf @ 15 v - 57W (TC)
IPB120N04S302ATMA1 Infineon Technologies IPB120N04S302ATMA1 -
RFQ
 ECAD 9594 0.00000000 인피온 인피온 Optimos® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 80a, 10V 4V @ 230µA 210 nc @ 10 v ± 20V 14300 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies IPD60R950C6ATMA1 1.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4.4A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130µA 13 nc @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 37W (TC)
BC848BWH6327XTSA1 Infineon Technologies BC848BWH6327XTSA1 0.0534
RFQ
 ECAD 4175 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC848 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BCP49E6327HTSA1 Infineon Technologies BCP49E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP49 1.5 w PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 200MHz
IRF7705TRPBF Infineon Technologies IRF7705TRPBF -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 20V 2774 pf @ 25 v - 1.5W (TA)
IRF7828PBF Infineon Technologies IRF7828PBF -
RFQ
 ECAD 9069 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7828 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 13.6A (TA) 4.5V 12.5mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 14 nc @ 5 v ± 20V 1010 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FZ3600R12KE3NOSA1 Infineon Technologies Fz3600R12KE3NOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 15000 w 기준 AG-IHM190-2-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 단일 단일 - 1200 v 4700 a 2.15V @ 15V, 3.6KA 5 MA 아니요 260 NF @ 25 v
FF300R12KE4HOSA1 Infineon Technologies FF300R12KE4HOSA1 163.1100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF300R12 1600 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 460 a 2.15V @ 15V, 300A 5 MA 예 19 nf @ 25 v
SIGC54T60R3EX1SA3 Infineon Technologies SIGC54T60R3EX1SA3 -
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC54 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 100 a 300 a 1.85V @ 15V, 100A - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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