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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | IRL3715ZSTRL | - | ![]() | 8268 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 870 pf @ 10 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IQE008N03LM5CGATMA1 | 2.6800 | ![]() | 282 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powertdfn | IQE008N | MOSFET (금속 (() | PG-TTFN-9-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 27A (TA), 253A (TC) | 4.5V, 10V | 0.85mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 16V | 5700 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D452N14expsa1 | - | ![]() | 8152 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 나사 나사 | 비표준 | D452N | 기준 | FL54 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1400 v | 50 ma @ 1400 v | -40 ° C ~ 180 ° C | 450a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP149L6906HTSA1 | - | ![]() | 1062 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 660MA (TA) | 0V, 10V | 1.8ohm @ 660ma, 10V | 1V @ 400µA | 14 nc @ 5 v | ± 20V | 430 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS138N E7854 | - | ![]() | 5243 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 230MA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5ohm @ 230ma, 10V | 1.4V @ 250µA | 1.4 NC @ 10 v | ± 20V | 41 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | 1.5191 | ![]() | 9714 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-IQE220N15NM5CGSCATMA1TR | 6,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfu8403-701trl | - | ![]() | 5764 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-21 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 76a, 10V | 3.9V @ 100µA | 99 NC @ 10 v | ± 20V | 3171 pf @ 25 v | - | 99W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IFS200V12PT4BOSA1 | - | ![]() | 6892 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | MIPAQ ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | IFS200 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 3 단계 인버터 | - | 1200 v | 200a | 2.15V @ 15V, 200a | 예 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3707ZCSPBF | - | ![]() | 2282 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF3707ZCSPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 59A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 21a, 10V | 2.25V @ 25µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1210 pf @ 15 v | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB120N04S302ATMA1 | - | ![]() | 9594 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 80a, 10V | 4V @ 230µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 14300 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R950C6ATMA1 | 1.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 4.4A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 130µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 280 pf @ 100 v | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848BWH6327XTSA1 | 0.0534 | ![]() | 4175 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC848 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP49E6327HTSA1 | - | ![]() | 3038 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP49 | 1.5 w | PG-SOT223-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7705TRPBF | - | ![]() | 3720 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 88 NC @ 10 v | ± 20V | 2774 pf @ 25 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7828PBF | - | ![]() | 9069 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7828 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 13.6A (TA) | 4.5V | 12.5mohm @ 10a, 4.5v | 1V @ 250µA | 14 nc @ 5 v | ± 20V | 1010 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fz3600R12KE3NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 15000 w | 기준 | AG-IHM190-2-1 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 단일 단일 | - | 1200 v | 4700 a | 2.15V @ 15V, 3.6KA | 5 MA | 아니요 | 260 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF300R12KE4HOSA1 | 163.1100 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 기음 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF300R12 | 1600 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 독립 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 460 a | 2.15V @ 15V, 300A | 5 MA | 예 | 19 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC54T60R3EX1SA3 | - | ![]() | 9718 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | SIGC54 | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | - | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 100 a | 300 a | 1.85V @ 15V, 100A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD038N04NGBTMA1 | - | ![]() | 7365 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD038N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 10V | 3.8mohm @ 90a, 10V | 4V @ 45µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 20 v | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T2160N24TOFVTXPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2302 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | do-200ae | T2160N24 | 하나의 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 MA | 2.8kV | 4600 a | 3 v | 44000a @ 50Hz | 300 MA | 2400 a | 1 scr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7457TRPBF | - | ![]() | 5349 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 20 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 42 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3100 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irf7389tr | - | ![]() | 5948 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF738 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 및 p 채널 | 30V | - | 29mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250µA | 33NC @ 10V | 650pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP181E7764HTSA1 | 0.4300 | ![]() | 549 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BFP181 | 175MW | PG-SOT-143-3D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 17.5dB ~ 21dB | 12V | 20MA | NPN | 70 @ 70ma, 8V | 8GHz | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB14N03LA | - | ![]() | 2389 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB14N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 25 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 13.6MOHM @ 30A, 10V | 2V @ 20µA | 8.3 NC @ 5 v | ± 20V | 1043 pf @ 15 v | - | 46W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1018EPBF | 1.3300 | ![]() | 7727 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF1018 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 60 v | 79A (TC) | 10V | 8.4mohm @ 47a, 10V | 4V @ 100µa | 69 NC @ 10 v | ± 20V | 2290 pf @ 50 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR196WH6327XTSA1 | 0.0553 | ![]() | 5212 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BCR196 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 70 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 50 @ 5MA, 5V | 150MHz | 47 Kohms | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7752 | - | ![]() | 3236 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | IRF775 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-tssop | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 4.6a | 30mohm @ 4.6a, 10V | 2V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 861pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS308PEL6327HTSA1 | - | ![]() | 4179 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2A (TA) | 4.5V, 10V | 80mohm @ 2a, 10V | 2V @ 11µA | 5 nc @ 10 v | ± 20V | 500 pf @ 15 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6802SDTR1PBF | - | ![]() | 6271 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 SA | IRF6802 | MOSFET (금속 (() | 1.7W | DirectFet ™ SA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 채널 (채널) | 25V | 16A | 4.2mohm @ 16a, 10V | 2.1V @ 35µA | 13NC @ 4.5V | 1350pf @ 13v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS50R12N2T7B15BPSA2 | 107.6500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 20 MW | 기준 | Ag-Econo2b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 전체 전체 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 50 a | 1.8V @ 15V, 50A | 10 µA | 예 | 11.1 NF @ 25 v |
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