SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IRFR3504ZTRPBF Infineon Technologies irfr3504ztrpbf 1.4600
RFQ
ECAD 16 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR3504 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
IRG5U50HF12A Infineon Technologies irg5u50hf12a -
RFQ
ECAD 3468 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 34 4 irg5u50 390 W. 기준 Powir® 34 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001544860 귀 99 8541.29.0095 20 반 반 - 1200 v 85 a 3.5V @ 15V, 50A 1 MA 아니요 5.7 NF @ 25 v
IRLB8748PBF Infineon Technologies irlb8748pbf 1.0900
RFQ
ECAD 517 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLB8748 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 92A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 40a, 10V 2.35V @ 50µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V 2139 pf @ 15 v - 75W (TC)
IRF6616 Infineon Technologies IRF6616 -
RFQ
ECAD 1238 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001530696 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 19A (TA), 106A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10V 2.25V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 3765 pf @ 20 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRF7426TR Infineon Technologies IRF7426TR -
RFQ
ECAD 1888 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 11.5A (TA) - - - -
BSC079N03LSCGATMA1 Infineon Technologies BSC079N03LSCGATMA1 -
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC079 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 14A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
IRFB23N15DPBF Infineon Technologies IRFB23N15DPBF -
RFQ
ECAD 8840 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 23A (TC) 10V 90mohm @ 14a, 10V 5.5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 136W (TC)
IRL1104L Infineon Technologies IRL1104L -
RFQ
ECAD 8609 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL1104L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 104A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10V 1V @ 250µA 68 NC @ 4.5 v ± 16V 3445 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 167W (TC)
BC848BWH6327XTSA1 Infineon Technologies BC848BWH6327XTSA1 0.0534
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC848 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
FP150R07N3E4_B11 Infineon Technologies FP150R07N3E4_B11 178.1400
RFQ
ECAD 118 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 3 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 430 w 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 150 a 1.95V @ 15V, 150A 1 MA 9.3 NF @ 25 v
BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS205NH6327XTSA1 0.5000
RFQ
ECAD 61 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS205 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 2.5a, 4.5v 1.2V @ 11µA 3.2 NC @ 4.5 v ± 12V 419 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IRF3707 Infineon Technologies IRF3707 -
RFQ
ECAD 9150 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3707 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 62A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 1990 pf @ 15 v - 87W (TC)
IPP80N04S2L03AKSA1 Infineon Technologies IPP80N04S2L03AKSA1 -
RFQ
ECAD 8700 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 213 NC @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF3805L-7PPBF Infineon Technologies IRF3805L-7PPBF -
RFQ
ECAD 7787 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576702 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 160A (TC) 10V 2.6mohm @ 140a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 7820 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRG4PSC71KPBF Infineon Technologies IRG4PSC71KPBF -
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA IRG4PSC71 기준 350 w Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 480V, 60A, 5ohm, 15V - 600 v 85 a 200a 2.3V @ 15V, 60A 790µJ (on), 1.98mj (OFF) 340 NC 34ns/54ns
AUXTLR3110Z Infineon Technologies auxtlr3110z -
RFQ
ECAD 1331 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 75
IPAN60R650CEXKSA1 Infineon Technologies IPAN60R650CEXKSA1 1.3500
RFQ
ECAD 3332 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAN60 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 9.9A (TC) 10V 650mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 28W (TC)
IRGP4263D-EPBF Infineon Technologies IRGP4263D-EPBF -
RFQ
ECAD 2574 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 325 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 48A, 10ohm, 15V 170 ns - 650 v 90 a 192 a 2.1V @ 15V, 48A 2.9mj (on), 1.4mj (OFF) 145 NC 70ns/140ns
IPN65R1K5CEATMA1 Infineon Technologies IPN65R1K5CEATMA1 0.3022
RFQ
ECAD 7635 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN65R1 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 5.2A (TC) 10V 1.5ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 225 pf @ 100 v - 5W (TC)
IRF7389TR Infineon Technologies irf7389tr -
RFQ
ECAD 5948 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF738 MOSFET (금속 (() 2.5W 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 30V - 29mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250µA 33NC @ 10V 650pf @ 25V 논리 논리 게이트
SIDC46D170HX1SA2 Infineon Technologies SIDC46D170HX1SA2 -
RFQ
ECAD 4014 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 주사위 SIDC46D 기준 호일에 호일에 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1700 v 1.8 V @ 75 a 27 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 150 ° C 75a -
IRLHM620TRPBF Infineon Technologies irlhm620trpbf 1.0500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn irlhm620 MOSFET (금속 (() PQFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 26A (TA), 40A (TC) 2.5V, 10V 2.5mohm @ 20a, 4.5v 1.1V @ 50µA 78 NC @ 4.5 v ± 12V 3620 pf @ 10 v - 2.7W (TA), 37W (TC)
IPP80N06S2L09AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S2L09AKSA2 -
RFQ
ECAD 5219 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 52a, 10V 2V @ 125µA 105 NC @ 10 v ± 20V 2620 pf @ 25 v - 190W (TC)
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ070N08LS5ATMA1 1.6400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ070 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 40A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 36µA 5 nc @ 4.5 v ± 20V 2340 pf @ 40 v 기준 69W (TC)
IPAN70R900P7SXKSA1 Infineon Technologies IPAN70R900P7SXKSA1 1.1000
RFQ
ECAD 6078 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAN70 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 60µA 6.8 NC @ 10 v ± 16V 211 PF @ 400 v - 17.9W (TC)
IPB120N04S3-02 Infineon Technologies IPB120N04S3-02 -
RFQ
ECAD 9513 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB120N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2MOHM @ 80A, 10V 4V @ 230µA 210 nc @ 10 v ± 20V 14300 pf @ 25 v - 300W (TC)
BCP49E6327HTSA1 Infineon Technologies BCP49E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP49 1.5 w PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 200MHz
IRG5U100HF12B Infineon Technologies IRG5U100HF12B -
RFQ
ECAD 3996 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 62 2 780 W. 기준 Powir® 62 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001537342 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 - 1200 v 180 a 3.5V @ 15V, 100A 2 MA 아니요 12 nf @ 25 v
IRLIZ34NPBF Infineon Technologies irliz34npbf 1.4200
RFQ
ECAD 863 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 irliz34 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 22A (TC) 4V, 10V 35mohm @ 12a, 10V 2V @ 250µA 25 nc @ 5 v ± 16V 880 pf @ 25 v - 37W (TC)
IPW50R399CPFKSA1 Infineon Technologies IPW50R399CPFKSA1 -
RFQ
ECAD 6122 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW50R MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 560 v 9A (TC) 10V 399mohm @ 4.9a, 10V 3.5V @ 330µA 23 nc @ 10 v ± 20V 890 pf @ 100 v - 83W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고