SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
IRG8P15N120KD-EPBF Infineon Technologies IRG8P15N120KD-EPBF -
RFQ
ECAD 6389 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg8p 기준 125 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001537560 귀 99 8541.29.0095 25 600V, 10A, 10ohm, 15V 60 ns - 1200 v 30 a 30 a 2V @ 15V, 10A 600µJ (on), 600µJ (OFF) 98 NC 15ns/170ns
IRF840PBF Infineon Technologies IRF840PBF -
RFQ
ECAD 8650 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF6724MTRPBF Infineon Technologies IRF6724MTRPBF -
RFQ
ECAD 6104 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX IRF6724 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001529188 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 27A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 27a, 10V 2.35V @ 100µa 54 NC @ 4.5 v ± 20V 4404 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
AUIRF7303Q Infineon Technologies AUIRF7303Q -
RFQ
ECAD 5128 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIRF7103 MOSFET (금속 (() 2.4W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001517242 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 30V 5.3A 50mohm @ 2.7a, 10V 3V @ 100µa 21NC @ 10V 515pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRF1902TRPBF Infineon Technologies IRF1902TRPBF -
RFQ
ECAD 3911 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 4.2A (TA) 2.7V, 4.5V 85mohm @ 4a, 4.5v 700MV @ 250µA 7.5 NC @ 4.5 v ± 12V 310 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRFC4115EB Infineon Technologies IRFC4115EB -
RFQ
ECAD 4687 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
IRF3315STRR Infineon Technologies IRF3315STRR -
RFQ
ECAD 3083 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 21A (TC) 10V 82mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
DDB6U30N08VRBOMA1 Infineon Technologies ddb6u30n08vrboma1 -
RFQ
ECAD 7386 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 83.5 w 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 600 v 26 a 2.55V @ 15V, 20A 1 MA 880 pf @ 25 v
1D2209NK005U7742 Infineon Technologies 1D2209NK005U7742 -
RFQ
ECAD 2372 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 12
IPP100N04S204AKSA1 Infineon Technologies IPP100N04S204AKSA1 -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP100N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.6mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 172 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies irlms6802trpbf 0.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 IRLMS6802 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.6A (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 5.1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 12V 1079 pf @ 10 v - 2W (TA)
IPD60R385CPBTMA1 Infineon Technologies IPD60R385CPBTMA1 -
RFQ
ECAD 4566 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CP 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 385mohm @ 5.2a, 10V 3.5V @ 340µA 22 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 100 v - 83W (TC)
T1590N54P158XPSA1 Infineon Technologies T1590N54P158XPSA1 -
RFQ
ECAD 5210 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 쓸모없는 T1590N - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
IPB180N04S302ATMA1 Infineon Technologies IPB180N04S302ATMA1 5.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB180 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 180A (TC) 10V 1.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 230µA 210 nc @ 10 v ± 20V 14300 pf @ 25 v - 300W (TC)
IDW15E65D2FKSA1 Infineon Technologies IDW15E65D2FKSA1 2.7700
RFQ
ECAD 240 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 IDW15E65 기준 PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 650 v 2.3 V @ 15 a 47 ns 40 µa @ 650 v -40 ° C ~ 175 ° C 30A -
T4051N85TOHXPSA1 Infineon Technologies T4051N85ToHXPSA1 -
RFQ
ECAD 8163 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 T4051N - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001206790 귀 99 8541.30.0080 1
SPA03N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA03N60C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 9911 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA03N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 3.2A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 3.9V @ 135µA 17 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 29.7W (TC)
BFP460H6433XTMA1 Infineon Technologies BFP460H6433XTMA1 -
RFQ
ECAD 9355 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP460 230MW PG-SOT343-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 12.5dB ~ 26.5dB 5.8V 70ma NPN 90 @ 20MA, 3V 22GHz 0.7dB ~ 1.2db @ 100MHz ~ 3GHz
SPD04N60S5 Infineon Technologies SPD04N60S5 -
RFQ
ECAD 4536 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD04N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 5.5V @ 200µA 22.9 NC @ 10 v ± 20V 580 pf @ 25 v - 50W (TC)
TT425N18KOFHPSA2 Infineon Technologies TT425N18KOFHPSA2 366.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 TT425N18 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2 300 MA 1.8 kV 800 a 1.5 v 14500A @ 50Hz 250 MA 471 a 2 scrs
BBY 57-02W E6327 Infineon Technologies BBY 57-02W E6327 -
RFQ
ECAD 5650 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-80 BBY 57 SCD-80 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 5.5pf @ 4V, 1MHz 하나의 10 v 4.5 C1/C4 -
FP35R12N2T4B86BPSA1 Infineon Technologies FP35R12N2T4B86BPSA1 178.3073
RFQ
ECAD 6563 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15
BSP171PE6327T Infineon Technologies BSP171PE6327T -
RFQ
ECAD 2596 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 300mohm @ 1.9a, 10V 2V @ 460µA 20 nc @ 10 v ± 20V 460 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IRF540ZSPBF Infineon Technologies IRF540ZSPBF -
RFQ
ECAD 8346 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 92W (TC)
FP75R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies FP75R12KT4B16BOSA1 200.9200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP75R12 385 w 3 정류기 정류기 브리지 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 150 a 2.25V @ 15V, 75A 1 MA 4.3 NF @ 25 v
IRG4IBC30FD Infineon Technologies irg4ibc30fd -
RFQ
ECAD 1997 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 45 W. PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irg4ibc30fd 귀 99 8541.29.0095 50 480v, 17a, 23ohm, 15v 42 ns - 600 v 20.3 a 120 a 1.8V @ 15V, 17a 630µj (on), 1.39mj (OFF) 51 NC 42ns/230ns
IPP60R520E6 Infineon Technologies IPP60R520E6 -
RFQ
ECAD 6903 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 373 n 채널 600 v 8.1A (TC) 10V 520mohm @ 2.8a, 10V 3.5V @ 230µA 23.4 NC @ 10 v ± 20V 512 pf @ 100 v - 66W (TC)
IRLR8503TRL Infineon Technologies IRLR8503TRL -
RFQ
ECAD 2045 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 44A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 62W (TC)
IRFBA1405PPBF Infineon Technologies IRFBA1405PPBF -
RFQ
ECAD 6426 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-273AA MOSFET (금속 (() Super-220 ™ (TO-273AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 174A (TC) 10V 5MOHM @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 5480 pf @ 25 v - 330W (TC)
IRF7700TR Infineon Technologies irf7700tr -
RFQ
ECAD 8975 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 20 v 8.6A (TC) 2.5V, 4.5V 15mohm @ 8.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 89 NC @ 5 v ± 12V 4300 pf @ 15 v - 1.5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고