SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
46DN06ELEMXPSA1 Infineon Technologies 46DN06ELEMXPSA1 208.2700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-46DN06ELEMXPSA1-448 1
D770N14TXPSA1 Infineon Technologies D770N14TXPSA1 -
RFQ
ECAD 5128 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 DO-200AA, A-PUK D770N 기준 - 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1400 v 1.08 V @ 400 a 30 ma @ 1400 v -40 ° C ~ 180 ° C 770a -
IPDQ60T010S7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ60T010S7AXTMA1 21.5940
RFQ
ECAD 6205 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IPDQ60T010S7AXTMA1TR 750
AUIRFBA1405 Infineon Technologies AUIRFBA1405 -
RFQ
ECAD 1758 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-273AA MOSFET (금속 (() Super-220 ™ (TO-273AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001519538 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 95A (TC) 10V 5MOHM @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 5480 pf @ 25 v - 330W (TC)
BUZ311 Infineon Technologies Buz311 -
RFQ
ECAD 9975 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BSC017N04NSGATMA1 Infineon Technologies BSC017N04NSGATMA1 -
RFQ
ECAD 8507 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 30A (TA), 100A (TC) 10V 1.7mohm @ 50a, 10V 4V @ 85µA 108 NC @ 10 v ± 20V 8800 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 139W (TC)
IPD100N06S403ATMA1 Infineon Technologies IPD100N06S403ATMA1 -
RFQ
ECAD 3016 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD100N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 3.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 90µA 128 NC @ 10 v ± 20V 10400 pf @ 25 v - 150W (TC)
IKQ120N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKQ120N120CH7XKSA1 15.6900
RFQ
ECAD 6015 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30
AUIRFR5410 Infineon Technologies AUIRFR5410 -
RFQ
ECAD 3591 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 13A (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 25 v - 66W (TC)
IRL1104S Infineon Technologies IRL1104S -
RFQ
ECAD 1816 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL1104S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 104A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10V 1V @ 250µA 68 NC @ 4.5 v ± 16V 3445 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 167W (TC)
SPB10N10 Infineon Technologies SPB10N10 -
RFQ
ECAD 4793 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB10N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 10.3A (TC) 10V 170mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 21µA 19.4 NC @ 10 v ± 20V 426 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFHS8242TR2PBF Infineon Technologies IRFHS8242TR2PBF -
RFQ
ECAD 1279 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 6-powervdfn MOSFET (금속 (() 6-pqfn (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 25 v 9.9A (TA), 21A (TC) 13mohm @ 8.5a, 10V 2.35V @ 25µA 10.4 NC @ 10 v 653 pf @ 10 v -
BFP540ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP540ESDH6327XTSA1 0.5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP540 250MW PG-SOT343-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 21.5dB 5V 80ma NPN 50 @ 20MA, 3.5V 30GHz 0.9dB ~ 1.4db @ 1.8GHz
IPT013N08NM5LF Infineon Technologies IPT013N08NM5LF 3.8084
RFQ
ECAD 6102 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT013N MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 35A (TA), 333A (TC) 10V 1.3mohm @ 150a, 10V 4.1V @ 250µA 158 NC @ 10 v ± 20V 820 pf @ 40 v - 3.1W (TA), 278W (TC)
IPP60R165CP Infineon Technologies IPP60R165CP -
RFQ
ECAD 9936 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 165mohm @ 12a, 10V 3.5V @ 790µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 100 v - 192W (TC)
DT61N16KOFKHPSA1 Infineon Technologies DT61N16KOFKHPSA1 -
RFQ
ECAD 6070 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 15 200 MA 1.6kV 120 a 1.4 v 1550a @ 50Hz 120 MA 76 a 1 scr, 1 다이오드
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R1K5PFD7SAUMA1 0.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3-344 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 700ma, 10V 4.5V @ 40µA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 169 pf @ 400 v - 22W (TC)
FS3L100R07W3S5B11BPSA1 Infineon Technologies FS3L100R07W3S5B11BPSA1 163.5200
RFQ
ECAD 16 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™, TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS3L100R07 20 MW 기준 Ag-Easy3b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 70 a 1.38V @ 15V, 50A 7 µA 7.1 NF @ 25 v
ISZ080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISZ080N10NM6ATMA1 1.7300
RFQ
ECAD 5852 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISZ080N MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 13A (TA), 75A (TC) 8V, 10V 8.04mohm @ 20a, 10V 3.3V @ 36µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 50 v - 3W (TA), 100W (TC)
TD250N1825KOFHPSA1 Infineon Technologies TD250N1825KOFHPSA1 -
RFQ
ECAD 5648 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 TD250N 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3 300 MA 1.8 kV 410 a 2 v 8000A @ 50Hz 200 MA 250 a 1 scr, 1 다이오드
DF200R12W1H3FB11BOMA1 Infineon Technologies DF200R12W1H3FB11BOMA1 -
RFQ
ECAD 9317 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 DF200R12 20 MW 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 30 a 1.45V @ 15V, 30A 1 MA 6.15 NF @ 25 v
IRFR3711ZTR Infineon Technologies irfr3711ztr -
RFQ
ECAD 4620 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001571586 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 2.45V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 2160 pf @ 10 v - 79W (TC)
DD500S33HE3BPSA1 Infineon Technologies DD500S33HE3BPSA1 975.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 DD500S33 기준 AG-IHVB130-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4 2 독립 3300 v - 3.85 V @ 500 a 500 A @ 1800 v -40 ° C ~ 150 ° C
ISZ24DP10LMATMA1 Infineon Technologies ISZ24DP10LMATMA1 1.0300
RFQ
ECAD 8294 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-25 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-ISZ24DP10LMATMA1DKR 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 100 v 9.7a - - - - - -
IPB80P04P407ATMA2 Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA2 2.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80p MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 40 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 150µA 89 NC @ 10 v ± 20V 6085 pf @ 25 v - 88W (TC)
SPD06N60C3BTMA1 Infineon Technologies SPD06N60C3BTMA1 -
RFQ
ECAD 4377 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD06N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 6.2A (TC) 10V 750mohm @ 3.9a, 10V 3.9V @ 260µA 31 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRF9Z24NS Infineon Technologies IRF9Z24NS -
RFQ
ECAD 9808 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9Z24NS 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 55 v 12A (TC) 10V 175mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
IPB100N08S2L07ATMA1 Infineon Technologies IPB100N08S2L07ATMA1 -
RFQ
ECAD 8598 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB100 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 246 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 300W (TC)
DF160R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies DF160R12W2H3FB11BPSA1 125.8700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 DF160R12 20 MW 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 40 a 1.7V @ 15V, 20A 1 MA 2.35 NF @ 25 v
SIGC18T60NCX1SA4 Infineon Technologies SIGC18T60NCX1SA4 -
RFQ
ECAD 1718 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC18 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 20A, 13ohm, 15V NPT 600 v 20 a 60 a 2.5V @ 15V, 20A - 21ns/110ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고