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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
FP30R06W1E3BOMA1	49.0500	RFQ	24	인피온 인피온	EasyPIM ™	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FP30R06			115 w	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	24	3 단계 인버터																						트렌치 트렌치 정지	600 v	37 a		2V @ 15V, 30A				1 MA	예	1.65 NF @ 25 v
BSZ165N04NSGATMA1	-	RFQ	9929	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn			MOSFET (금속 (()			PG-TSDSON-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널			40 v	8.9A (TA), 31A (TC)	10V	16.5mohm @ 20a, 10V	4V @ 10µA	10 nc @ 10 v	± 20V	840 pf @ 20 v	-	2.1W (TA), 25W (TC)
IPD60R800CEAUMA1	0.8900	RFQ	3	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD60R		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-344	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			600 v	8.4A (TC)	10V	800mohm @ 2a, 10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 v	± 20V	373 PF @ 100 v	-	74W (TC)
IPZA65R018CFD7XKSA1	21.2600	RFQ	9406	인피온 인피온	CoolMOS ™ CFD7	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-4	IPZA65R		MOSFET (금속 (()			PG-to247-4-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			n 채널			650 v	106A (TC)	10V	18mohm @ 58.2a, 10V	4.5V @ 2.91ma	234 NC @ 10 v	± 20V	11660 pf @ 400 v	-	446W (TC)
IPD60R380P6ATMA1	2.1000	RFQ	7	인피온 인피온	Coolmos ™ P6	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD60R		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			600 v	10.6A (TC)	10V	380mohm @ 3.8a, 10V	4.5V @ 320µA	19 NC @ 10 v	± 20V	877 pf @ 100 v	-	83W (TC)
IKB20N60H3ATMA1	2.7900	RFQ	990	인피온 인피온	TrenchStop®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IKB20N60	기준		170 w		PG-to263-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000				400V, 20A, 14.6OHM, 15V														112 ns					트렌치 트렌치 정지	600 v	40 a	80 a	2.4V @ 15V, 20A	690µJ	120 NC	16ns/194ns
BSO051N03MSGXUMA1	0.2800	RFQ	2	인피온 인피온	Optimos ™ 3m	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()			PG-DSO-8	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1			n 채널			30 v	14a	-	5.1mohm @ 18a, 10V	2V @ 250µA		± 20V	3200 pf @ 15 v	-	2.5W
BCR133E6393	-	RFQ	4519	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR133			200 MW		PG-SOT23-3-3	다운로드					귀 99	8541.21.0075	1																								50 v	100 MA						100NA (ICBO)			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	130MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
SPP80N06S08NK	-	RFQ	9950	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, SIPMOS®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	spp80n		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000054054	귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			55 v	80A (TC)	10V	8mohm @ 80a, 10V	4V @ 240µA	187 NC @ 10 v	± 20V	3660 pf @ 25 v	-	300W (TC)
SPD50P03LGBTMA1	2.5600	RFQ	7973	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD	SPD50P03		MOSFET (금속 (()			PG-to252-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널			30 v	50A (TC)	10V	7mohm @ 50a, 10V	2V @ 250µA	126 NC @ 10 v	± 20V	6880 pf @ 25 v	-	150W (TC)
IPD60R800CEATMA1	-	RFQ	5199	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD60R		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			600 v	5.6A (TC)	10V	800mohm @ 2a, 10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 v	± 20V	373 PF @ 100 v	-	48W (TC)
2SD315AI33NPSA1	-	RFQ	2993	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는				2SD315						-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1
BSP60E6327HTSA1	-	RFQ	9640	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BSP60			1.5 w		PG-SOT223-4	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																								45 v	1 a						10µA			pnp- 달링턴	1.8v @ 1ma, 1a	2000 @ 500ma, 10V	200MHz
IPS70R1K4P7SAKMA1	0.7300	RFQ	8811	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPS70R1		MOSFET (금속 (()			PG-to251-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75			n 채널			700 v	4A (TC)	10V	1.4ohm @ 700ma, 10V	3.5V @ 40µA	4.7 NC @ 10 v	± 16V	158 pf @ 400 v	-	22.7W (TC)
AIKB20N60CTATMA1	4.5000	RFQ	3	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AIKB20	기준		156 w		PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000				600V, 20A, 12ohm, 15V																			트렌치 트렌치 정지	600 v	40 a	60 a	2.05V @ 15V, 20A	310µJ (on), 460µJ (OFF)	120 NC	18ns/199ns
IPB80N04S4L04ATMA1	2.1400	RFQ	958	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB80N		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			40 v	80A (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 80a, 10V	2.2V @ 35µA	60 nc @ 10 v	+20V, -16V	4690 pf @ 25 v	-	71W (TC)
IRF7820TRPBF	1.5400	RFQ	6272	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF7820		MOSFET (금속 (()			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널			200 v	3.7A (TA)	10V	78mohm @ 2.2a, 10V	5V @ 100µa	44 NC @ 10 v	± 20V	1750 pf @ 100 v	-	2.5W (TA)
F3L225R07W2H3PB63BPSA1	102.7100	RFQ	5533	인피온 인피온	EasyPack ™	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	F3L225			20 MW	기준	Ag-Easy2b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	18	단일 단일																						-	650 v	225 a		1.75V @ 15V, 85A				1 MA	예	14 nf @ 25 v
IDM08G120C5XTMA1	5.6700	RFQ	2	인피온 인피온	Coolsic ™+	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IDM08G120		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky			PG-to252-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)														1200 v	1.95 V @ 8 a	0 ns	40 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	365pf @ 1v, 1MHz
FS300R12KE4BOSA1	761.0925	RFQ	9340	인피온 인피온	EconoPack ™+ b	쟁반	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FS300R12			1600 W.	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4	3 단계 인버터																						트렌치 트렌치 정지	1200 v	450 a		2.1V @ 15V, 300A				3 MA	예	18.5 nf @ 25 v
BSC029N025SG	0.8100	RFQ	8	인피온 인피온	최적화 ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn			MOSFET (금속 (()			PG-TDSON-8-1	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1			n 채널			25 v	24A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	2.9mohm @ 50a, 10V	2V @ 80µa	41 NC @ 5 v	± 20V	5090 pf @ 15 v	-	2.8W (TA), 78W (TC)
IRF1404ZSPBF	-	RFQ	3745	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			40 v	180A (TC)	10V	3.7mohm @ 75a, 10V	4V @ 150µA	150 nc @ 10 v	± 20V	4340 pf @ 25 v	-	200W (TC)
BFP 196R E6327	-	RFQ	1084	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BFP 196			700MW		PG-SOT-143-3D	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000					10.5dB ~ 16.5dB																			12V	150ma									NPN		70 @ 50MA, 8V	7.5GHz			1.3dB ~ 2.3db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF8915	-	RFQ	3254	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF89		MOSFET (금속 (()	2W		도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF8915	귀 99	8541.29.0095	95	2 n 채널 (채널)					20V	8.9a		18.3mohm @ 8.9a, 10V	2.5V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		540pf @ 10V	논리 논리 게이트
d711n68txpsa1	-	RFQ	3738	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는		섀시 섀시	DO-200AB, B-PUK	D711N68		기준			-	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6		짐														6800 v	1.9 v @ 1200 a		50 ma @ 6800 v	-40 ° C ~ 160 ° C	1070a	-
IPB034N03LGATMA1	-	RFQ	9919	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB034		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			30 v	80A (TC)	4.5V, 10V	3.4mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 20V	5300 pf @ 15 v	-	94W (TC)
IPC60R190E6X7SA1	-	RFQ	2587	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는				IPC60R						-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001418024	쓸모없는	0000.00.0000	1							-
SPW24N60C3FKSA1	7.4900	RFQ	111	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	SPW24N60		MOSFET (금속 (()			PG-to247-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			650 v	24.3A (TC)	10V	160mohm @ 15.4a, 10V	3.9V @ 1.2MA	135 NC @ 10 v	± 20V	3000 pf @ 25 v	-	240W (TC)
IPF050N10NF2SATMA1	2.2200	RFQ	800	인피온 인피온	Strongirfet ™ 2	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)			MOSFET (금속 (()			PG-to263-7	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	448-IPF050N10NF2SATMA1CT	귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			100 v	19A (TA), 117A (TC)	6V, 10V	5.05mohm @ 60a, 10V	3.8V @ 84µA	76 NC @ 10 v	± 20V	3600 pf @ 50 v	-	3.8W (TA), 150W (TC)
BSM400GA170DLS	142.3400	RFQ	10	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	BSM400			3120 w	기준	기준 기준	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1	하나의																						-	1700 v	800 a		3.3V @ 15V, 400A				1 MA	아니요	27 NF @ 25 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²