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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) | 커패시턴스 커패시턴스 | 커패시턴스 커패시턴스 조건 | Q @ vr, f |
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![]() | IPP60R450E6XKSA1 | - | ![]() | 3145 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 9.2A (TC) | 10V | 450mohm @ 3.4a, 10V | 3.5V @ 280µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 100 v | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZ800N16KOFTIMHPSA1 | 583.8400 | ![]() | 6749 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | TZ800N16 | 하나의 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | 500 MA | 1.8 kV | 1500 a | 2 v | 35000A @ 50Hz | 250 MA | 819 a | 1 scr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 62-0219pbf | - | ![]() | 2375 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 튜브 | 활동적인 | 62-0219 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001569166 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Accessory33752NOSA1 | - | ![]() | 7311 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 액세서리 3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 448-Accessory33752NOSA1 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDK09G65C5XTMA1 | - | ![]() | 6678 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™+ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IDK09G65 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | PG-to263-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.8 V @ 9 a | 0 ns | 1.6 ma @ 650 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 9a | 270pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL1404ZPBF | 2.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRL1404 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 75a, 10V | 2.7V @ 250µA | 110 NC @ 5 v | ± 16V | 5080 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSF035NE2LQXUMA1 | - | ![]() | 4306 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-Wdson | BSF035 | MOSFET (금속 (() | Mg-Wdson-2, Canpak M ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP001034234 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 22A (TA), 69A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1862 pf @ 12 v | - | 2.2W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP120N06S402AKSA2 | - | ![]() | 3814 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP120N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 140µA | 195 NC @ 10 v | ± 20V | 15750 pf @ 25 v | - | 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG5W50HF06A | - | ![]() | 6556 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Powir® 34 4 | IRG5W50 | 260 W. | 기준 | Powir® 34 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | 반 반 | - | 600 v | 75 a | 2.7V @ 15V, 50A | 1 MA | 아니요 | 2.6 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP093N06N3GHKSA1 | - | ![]() | 4446 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP093N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000398048 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 9.3mohm @ 50a, 10V | 4V @ 34µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 30 v | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1405ZSPBF | - | ![]() | 9202 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001564248 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 4.9mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 4780 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlr8503trr | - | ![]() | 4754 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 44A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 20V | 1650 pf @ 25 v | - | 62W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR7833 | 2.2300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4010 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC12DN20NS3GATMA1 | 1.6300 | ![]() | 2503 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC12DN20 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 200 v | 11.3A (TC) | 10V | 125mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 25µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 100 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB 555 E7908 | - | ![]() | 3968 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-80 | BB 555 | SCD-80 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 45,000 | 2.3pf @ 28V, 1MHz | 하나의 | 30 v | 9.8 | C1/C28 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT61N14KOFHPSA1 | - | ![]() | 1825 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | TT61N14 | 시리즈 시리즈 - 연결 scr | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 15 | 200 MA | 1.4kV | 120 a | 1.4 v | 1550a @ 50Hz | 120 MA | 76 a | 2 scrs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1200R33KF2CS1NOSA1 | - | ![]() | 2023 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FZ1200 | 14500 w | 기준 | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 | - | 3300 v | 2000 a | 4.25V @ 15V, 1.2KA | 12 MA | 아니요 | 150 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12KE7PHPSA1 | 261.2688 | ![]() | 2873 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | C, TrenchStop ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 기준 | Ag-62mmhb | - | Rohs3 준수 | 8 | 하프 하프 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 600 a | 1.75V @ 15V, 600A | 100 µa | 아니요 | 92300 pf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPA20N60C3 | - | ![]() | 3680 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 600 v | 20.7A (TC) | 190mohm @ 13.1a, 10V | 3.9V @ 1mA | 114 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 34.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irl3202strr | - | ![]() | 4408 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 48A (TC) | 4.5V, 7V | 16mohm @ 29a, 7v | 700mv @ 250µa (최소) | 43 NC @ 4.5 v | ± 10V | 2000 pf @ 15 v | - | 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIGB50N65F5ATMA1 | 5.0600 | ![]() | 224 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AIGB50 | 기준 | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | NPT | 650 v | 50 a | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP640FE6327 | - | ![]() | 1886 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 리드 | BFP640 | 200MW | 4-TSFP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 23db | 4.5V | 50ma | NPN | 110 @ 30MA, 3V | 40GHz | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISC045N03L5SATMA1 | 0.6000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | ISC045 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 18A (TA), 63A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 870 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | imic40v01x6sa1 | - | ![]() | 5706 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 쟁반 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001131320 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IM240S6Y1BAKMA1 | - | ![]() | 8451 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CIPOS ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 23-DIP 0. (0.573 ", 14.55mm) | IGBT | IM240S6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 15 | - | 3 a | 600 v | 1900vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlh5036tr2pbf | - | ![]() | 1099 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 60 v | 20A (TA), 100A (TC) | 4.4mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 150µA | 90 NC @ 10 v | 5360 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT5405WH6327XTSA1 | 0.5000 | ![]() | 116 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BAT5405 | Schottky | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 200MA (DC) | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µa @ 25 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDH05G65C5XKSA2 | 1.8247 | ![]() | 5789 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™+ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | IDH05G65 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | PG-to220-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001632972 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.7 V @ 5 a | 0 ns | 90 µa @ 650 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 5a | 1V @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irg4ph20kd | - | ![]() | 6902 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 가방 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | irg4ph20 | 기준 | 60 W. | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irg4ph20kd | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 800V, 5A, 50ohm, 15V | 51 ns | - | 1200 v | 11 a | 22 a | 4.3V @ 15V, 5A | 620µJ (on), 300µJ (OFF) | 28 NC | 50ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N06S3L-06 | - | ![]() | 9231 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 5V, 10V | 5.6MOHM @ 56A, 10V | 2.2v @ 80µa | 196 NC @ 10 v | ± 16V | 9417 pf @ 25 v | - | 136W (TC) |
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