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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	구조	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)	커패시턴스 커패시턴스	커패시턴스 커패시턴스 조건	Q @ vr, f
IDH12G65C6XKSA1	6.1100	RFQ	420	인피온 인피온	-	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	TO-220-2	IDH12G65		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky				PG-to220-2	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)																						650 v		1.35 V @ 12 a	0 ns	40 @ 420 v	-55 ° C ~ 175 ° C	27a	594pf @ 1v, 1MHz
BC850CWE6327	0.0200	RFQ	3884	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323				250 MW			PG-SOT323-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,900																																		45 v	100 MA								15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	250MHz
IRG4BC20MD-SPBF	-	RFQ	7377	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		60 W.			D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50					480V, 11a, 50ohm, 15V																						37 ns						-	600 v	18 a	36 a	2.1V @ 15V, 11a	410µJ (on), 2.03mj (OFF)	39 NC	21ns/463ns
ND260N16KHPSA1	-	RFQ	9857	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는		섀시 섀시	기준 기준	ND260N		기준				BG-PB50nd-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3		짐																						1600 v				30 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 135 ° C	260A	-
D1800N46TVFXPSA1	618.5375	RFQ	9514	인피온 인피온	-	쟁반	마지막으로 마지막으로		클램프 클램프	DO-200AC, K-PUK	D1800N46		기준				-	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4		짐																						4600 v		1.32 V @ 1500 a		100 ma @ 4600 v	-40 ° C ~ 160 ° C	1800a	-
BFP420E6433HTMA1	-	RFQ	8833	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343	BFP420			160MW			PG-SOT343-3D	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000						21db																												5V	35MA											NPN		60 @ 20MA, 4V	25GHz	1.1db @ 1.8ghz
FS215R04A1E3DBOMA1	-	RFQ	3742	인피온 인피온	*	쟁반	sic에서 중단되었습니다											다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	16
DD171N12KHPSA1	-	RFQ	8567	인피온 인피온	DD171N	쟁반	쓸모없는		섀시 섀시	기준 기준	DD171N12		기준				기준 기준	다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	8		짐																					1 음극 음극 공통	1200 v	171a	1.26 V @ 500 a		20 ma @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C
IRGP4640PBF	-	RFQ	8316	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRGP4640	기준		250 W.			TO-247AC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	400					400V, 24A, 10ohm, 15V																												-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V, 24A	100µJ (on), 600µJ (OFF)	75 NC	40ns/105ns
BC860BE6327	0.0500	RFQ	76	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				330 MW			PG-SOT23-3-11	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	7,105																																		45 v	100 MA								15NA (ICBO)			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	250MHz
ika08n65f5xksa1	2.6800	RFQ	7608	인피온 인피온	TrenchStop®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IKA08N65	기준		31.2 w			PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50					400V, 4A, 48ohm, 15V																						41 ns						-	650 v	10.8 a	24 a	2.1V @ 15V, 8A	70µJ (on), 20µJ (OFF)	22 NC	10ns/116ns
TZ800N16KOFTIMHPSA1	583.8400	RFQ	6749	인피온 인피온	-	쟁반	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	TZ800N16				하나의			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1				500 MA													1.8 kV	1500 a	2 v	35000A @ 50Hz	250 MA	819 a										1 scr
62-0219pbf	-	RFQ	2375	인피온 인피온	*	튜브	활동적인				62-0219							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001569166	귀 99	8541.29.0095	95
Accessory33752NOSA1	-	RFQ	7311	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는				액세서리 3							-			영향을받지 영향을받지	448-Accessory33752NOSA1	귀 99	8542.39.0001	1
IDK09G65C5XTMA1	-	RFQ	6678	인피온 인피온	Coolsic ™+	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IDK09G65		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky				PG-to263-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)																						650 v		1.8 V @ 9 a	0 ns	1.6 ma @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	9a	270pf @ 1v, 1MHz
IRL1404ZPBF	2.5300	RFQ	1	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRL1404		MOSFET (금속 (()				TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널				40 v	75A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 75a, 10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 v	± 16V	5080 pf @ 25 v	-	230W (TC)
BSF035NE2LQXUMA1	-	RFQ	4306	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-Wdson	BSF035		MOSFET (금속 (()				Mg-Wdson-2, Canpak M ™	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	SP001034234	귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널				25 v	22A (TA), 69A (TC)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 30a, 10V	2V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	1862 pf @ 12 v	-	2.2W (TA), 28W (TC)
IPP120N06S402AKSA2	-	RFQ	3814	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP120N		MOSFET (금속 (()				PG-to220-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널				60 v	120A (TC)	10V	2.8mohm @ 100a, 10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 v	± 20V	15750 pf @ 25 v	-	188W (TC)
IRG5W50HF06A	-	RFQ	6556	인피온 인피온	-	상자	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	Powir® 34 4	IRG5W50			260 W.		기준	Powir® 34	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	20	반 반																																-	600 v	75 a		2.7V @ 15V, 50A						1 MA	아니요	2.6 NF @ 25 v
IPP093N06N3GHKSA1	-	RFQ	4446	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP093N		MOSFET (금속 (()				PG-to220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000398048	귀 99	8541.29.0095	500			n 채널				60 v	50A (TC)	10V	9.3mohm @ 50a, 10V	4V @ 34µA	36 nc @ 10 v	± 20V	2900 pf @ 30 v	-	71W (TC)
IRF1405ZSPBF	-	RFQ	9202	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()				D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001564248	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널				55 v	75A (TC)	10V	4.9mohm @ 75a, 10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 v	± 20V	4780 pf @ 25 v	-	230W (TC)
irlr8503trr	-	RFQ	4754	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()				D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널				30 v	44A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 v	± 20V	1650 pf @ 25 v	-	62W (TC)
IRLR7833	2.2300	RFQ	13	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()				D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75			n 채널				30 v	140A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 20V	4010 pf @ 15 v	-	140W (TC)
BSC12DN20NS3GATMA1	1.6300	RFQ	2503	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSC12DN20		MOSFET (금속 (()				PG-TDSON-8-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널				200 v	11.3A (TC)	10V	125mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 25µA	8.7 NC @ 10 v	± 20V	680 pf @ 100 v	-	50W (TC)
BB 555 E7908	-	RFQ	3968	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-80	BB 555						SCD-80	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	45,000																															2.3pf @ 28V, 1MHz										하나의	30 v									9.8	C1/C28	-
TT61N14KOFHPSA1	-	RFQ	1825	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	TT61N14				시리즈 시리즈 - 연결 scr			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	15				200 MA													1.4kV	120 a	1.4 v	1550a @ 50Hz	120 MA	76 a										2 scrs
FZ1200R33KF2CS1NOSA1	-	RFQ	2023	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FZ1200			14500 w		기준	-	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	전체 전체																																-	3300 v	2000 a		4.25V @ 15V, 1.2KA						12 MA	아니요	150 NF @ 25 v
FF600R12KE7PHPSA1	261.2688	RFQ	2873	인피온 인피온	C, TrenchStop ™	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준						기준	Ag-62mmhb	-	Rohs3 준수						8	하프 하프 인버터																																트렌치 트렌치 정지	1200 v	600 a		1.75V @ 15V, 600A						100 µa	아니요	92300 pf @ 25 v
SPA20N60C3	-	RFQ	3680	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()				PG-to220-3-111	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1			n 채널				600 v	20.7A (TC)		190mohm @ 13.1a, 10V	3.9V @ 1mA	114 NC @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	34.5W (TC)
irl3202strr	-	RFQ	4408	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()				D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널				20 v	48A (TC)	4.5V, 7V	16mohm @ 29a, 7v	700mv @ 250µa (최소)	43 NC @ 4.5 v	± 10V	2000 pf @ 15 v	-	69W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²