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| Fz400R17KE3S4HOSA1 | 214.2880 | | 3524 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 기음 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | Fz400R17 | 2250 w | 기준 | 기준 기준 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 620 a | 2.45V @ 15V, 400A | 3 MA | 아니요 | 36 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGP4063D1PBF | - | | 7367 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRGP4063D | 기준 | 330 w | TO-247AC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001537966 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 48A, 10ohm, 15V | 80 ns | - | 600 v | 100 a | 192 a | 2.14V @ 15V, 48A | 1.4mj (on), 1.1mj (OFF) | 150 NC | 60ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF540ZSTRLPBF | - | | 9779 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 36A (TC) | 10V | 26.5mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1770 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | F3L100R07W2E3B11BOMA1 | 74.0000 | | 4234 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | F3L100 | 300 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 117 a | 1.9V @ 15V, 100A | 1 MA | 예 | 6.2 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7495TRPBF | 1.7200 | | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7495 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 7.3A (TA) | 10V | 22mohm @ 4.4a, 10V | 4V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 1530 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP135L6906HTSA1 | - | | 6730 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 120MA (TA) | 0V, 10V | 45ohm @ 120ma, 10V | 1V @ 94µA | 4.9 NC @ 5 v | ± 20V | 146 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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