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디스크리트 반도체(16626)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
IPD60R2K0C6BTMA1 Infineon Technologies IPD60R2K0C6BTMA1 -
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 ECAD 8023 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ C6 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET(금속) PG-TO252-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 2.4A(Tc) 10V 2옴 @ 760mA, 10V 60μA에서 3.5V 6.7nC @ 10V ±20V 100V에서 140pF - 22.3W(Tc)
SIDC81D120F6X1SA1 Infineon Technologies SIDC81D120F6X1SA1 -
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 ECAD 2594 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 분수 SIDC78D 기준 호일에 최고질 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1200V 2.1V @ 100A 1200V에서 27μA -55°C ~ 150°C 100A -
BSP317PE6327T Infineon Technologies BSP317PE6327T -
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 ECAD 9078 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 SIPMOS® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BSP317 MOSFET(금속) PG-SOT223-4 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 250V 430mA(타) 4.5V, 10V 4옴 @ 430mA, 10V 2V @ 370μA 15.1nC @ 10V ±20V 25V에서 262pF - 1.8W(타)
IRF6797MTRPBF Infineon Technologies IRF6797MTRPBF -
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 ECAD 1554년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 MX IRF6797 MOSFET(금속) DIRECTFET™ MX 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001530232 EAR99 8541.29.0095 4,800 N채널 25V 36A(Ta), 210A(Tc) 4.5V, 10V 1.4m옴 @ 38A, 10V 150μA에서 2.35V 68nC @ 4.5V ±20V 5790pF @ 13V - 2.8W(Ta), 89W(Tc)
IRFR13N20DPBF Infineon Technologies IRFR13N20DPBF -
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 ECAD 8809 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 200V 13A(티씨) 10V 235m옴 @ 8A, 10V 250μA에서 5.5V 38nC @ 10V ±30V 25V에서 830pF - 110W(Tc)
IRG8CH37K10F Infineon Technologies IRG8CH37K10F -
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 ECAD 1659년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 SIC에서는 존재하지 않았습니다. IRG8CH37 기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001532998 EAR99 8541.29.0095 1 600V, 35A, 5옴, 15V - 1200V 2V @ 15V, 35A - 210nC 35ns/190ns
IRFH7107TRPBF Infineon Technologies IRFH7107TRPBF -
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 ECAD 2052년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 75V 14A(Ta), 75A(Tc) 10V 8.5m옴 @ 45A, 10V 4V @ 100μA 72nC @ 10V ±20V 3110pF @ 25V - 3.6W(Ta), 104W(Tc)
D721S45TPRXPSA1 Infineon Technologies D721S45TPRXPSA1 -
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 ECAD 1926년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 방역 DO-200AC, K-PUK D721S45 기준 DO-200AC, K-PUK 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 4500V 3.5V @ 2500A 4500V에서 140mA 125°C 1080A -
FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 151.9500
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 ECAD 12 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 기음 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 FF200R12 1100W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 다리 다리 트렌치 필드스톱 1200V 320A 2.15V @ 15V, 200A 5mA 아니요 25V에서 14nF
IRF300P227 Infineon Technologies IRF300P227 7.9000
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 ECAD 262 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 StrongIRFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IRF300 MOSFET(금속) PG-TO247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 N채널 300V 50A(Tc) 10V 40m옴 @ 30A, 10V 4V @ 270μA 107nC @ 10V ±20V 50V에서 4893pF - 313W(Tc)
BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1 1.1100
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 ECAD 8042 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN BSC150 MOSFET(금속) 26W PG-TDSON-8-4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 2 N채널(듀얼) 30V 8A 15m옴 @ 20A, 10V 2.2V @ 250μA 13.2nC @ 10V 1100pF @ 15V 게임 레벨 레벨
IRF8852TRPBF Infineon Technologies IRF8852TRPBF -
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 ECAD 5013 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) IRF8852 MOSFET(금속) 1W 8-TSSOP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 25V 7.8A 11.3m옴 @ 7.8A, 10V 2.35V @ 25μA 9.5nC @ 4.5V 1151pF @ 20V 게임 레벨 레벨
IRLR8103VTRPBF Infineon Technologies IRLR8103VTRPBF -
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 ECAD 3193 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 30V 91A (Tc) 4.5V, 10V 9m옴 @ 15A, 10V 3V @ 250μA 27nC @ 5V ±20V 16V에서 2672pF - 115W(Tc)
SPP11N60CFDHKSA1 Infineon Technologies SPP11N60CFDHKSA1 -
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 ECAD 3908 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 SPP11N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000014533 EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 11A(티씨) 10V 440m옴 @ 7A, 10V 5V @ 500μA 64nC @ 10V ±20V 25V에서 1200pF - 125W(Tc)
BCR 108 B6327 Infineon Technologies BCR 108 B6327 -
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 ECAD 9721 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 108 200mW PG-SOT23 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 30,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 70 @ 5mA, 5V 170MHz 2.2kΩ 47kΩ
IRFR120ZTR Infineon Technologies IRFR120ZTR -
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 ECAD 8241 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 100V 8.7A(Tc) 10V 190m옴 @ 5.2A, 10V 4V @ 250μA 10nC @ 10V ±20V 310pF @ 25V - 35W(Tc)
IRF7467TRPBF Infineon Technologies IRF7467TRPBF -
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 ECAD 2989 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 30V 11A(타) 2.8V, 10V 12m옴 @ 11A, 10V 2V @ 250μA 32nC @ 4.5V ±12V 2530pF @ 15V - 2.5W(타)
IDL10G65C5XUMA1 Infineon Technologies IDL10G65C5XUMA1 -
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 ECAD 8903 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™+ 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 4-PowerTSFN IDL10G65 SiC(탄화규소) 쇼트키 PG-VSON-4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000941314 EAR99 8541.10.0080 3,000 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.7V @ 10A 0ns 650V에서 180μA -55°C ~ 150°C 10A 300pF @ 1V, 1MHz
IRL40B209 Infineon Technologies IRL40B209 -
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 ECAD 7737 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET®, StrongIRFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRL40B209 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001576458 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 40V 195A(Tc) 4.5V, 10V 1.25m옴 @ 100A, 10V 2.4V @ 250μA 270nC @ 4.5V ±20V 25V에서 15140pF - 375W(Tc)
IPI60R520CPAKSA1 Infineon Technologies IPI60R520CPAKSA1 -
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 ECAD 6193 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IPI60R MOSFET(금속) PG-TO262-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 6.8A(Tc) 10V 520m옴 @ 3.8A, 10V 3.5V @ 340μA 31nC @ 10V ±20V 100V에서 630pF - 66W(Tc)
BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies BFR35APE6327HTSA1 0.4800
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 ECAD 78 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFR35 280mW PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 10.5dB ~ 16dB 15V 45mA NPN 70 @ 15mA, 8V 5GHz 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
AUXTMGPS4070D2 Infineon Technologies AUXTMGPS4070D2 -
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 ECAD 4965 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - AUTXMGPS - - REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-AUXTMGPS4070D2 EAR99 8541.29.0095 1 - - - - -
FP150R07N3E4B16BOSA1 Infineon Technologies FP150R07N3E4B16BOSA1 231.2100
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 ECAD 7751 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 쟁반 활동적인 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10
IRFZ24NSTRL Infineon Technologies IRFZ24NSTRL -
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 ECAD 7127 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 55V 17A(TC) 10V 70m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 370pF @ 25V - 3.8W(Ta), 45W(Tc)
IPB50R199CPATMA1 Infineon Technologies IPB50R199CPATMA1 2.0689
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 ECAD 6316 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB50R199 MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 550V 17A(TC) 10V 199m옴 @ 9.9A, 10V 660μA에서 3.5V 45nC @ 10V ±20V 100V에서 1800pF - 139W(Tc)
SPP11N60S5HKSA1 Infineon Technologies SPP11N60S5HKSA1 -
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 ECAD 3648 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 SPP11N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 650V 11A(티씨) 10V 380m옴 @ 7A, 10V 5.5V @ 500μA 54nC @ 10V ±20V 25V에서 1460pF - 125W(Tc)
IPB100N04S2L-03ATMA2 Infineon Technologies IPB100N04S2L-03ATMA2 2.0900
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 ECAD 17 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 3.3m옴 @ 80A, 10V 2V @ 250μA 230nC @ 10V ±20V 6000pF @ 25V - 300W(Tc)
DD89N14KKHPSA1 Infineon Technologies DD89N14KKHPSA1 -
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 ECAD 4590 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 방역 POW-R-BLOK™ 모듈 기준 POW-R-BLOK™ 모듈 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 15 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍 직렬 연결 1400V 89A 1.5V @ 300A 1400V에서 20mA 150°C
IRFR3103TRR Infineon Technologies IRFR3103TRR -
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 ECAD 7563 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 400V 1.7A(타) 10V 3.6옴 @ 1A, 10V 4V @ 250μA 12nC @ 10V ±20V 25V에서 170pF - 2.5W(Ta), 25W(Tc)
IRG4BC30W-STRRP Infineon Technologies IRG4BC30W-STRRP -
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 ECAD 9699 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BC30 기준 100W D2PAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001540364 EAR99 8541.29.0095 800 480V, 12A, 23옴, 15V - 600V 23A 92A 2.7V @ 15V, 12A 130μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐) 51nC 25ns/99ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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