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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 - 최대 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 짐 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
AUIRFU3607 Infineon Technologies auirfu3607 -
RFQ
 ECAD 3401 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001520676 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 56A (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10V 4V @ 100µa 84 NC @ 10 v ± 20V 3070 pf @ 50 v - 140W (TC)
IPP65R660CFDXKSA1 Infineon Technologies IPP65R660CFDXKSA1 -
RFQ
 ECAD 4478 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 6A (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 200µA 22 nc @ 10 v ± 20V 615 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
TT92N12KOF Infineon Technologies TT92N12KOF 56.7300
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3845-TT92N12KOF 귀 99 1 200 MA 1.2kV 1.4 v 2 scrs
AUIRF7303QTR Infineon Technologies auirf7303qtr -
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIRF7103 MOSFET (금속 (() 2.4W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521078 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 5.3A 50mohm @ 2.7a, 10V 3V @ 100µa 21NC @ 10V 515pf @ 25V 논리 논리 게이트
IPP80N06S4L07AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S4L07AKSA1 -
RFQ
 ECAD 6646 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 40µA 75 NC @ 10 v ± 16V 5680 pf @ 25 v - 79W (TC)
BS0615N Infineon Technologies BS0615N -
RFQ
 ECAD 8721 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
IRF7805ZTRPBF Infineon Technologies IRF7805ZTRPBF 1.0200
RFQ
 ECAD 9600 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7805 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 16a, 10V 2.25V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 2080 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies IPB014N06NATMA1 4.6100
RFQ
 ECAD 6721 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB014 MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 34A (TA), 180A (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10V 2.8V @ 143µA 106 NC @ 10 v ± 20V 7800 pf @ 30 v - 3W (TA), 214W (TC)
BC 846B E6327 Infineon Technologies BC 846B E6327 -
RFQ
 ECAD 5419 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 846 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
DD340N22STIMHPSA1 Infineon Technologies DD340N22STIMHPSA1 116.9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 BG-PB50SB-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 짐 1 연결 연결 시리즈 2200 v 330a 1.31 V @ 800 a 1 ma @ 2200 v 130 ° C
BSP316PL6327 Infineon Technologies BSP316PL6327 1.0000
RFQ
 ECAD 5758 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 680MA (TA) 4.5V, 10V 1.8ohm @ 680ma, 10V 2V @ 170µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 146 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IGCM04F60HAXKMA1 Infineon Technologies IGCM04F60HAXKMA1 -
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 인피온 인피온 CIPOS ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 24-powerdip ip (1.028 ", 26.10mm) IGBT 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 280 3 단계 4 a 600 v 2000VRMS
IPS60R600PFD7SAKMA1 Infineon Technologies IPS60R600PFD7SAKMA1 1.1000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPS60R600 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 6A (TC) 10V 600mohm @ 1.7a, 10V 4.5V @ 80µA 8.5 NC @ 10 v ± 20V 344 pf @ 400 v - 31W (TC)
BAR9002LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies Bar9002LRHE6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 3257 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SOD-882 Bar9002 PG-TSLP-2-7 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 100 MA 250 MW 0.35pf @ 1v, 1MHz 핀 - 단일 80V 800mohm @ 10ma, 100mhz
BAT1706WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAT1706WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 BAT1706 PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 130 MA 150 MW 0.75pf @ 0V, 1MHz Schottky -1 1 공통 양극 4V 15ohm @ 5ma, 10khz
BAT 62-09S E6327 Infineon Technologies 박쥐 62-09S E6327 -
RFQ
 ECAD 9017 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BAT62 PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 20 MA 100MW 0.6pf @ 0V, 1MHz Schottky -2 2 40V -
BAR 88-02V E6127 Infineon Technologies 막대 88-02V E6127 -
RFQ
 ECAD 3388 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 막대 88 PG-SC79-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 16,000 100 MA 250 MW 0.4pf @ 1v, 1MHz 핀 - 단일 80V 600mohm @ 10ma, 100mhz
BAR8902LRHE6433XTMA1 Infineon Technologies BAR8902LRHE6433XTMA1 -
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SOD-882 BAR8902LRHE PG-TSLP-2-7 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 50,000 100 MA 250 MW 0.35pf @ 1v, 1MHz 핀 - 단일 80V 1.5ohm @ 10ma, 100MHz
BAR161E6327HTSA1 Infineon Technologies BAR161E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAR161 PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 140 MA 250 MW 0.5pf @ 50V, 1MHz 핀 -1 쌍 1 양극 100V 12ohm @ 10ma, 100MHz
BAR6304WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAR6304WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 BAR6304 PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 100 MA 250 MW 0.3pf @ 5V, 1MHz 핀 -1 쌍 1 연결 50V 1ohm @ 10ma, 100mhz
BAR6405WE6327BTSA1 Infineon Technologies BAR6405WE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 BAR6405 PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 100 MA 250 MW 0.35pf @ 20V, 1MHz 핀 -1 쌍의 1 캐소드 150V 1.35ohm @ 100ma, 100mhz
BAR 50-02V E6327 Infineon Technologies 50-02V E6327 -
RFQ
 ECAD 2974 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 50 PG-SC79-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 100 MA 250 MW 0.4pf @ 5V, 1MHz 핀 - 단일 50V 4.5ohm @ 10ma, 100MHz
BA 892-02V E6433 Infineon Technologies BA 892-02V E6433 -
RFQ
 ECAD 9143 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 BA 892 PG-SC79-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 100 MA 1.1pf @ 3v, 1MHz 표준 - 단일 35V 500mohm @ 10ma, 100mhz
BB545E7904HTSA1 Infineon Technologies BB545E7904HTSA1 -
RFQ
 ECAD 1104 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BB545 PG-SOD323-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 2.2pf @ 28V, 1MHz 하나의 30 v 11 C1/C28 -
BAR6302LE6327XTMA1 Infineon Technologies Bar6302LE6327XTMA1 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) SOD-882 BAR6302 PG-TSLP-2-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 100 MA 250 MW 0.3pf @ 5V, 1MHz 핀 - 단일 50V 1ohm @ 10ma, 100mhz
BAR 65-02V E6327 Infineon Technologies 막대 65-02V E6327 -
RFQ
 ECAD 2642 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 막대 65 PG-SC79-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 100 MA 250 MW 0.8pf @ 3V, 1MHz 핀 - 단일 30V 900mohm @ 10ma, 100mhz
BAR66E6327HTSA1 Infineon Technologies Bar66E6327HTSA1 0.4500
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 바 66 PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 200 MA 250 MW 0.6pf @ 35V, 1MHz 핀 -1 쌍 1 연결 150V 1.8ohm @ 5ma, 100mhz
BAR 90-099LRH E6327 Infineon Technologies Bar 90-099LRH E6327 -
RFQ
 ECAD 8927 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 4-xfdfn bar90 PG-TSLP-4-7 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 100 MA 250 MW 0.35pf @ 1v, 1MHz 핀 -2 독립 80V 800mohm @ 10ma, 100mhz
BAT1704WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAT1704WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 4494 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 BAT1704 PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 130 MA 150 MW 0.75pf @ 0V, 1MHz Schottky -1 1 시리즈 연결 4V 15ohm @ 5ma, 10khz
BAT6207WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAT6207WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SC-82A, SOT-343 BAT6207 PG-SOT343-4-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 20 MA 100MW 0.6pf @ 0V, 1MHz Schottky -2 2 40V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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