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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 - 최대 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 @ if, f | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) | 커패시턴스 커패시턴스 | 커패시턴스 커패시턴스 조건 | Q @ vr, f |
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![]() | BTS131E3045 란마 1 | 7.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Tempfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 50 v | 25A (TC) | 4.5V | 60mohm @ 12a, 4.5v | 2.5V @ 1mA | ± 10V | 1400 pf @ 25 v | - | 75W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP065N03LG | 0.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 15 v | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | spp07n65c3in | 1.0000 | ![]() | 6317 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 650 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTS112AE3045 란트 마 1 | - | ![]() | 1977 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Tempfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 12A (TC) | 10V | 150ohm @ 7.5a, 10V | 3.5V @ 1mA | ± 20V | 480 pf @ 25 v | - | 40W | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BTS282ZE3180A | - | ![]() | 6890 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Tempfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 49 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 36a, 10V | 2V @ 240µA | 232 NC @ 10 v | ± 20V | 4800 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BSF024N03LT3G | 0.5100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | MOSFET (금속 (() | mg-wdson-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA), 106A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 15 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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