SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies IPB80N06S2H5ATMA2 4.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 5.2mohm @ 80a, 10V 4V @ 230µA 155 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 25 v - 300W (TC)
FP40R12KE3BPSA1 Infineon Technologies FP40R12KE3BPSA1 118.4600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 smartpim1 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP40R12 210 W. 3 정류기 정류기 브리지 Ag-ECONO2C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 55 a 2.15V @ 15V, 40A 1 MA 2.5 NF @ 25 v
AIDK16S65C5ATMA1 Infineon Technologies AIDK16S65C5ATMA1 4.2744
RFQ
ECAD 2438 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Coolsic ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AIDK16 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky PG-to263-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 16 a 0 ns 90 µa @ 650 v -40 ° C ~ 175 ° C 16A 483pf @ 1v, 1MHz
SMBTA56E6327 Infineon Technologies SMBTA56E6327 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 6,709 80 v 500 MA 100NA PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
IPT029N08N5ATMA1 Infineon Technologies IPT029N08N5ATMA1 3.9700
RFQ
ECAD 8692 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT029 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 52A (TA), 169A (TC) 6V, 10V 2.9mohm @ 150a, 10V 3.8V @ 108µA 87 NC @ 10 v ± 20V 6500 pf @ 40 v - 168W (TC)
IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R160C6FKSA1 5.5200
RFQ
ECAD 1846 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R160 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 23.8A (TC) 10V 160mohm @ 11.3a, 10V 3.5V @ 750µA 75 NC @ 10 v ± 20V 1660 pf @ 100 v - 176W (TC)
IPLK80R600P7ATMA1 Infineon Technologies IPLK80R600P7ATMA1 1.9400
RFQ
ECAD 3046 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powertdfn IPLK80 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 - 800 v - - - - ± 20V - -
BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC500N20NS3GATMA1 2.2400
RFQ
ECAD 3221 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC500 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 200 v 24A (TC) 10V 50mohm @ 22a, 10V 4V @ 60µA 15 nc @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 100 v - 96W (TC)
IRFU3709Z-701P Infineon Technologies IRFU3709Z-701p -
RFQ
ECAD 6903 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 86A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 2.25V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 20V 2330 pf @ 15 v - 79W (TC)
SDB06S60 Infineon Technologies SDB06S60 -
RFQ
ECAD 3891 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™+ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SDB06 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky PG-to220-3-45 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 600 v 1.7 V @ 6 a 0 ns 200 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 300pf @ 0V, 1MHz
AUIRFR2405 Infineon Technologies AUIRFR2405 -
RFQ
ECAD 1901 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001522238 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 16mohm @ 34a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2430 pf @ 25 v - 110W (TC)
AUIRFS4310 Infineon Technologies AUIRFS4310 -
RFQ
ECAD 9462 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 7670 pf @ 50 v - 300W (TC)
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 115.8100
RFQ
ECAD 9526 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 쟁반 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 DF11MR12 MOSFET (금속 (() - Ag-Easy1b - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 - 1200V (1.2kv) - - - - - -
IPI65R380C6XKSA1 Infineon Technologies IPI65R380C6XKSA1 2.8900
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI65R380 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 10.6A (TC) 10V 380mohm @ 3.2a, 10V 3.5V @ 320µA 39 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 100 v - 83W (TC)
IPD035N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPD035N06L3GATMA1 -
RFQ
ECAD 3347 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD035N MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 90a, 10V 2.2V @ 93µA 79 NC @ 4.5 v ± 20V 13000 pf @ 30 v - 167W (TC)
IRFR2607Z Infineon Technologies IRFR2607Z -
RFQ
ECAD 5583 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR2607Z 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 22mohm @ 30a, 10V 4V @ 50µA 51 NC @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 25 v - 110W (TC)
IPC90N04S5L3R3ATMA1 Infineon Technologies IPC90N04S5L3R3ATMA1 1.3700
RFQ
ECAD 1677 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPC90N04 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 45a, 10V 2V @ 23µA 40 nc @ 10 v ± 16V 2145 pf @ 25 v - 62W (TC)
IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies IPA65R190C7XKSA1 3.4900
RFQ
ECAD 8562 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 8A (TC) 10V 190mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 290µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 400 v - 30W (TC)
SPP08N80C3XK Infineon Technologies spp08n80c3xk -
RFQ
ECAD 8017 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp08n MOSFET (금속 (() PG-to220-3 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP000013704 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10V 3.9V @ 470µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 104W (TC)
IRFC3306EB Infineon Technologies IRFC3306EB -
RFQ
ECAD 5606 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
IPP65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies IPP65R310CFDXKSA1 1.7439
RFQ
ECAD 3542 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R310 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11.4A (TC) 10V 310mohm @ 4.4a, 10V 4.5V @ 440µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 104.2W (TC)
IRF6678TR1PBF Infineon Technologies irf6678tr1pbf -
RFQ
ECAD 2441 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 30A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 30A, 10V 2.25V @ 250µA 65 NC @ 4.5 v ± 20V 5640 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRF7304PBF Infineon Technologies IRF7304PBF -
RFQ
ECAD 3122 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001561936 귀 99 8541.29.0095 95 2 p 채널 (채널) 20V 4.3A 90mohm @ 2.2a, 4.5v 700MV @ 250µA 22NC @ 4.5V 610pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFH5250TRPBF Infineon Technologies IRFH5250TRPBF 1.8000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRFH5250 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 25 v 45A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 50a, 10V 2.35V @ 150µA 110 NC @ 10 v ± 20V 7174 pf @ 13 v - 3.6W (TA), 160W (TC)
IRF7805ZGTRPBF Infineon Technologies IRF7805ZGTRPBF -
RFQ
ECAD 8336 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 16a, 10V 2.25V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 2080 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKQ140N120CH7XKSA1 19.9000
RFQ
ECAD 215 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKQ140 기준 962 w PG-to247-3-U01 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - 144 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 175 a 560 a 2.15V @ 15V, 140A 8.84mj (on), 3.38mj (OFF) 970 NC 68ns/541ns
AUIRFZ44NS Infineon Technologies auirfz44ns -
RFQ
ECAD 8813 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521658 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 17.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
IRF6721STRPBF Infineon Technologies IRF6721STPBF -
RFQ
ECAD 3333 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 14A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 14a, 10V 2.4V @ 25µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1430 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies IPB029N06N3GE8187ATMA1 2.6200
RFQ
ECAD 6760 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB029 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 118µA 165 NC @ 10 v ± 20V 13000 pf @ 30 v - 188W (TC)
IRLR7811WCPBF Infineon Technologies IRLR7811WCPBF -
RFQ
ECAD 2739 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 64A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ± 12V 2260 pf @ 15 v - 71W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고