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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IRFH5250TRPBF Infineon Technologies IRFH5250TRPBF 1.8000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRFH5250 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 25 v 45A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 50a, 10V 2.35V @ 150µA 110 NC @ 10 v ± 20V 7174 pf @ 13 v - 3.6W (TA), 160W (TC)
IRF7805ZGTRPBF Infineon Technologies IRF7805ZGTRPBF -
RFQ
 ECAD 8336 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 16a, 10V 2.25V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 2080 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKQ140N120CH7XKSA1 19.9000
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKQ140 기준 962 w PG-to247-3-U01 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - 144 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 175 a 560 a 2.15V @ 15V, 140A 8.84mj (on), 3.38mj (OFF) 970 NC 68ns/541ns
AUIRFZ44NS Infineon Technologies auirfz44ns -
RFQ
 ECAD 8813 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521658 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 17.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
IRF6721STRPBF Infineon Technologies IRF6721STPBF -
RFQ
 ECAD 3333 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 14A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 14a, 10V 2.4V @ 25µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1430 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRLR7811WCPBF Infineon Technologies IRLR7811WCPBF -
RFQ
 ECAD 2739 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 64A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ± 12V 2260 pf @ 15 v - 71W (TC)
IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies IPD90N03S4L02ATMA1 2.5300
RFQ
 ECAD 7660 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 90A, 10V 2.2V @ 90µA 140 NC @ 10 v ± 16V 9750 pf @ 25 v - 136W (TC)
FZ1200R17HP4B2BOSA2 Infineon Technologies FZ1200R17HP4B2BOSA2 962.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ1200 7800 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 반 반 트렌치 트렌치 정지 1700 v 1200 a 2.25V @ 15V, 1200A 5 MA 아니요 97 NF @ 25 v
BC860CWE6327 Infineon Technologies BC860CWE6327 0.0200
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IDH02G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH02G65C5XKSA2 1.8700
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™+ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 IDH02G65 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky PG-to220-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 2 a 0 ns -55 ° C ~ 175 ° C 2A 70pf @ 1v, 1MHz
IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies IPU95R750P7AKMA1 2.1600
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU95R750 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 950 v 9A (TC) 10V 750mohm @ 4.5a, 10V 3.5V @ 220µA 23 nc @ 10 v ± 20V 712 pf @ 400 v - 73W (TC)
IPT60R035CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT60R035CFD7XTMA1 13.7500
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT60R035 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 67A (TC) 10V 35mohm @ 24.9a, 10V 4.5V @ 1.25ma 109 NC @ 10 v ± 20V 4354 pf @ 400 v - 351W (TC)
BSZ0904NSIATMA1 Infineon Technologies BSZ0904NSITMA1 1.0500
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ0904 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 18A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1463 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 2.1W (TA), 37W (TC)
IRFSL23N20D102P Infineon Technologies IRFSL23N20D102P -
RFQ
 ECAD 6325 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 24A (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10V 5.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1960 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 170W (TC)
SPP100N04S2-04 Infineon Technologies SPP100N04S2-04 -
RFQ
 ECAD 2189 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp100n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.6mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 172 NC @ 10 v ± 20V 7220 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRL80HS120 Infineon Technologies IRL80HS120 1.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IRL80HS120 MOSFET (금속 (() 6-pqfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 80 v 12.5A (TC) 4.5V, 10V 32MOHM @ 7.5A, 10V 2V @ 10µA 7 NC @ 4.5 v ± 20V 540 pf @ 25 v - 11.5W (TC)
FF1MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF1MR12KM1HHPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 3974 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 FF1MR12 - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 10 -
IRF5802TRPBF Infineon Technologies IRF5802TRPBF 0.6900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 IRF5802 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 900MA (TA) 10V 1.2ohm @ 540ma, 10V 5.5V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 30V 88 pf @ 25 v - 2W (TA)
DZ1070N22KHPSA3 Infineon Technologies DZ1070N22KHPSA3 516.2600
RFQ
 ECAD 7807 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 DZ1070 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 2200 v 1.11 v @ 3000 a 150 ma @ 2200 v -40 ° C ~ 150 ° C 1100A -
BC847BWE6327 Infineon Technologies BC847BWE6327 0.0200
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 250 MW PG-SOT323-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BAS7004SE6327HTSA1 Infineon Technologies BAS7004SE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 3852 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BAS7004 Schottky PG-SOT363-6-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 100 ps 100 na @ 50 v 150 ° C (°)
IPS80R750P7AKMA1 Infineon Technologies IPS80R750P7AKMA1 0.8162
RFQ
 ECAD 2781 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPS80R750 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 750mohm @ 2.7a, 10V 3.5V @ 140µA 17 nc @ 10 v ± 20V 460 pf @ 500 v - 51W (TC)
ACCESSORY27614NOSA1 Infineon Technologies Accessory27614NOSA1 -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 액세서리 2 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
IM393L6E3XKLA1 Infineon Technologies IM393L6E3XKLA1 -
RFQ
 ECAD 2432 0.00000000 인피온 인피온 CIPOS ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 35-powerdip ower (0.866 ", 22.00mm), 30 개의 리드 IGBT 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001786902 귀 99 8542.39.0001 15 3 상 인버터 15 a 600 v 2000VRMS
DR11242732NDSA1 Infineon Technologies DR11242732NDSA1 -
RFQ
 ECAD 1703 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
IPW60R299CPFKSA1 Infineon Technologies IPW60R299CPFKSA1 -
RFQ
 ECAD 2413 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10V 3.5V @ 440µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 96W (TC)
IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103trpbfxtma1 0.3972
RFQ
 ECAD 6902 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2W (TA) PG-DSO-8-902 - Rohs3 준수 448-irf7103trpbfxtma1tr 4,000 2 n 채널 50V 3A (TA) 130mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 30NC @ 10V 290pf @ 25V 기준
IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410trpbf 1.7700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR5410 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 13A (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 25 v - 66W (TC)
AUIRLR024N Infineon Technologies auirlr024n -
RFQ
 ECAD 9060 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001523060 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 17A (TC) 4V, 10V 65mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 15 nc @ 5 v ± 16V 480 pf @ 25 v - 45W (TC)
IPA023N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies IPA023N04NM3SXKSA1 -
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 - IPA023 - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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