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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DD89N12KHPSA1 Infineon Technologies DD89N12KHPSA1 114.8300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 DD89N12 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 짐 1 음극 음극 공통 1200 v 89a 1.5 V @ 300 a 20 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C
IPP47N10S33AKSA1 Infineon Technologies IPP47N10S33AKSA1 -
RFQ
 ECAD 7171 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP47N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 47A (TC) 10V 33mohm @ 33a, 10V 4V @ 2MA 105 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 175W (TC)
BSP322PL6327 Infineon Technologies BSP322PL6327 -
RFQ
 ECAD 9707 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 1A (TC) 4.5V, 10V 800mohm @ 1a, 10V 1V @ 380µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 372 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
SPD50N03S207GBTMA1 Infineon Technologies SPD50N03S207GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 8062 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD50N MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 50A (TC) 10V 7.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 85µA 46.5 nc @ 10 v ± 20V 2170 pf @ 25 v - 136W (TC)
DD340N22STIMHPSA1 Infineon Technologies DD340N22STIMHPSA1 116.9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 BG-PB50SB-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 짐 1 연결 연결 시리즈 2200 v 330a 1.31 V @ 800 a 1 ma @ 2200 v 130 ° C
BC 846B E6327 Infineon Technologies BC 846B E6327 -
RFQ
 ECAD 5419 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 846 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
FF800R17KF6CB2NOSA2 Infineon Technologies FF800R17KF6CB2NOSA2 -
RFQ
 ECAD 1023 0.00000000 인피온 인피온 IHM-A 쟁반 쓸모없는 FF800R17 - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2 - - -
BSP316PL6327 Infineon Technologies BSP316PL6327 1.0000
RFQ
 ECAD 5758 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 680MA (TA) 4.5V, 10V 1.8ohm @ 680ma, 10V 2V @ 170µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 146 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IPP80P03P405AKSA1 Infineon Technologies IPP80P03P405AKSA1 -
RFQ
 ECAD 8112 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80p MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 30 v 80A (TC) 10V 5MOHM @ 80A, 10V 4V @ 253µA 130 NC @ 10 v ± 20V 10300 pf @ 25 v - 137W (TC)
IMT65R163M1HXUMA1 Infineon Technologies IMT65R163M1HXUMA1 7.7100
RFQ
 ECAD 1981 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-Powersfn sicfet ((카바이드) PG-HSOF-8-1 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 - 650 v - 18V - - - - -
BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC050NE2LSATMA1 0.9600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC050 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 39A (TA), 58A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 12 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies IPD025N06NATMA1 2.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD025 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 90A (TC) 6V, 10V 2.5mohm @ 90a, 10V 2.8V @ 95µA 71 NC @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 30 v - 3W (TA), 167W (TC)
IPS06N03LZ G Infineon Technologies IPS06N03LZ g -
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPS06N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 30a, 10V 2V @ 40µA 22 nc @ 5 v ± 20V 2653 pf @ 15 v - 83W (TC)
IPS60R600PFD7SAKMA1 Infineon Technologies IPS60R600PFD7SAKMA1 1.1000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPS60R600 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 6A (TC) 10V 600mohm @ 1.7a, 10V 4.5V @ 80µA 8.5 NC @ 10 v ± 20V 344 pf @ 400 v - 31W (TC)
IRF8302MTR1PBF Infineon Technologies IRF8302MTR1PBF -
RFQ
 ECAD 5624 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX IRF8302 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 31A (TA), 190a (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 31a, 10V 2.35V @ 150µA 53 NC @ 4.5 v ± 20V 6030 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 104W (TC)
IPW50R299CP Infineon Technologies IPW50R299CP 1.3600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10V 3.5V @ 440µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1190 pf @ 100 v - 104W (TC)
SIDC07D60E6X1SA3 Infineon Technologies SIDC07D60E6X1SA3 -
RFQ
 ECAD 6662 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 주사위 SIDC07D60 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 600 v 1.25 V @ 15 a 27 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
IRFR13N20DTRLP Infineon Technologies irfr13n20dtrlp -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 13A (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10V 5.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 830 pf @ 25 v - 110W (TC)
BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC190N15NS3GATMA1 3.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC190 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 150 v 50A (TC) 8V, 10V 19mohm @ 50a, 10V 4V @ 90µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2420 pf @ 75 v - 125W (TC)
IPL65R725CFDAUMA1 Infineon Technologies IPL65R725CFDAUMA1 -
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL65R MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000949266 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 5.8A (TC) 10V 725mohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 200µA 20 nc @ 10 v ± 20V 615 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
IRF7420TR Infineon Technologies IRF7420TR -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 12 v 11.5A (TC) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 11.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 38 NC @ 4.5 v ± 8V 3529 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
BFP540 Infineon Technologies BFP540 -
RFQ
 ECAD 1031 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1
D1301SH45TXPSA1 Infineon Technologies D1301SH45TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 3110 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 섀시 섀시 do-200ae D1301SH45 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 짐 4500 v 4.3 v @ 2500 a 150 ma @ 4500 v 0 ° C ~ 140 ° C 1740a -
D251N08BXPSA1 Infineon Technologies D251N08BXPSA1 -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 D251N 기준 - 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 800 v 30 ma @ 800 v -40 ° C ~ 180 ° C 255A -
T930S16TFB Infineon Technologies T930S16TFB -
RFQ
 ECAD 3145 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.30.0080 1
IRFR3706CTRLPBF Infineon Technologies irfr3706ctrlpbf -
RFQ
 ECAD 3370 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 12V 2410 pf @ 10 v - 88W (TC)
BSC014N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC014N03LSGATMA1 -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 34A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 131 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 139W (TC)
D1050N12TXPSA1 Infineon Technologies D1050N12TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 5213 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK D1050N 기준 - 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1200 v 1 V @ 1000 a 60 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 1050a -
BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS214NH6327XTSA1 0.4100
RFQ
 ECAD 389 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS214 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 140mohm @ 1.5a, 4.5v 1.2V @ 3.7µA 0.8 nc @ 5 v ± 12V 143 pf @ 10 v - 500MW (TA)
FS380R12A6T4BBPSA1 Infineon Technologies FS380R12A6T4BBPSA1 882.0000
RFQ
 ECAD 4934 0.00000000 인피온 인피온 Hybridpack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS380R12 870 W. 기준 Ag-Hybridd-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 380 a 1.95V @ 15V, 250A 1 MA 예 19 nf @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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