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불연속 불연속 제품 (16626)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) scrs, 수 다이오드 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IM240M6Y1BAKSA1 Infineon Technologies IM240M6Y1BAKSA1 -
RFQ
 ECAD 8188 0.00000000 인피온 인피온 IM240-M6, CIPOS ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 23-DIP 0. (0.573 ", 14.55mm) IGBT IM240M6 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 15 3 상 인버터 4 a 600 v 1900vrms
IRF630NSTRR Infineon Technologies irf630nstrr -
RFQ
 ECAD 7738 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 9.3A (TC) 10V 300mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 575 pf @ 25 v - 82W (TC)
IRF6810STR1PBF Infineon Technologies irf6810str1pbf -
RFQ
 ECAD 8121 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 16A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 16a, 10V 25µa @ 2.1v 11 NC @ 4.5 v ± 16V 1038 pf @ 13 v - 2.1W (TA), 20W (TC)
IRFR3303TR Infineon Technologies irfr3303tr -
RFQ
 ECAD 1854 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001572808 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 33A (TC) 10V 31mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 750 pf @ 25 v - 57W (TC)
TD590N18KOFXPSA1 Infineon Technologies TD590N18KOFXPSA1 275.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 TD590 - 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 2
BDP950E6327HTSA1 Infineon Technologies BDP950E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BDP950 5 w PG-SOT223-4-10 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 100MHz
SPD11N10 Infineon Technologies spd11n10 -
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 spd11n MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 10.5A (TC) 10V 170mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 21µA 18.3 NC @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFSL23N15DPBF Infineon Technologies IRFSL23N15DPBF -
RFQ
 ECAD 4113 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFSL23N15DPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 23A (TC) 10V 90mohm @ 14a, 10V 5.5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 136W (TC)
IRF7805TRPBF Infineon Technologies IRF7805TRPBF -
RFQ
 ECAD 7467 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V 11mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 31 NC @ 5 v ± 12V - 2.5W (TA)
ICA22V13X1SA1 Infineon Technologies ICA22V13X1SA1 -
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001174082 쓸모없는 0000.00.0000 1
TT60N16SOFHPSA1 Infineon Technologies TT60N16SOFHPSA1 35.4000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 TT60N16 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 12 250 MA 1.6kV 90 a 2.5 v 1500A @ 50Hz 100 MA 55 a 2 scrs
FS20R06XE3BOMA1 Infineon Technologies FS20R06XE3BOMA1 -
RFQ
 ECAD 2136 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 쓸모없는 FS20R06 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 20
BSS87L6327HTSA1 Infineon Technologies BSS87L6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() PG-SOT89 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 260MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 260ma, 10V 1.8V @ 108µA 5.5 nc @ 10 v ± 20V 97 pf @ 25 v - 1W (TA)
T901N35TOFXPSA1 Infineon Technologies T901N35TOFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 5482 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AC T901N35 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 4 300 MA 3.6kV 1480 a 2.5 v 19000a @ 50Hz 350 MA 1350 a 1 scr
BCR192WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR192WH6327XTSA1 0.0553
RFQ
 ECAD 8864 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR192 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 22 KOHMS 47 Kohms
T901N36TOFXPSA1 Infineon Technologies T901N36TOFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 5273 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AC T901N36 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 4 350 MA 3.6kV 29900 a 2.5 v 44000a @ 50Hz 350 MA 1900 a 1 scr
IRL540NSPBF Infineon Technologies IRL540NSPBF -
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 36A (TC) 4V, 10V 44mohm @ 18a, 10V 2V @ 250µA 74 NC @ 5 v ± 16V 1800 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 140W (TC)
BCW60FNE6393HTSA1 Infineon Technologies BCW60FNE6393HTSA1 -
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000010569 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 250MHz
BSB012N03LX3G Infineon Technologies BSB012N03LX3G 1.0000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-Wdson MOSFET (금속 (() Mg-Wdson-2, Canpak M ™ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 39A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 169 NC @ 10 v ± 20V 16900 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IPC60R3K3C6X1SA1 Infineon Technologies IPC60R3K3C6X1SA1 -
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 IPC60 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000868556 0000.00.0000 1 -
IRFZ44VZ Infineon Technologies IRFZ44VZ -
RFQ
 ECAD 2415 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ44VZ 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 57A (TC) 10V 12MOHM @ 34A, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 1690 pf @ 25 v - 92W (TC)
IRFZ44ESTRL Infineon Technologies IRFZ44ESTRL -
RFQ
 ECAD 9649 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001552444 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 48A (TC) 10V 23mohm @ 29a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1360 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRFSL7437PBF Infineon Technologies IRFSL7437pbf 2.1800
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL7437 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 195a (TC) 6V, 10V 1.8mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 150µA 225 NC @ 10 v ± 20V 7330 pf @ 25 v - 230W (TC)
IPP60R280CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R280CFD7XKSA1 2.9000
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R280 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 280mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 180µA 18 nc @ 10 v ± 20V 807 pf @ 400 v - 52W (TC)
IRF6609TR1 Infineon Technologies IRF6609TR1 -
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001529252 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 31A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 31A, 10V 2.45V @ 250µA 69 NC @ 4.5 v ± 20V 6290 pf @ 10 v - 1.8W (TA), 89W (TC)
IRFZ46ZLPBF Infineon Technologies IRFZ46ZLPBF -
RFQ
 ECAD 5226 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 51A (TC) 10V 13.6MOHM @ 31A, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 82W (TC)
IRL5602STRL Infineon Technologies IRL5602STRL -
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 20 v 24A (TC) 2.5V, 4.5V 42mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 8V 1460 pf @ 15 v - 75W (TC)
IRL8113 Infineon Technologies IRL8113 -
RFQ
 ECAD 5853 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL8113 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 105A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 20V 2840 pf @ 15 v - 110W (TC)
IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG65R107M1HXTMA1 9.0900
RFQ
 ECAD 3150 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ M1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA IMBG65R sicfet ((카바이드) PG-to263-7-12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 24A (TC) 18V 141mohm @ 8.9a, 18V 5.7v @ 2.6ma 15 nc @ 18 v +23V, -5V 496 pf @ 400 v - 110W (TC)
BC 807-25 B5003 Infineon Technologies BC 807-25 B5003 -
RFQ
 ECAD 6186 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 807 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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