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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | IRLR3105PBF | - | ![]() | 9652 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 25A (TC) | 5V, 10V | 37mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 16V | 710 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IRFH5301TR2PBF | - | ![]() | 5617 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | pqfn (5x6) 단일 다이 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 30 v | 35A (TA), 100A (TC) | 1.85mohm @ 50a, 10V | 2.35V @ 100µa | 77 NC @ 10 v | 5114 pf @ 15 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IPD50N03S207ATMA1 | 1.2033 | ![]() | 9728 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 10V | 7.3mohm @ 50a, 10V | 4V @ 85µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW 66kg E6433 | - | ![]() | 3156 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW 66 | 500MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 800 MA | 20NA (ICBO) | NPN | 450MV @ 50MA, 500MA | 160 @ 100MA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfc8408tr | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 800 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPT015N10NF2SATMA1 | 6.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 100 v | 35A (TA), 315A (TC) | 6V, 10V | 1.5mohm @ 150a, 10V | 3.8V @ 267µA | 242 NC @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IRF5852TR | - | ![]() | 2693 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | IRF58 | MOSFET (금속 (() | 960MW | 6TSOP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 2.7a | 90mohm @ 2.7a, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | 400pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | T3160N16TOFVTXPSA1 | 954.5400 | ![]() | 2469 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | do-200ae | T3160N16 | 하나의 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 MA | 1.8 kV | 7000 a | 2.5 v | 63000A @ 50Hz | 250 MA | 3160 a | 1 scr |
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