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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	구조	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
FP100R07N3E4B11BOSA1	199.5500	RFQ	7179	인피온 인피온	Econopim ™ 3	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FP100R07			335 w		기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	3 단계 인버터																													트렌치 트렌치 정지	650 v	100 a		1.95V @ 15V, 100A				1 MA	예	6.2 NF @ 25 v
FP50R12W2T7B11BOMA1	81.2400	RFQ	2	인피온 인피온	EasyPIM ™	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	FP50R12			20 MW		3 정류기 정류기 브리지	Ag-Easy2b-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15	3 단계 인버터																													트렌치 트렌치 정지	1200 v	50 a		1.5V @ 15V, 50A				8 µA	예	11.1 NF @ 25 v
RTN7735PL	5.2900	RFQ	388	인피온 인피온	*	대부분	활동적인											다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-RTN7735PL-448			57
IAUT165N08S5N029ATMA1	2.0503	RFQ	3982	인피온 인피온	Optimos ™ -5	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-Powersfn	IAUT165		MOSFET (금속 (()				PG-HSOF-8-1	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널			80 v	165A (TC)	6V, 10V	2.9mohm @ 80a, 10V	3.8V @ 108µA	90 NC @ 10 v	± 20V	6370 pf @ 40 v	-	167W (TC)
IKB40N65ES5ATMA1	5.0200	RFQ	500	인피온 인피온	TrenchStop ™ 5	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IKB40N65	기준		230 w			PG-to263-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000					400V, 40A, 10ohm, 15V																			73 ns						트렌치 트렌치 정지	650 v	79 a	160 a	1.74V @ 15V, 40A	860µJ (on), 400µJ (OFF)	95 NC	19ns/130ns
FP25R12W1T7PBPSA1	65.1200	RFQ	30	인피온 인피온	EasyPIM ™	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	FP25R12			20 MW		3 정류기 정류기 브리지	Ag-Easy1b	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30	3 단계 인버터																													트렌치 트렌치 정지	1200 v	25 a		-				5.6 µA	예	4.77 NF @ 25 v
IDK20G120C5XTMA1	13.0300	RFQ	2890	인피온 인피온	Coolsic ™+	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IDK20G120		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky				PG-to263-2-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)																				1200 v	1.8 V @ 20 a		123 µA @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	56A	1050pf @ 1v, 1MHz
irfr3708trlpbf	-	RFQ	8358	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()				D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널			30 v	61A (TC)	2.8V, 10V	12.5mohm @ 15a, 10V	2V @ 250µA	24 nc @ 4.5 v	± 12V	2417 pf @ 15 v	-	87W (TC)
T740N26TOFPRXOSA1	-	RFQ	9967	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, A-PUK	T740N				하나의			-		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	SP001645102	귀 99	8541.30.0080	1				300 MA												2.6kV	1500 a	2.2 v	13000a @ 50Hz	250 MA	745 a								1 scr
SPB21N10T	-	RFQ	3495	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SPB21N		MOSFET (금속 (()				PG-to263-3-2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000013626	귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			100 v	21A (TC)	10V	80mohm @ 15a, 10V	4V @ 44µA	38.4 NC @ 10 v	± 20V	865 pf @ 25 v	-	90W (TC)
BSP60E6327	0.1400	RFQ	31	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA				1.5 w			PG-SOT223-4-21	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0075	2,077																															45 v	1 a						10µA			pnp- 달링턴	1.8v @ 1ma, 1a	2000 @ 500ma, 10V	200MHz
IAUCN04S6N013TATMA1	1.5944	RFQ	7476	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인											-	Rohs3 준수			448-IAUCN04S6N013TATMA1TR			2,000
IRG4PC40SPBF	-	RFQ	6307	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		160 W.			TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25					480v, 31a, 10ohm, 15v																									-	600 v	60 a	120 a	1.5V @ 15V, 31A	450µJ (on), 6.5mj (OFF)	100 NC	22ns/650ns
IRF7807Z	-	RFQ	8488	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()				도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF7807Z	귀 99	8541.29.0095	95			n 채널			30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	13.8mohm @ 11a, 10V	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	± 20V	770 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
BCW60E6422HTMA1	-	RFQ	8339	인피온 인피온	*	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로											다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000010528		0000.00.0000	3,000
FZ1600R12KE3NOSA1	1.0000	RFQ	4564	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준				7800 w		기준	-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	단일 단일																													-	1200 v	2300 a		2.15V @ 15V, 1.6KA				5 MA	아니요	115 NF @ 25 v
FP25R12KT4BOSA1	1.0000	RFQ	9631	인피온 인피온	Econopim ™ 2	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FP25R12			160 W.		기준	기준 기준	다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	3 단계 인버터																													트렌치 트렌치 정지	1200 v	25 a		2.15V @ 15V, 25A				1 MA	예	1.45 NF @ 25 v
TZ400N24KOFHPSA1	-	RFQ	9538	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	TZ400N				하나의			다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3				300 MA												2.4kV	1050 a	2.2 v	13000a @ 50Hz	250 MA	670 a								1 scr
imic41v01x6sa2	-	RFQ	4062	인피온 인피온	*	대부분	쓸모없는											-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001280388	쓸모없는	0000.00.0000	1
IPP114N12N3GXKSA1	2.4300	RFQ	38	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP114		MOSFET (금속 (()				PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			120 v	75A (TC)	10V	11.4mohm @ 75a, 10V	4V @ 83µA	65 nc @ 10 v	± 20V	4310 pf @ 60 v	-	136W (TC)
IRFR3707PBF	-	RFQ	3784	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()				D-PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001573364	귀 99	8541.29.0095	75			n 채널			30 v	61A (TC)	4.5V, 10V	13mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	19 NC @ 4.5 v	± 20V	1990 pf @ 15 v	-	87W (TC)
SIGC03T60EX7SA1	-	RFQ	4915	인피온 인피온	TrenchStop ™	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SIGC03	기준					주사위	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1					-																									트렌치 트렌치 정지	600 v	4 a	12 a	1.9V @ 15V, 4A	-		-
IRF6611	-	RFQ	4494	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 MX			MOSFET (금속 (()				DirectFet ™ MX	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,800			n 채널			30 v	32A (TA), 150A (TC)	4.5V, 10V	2.6mohm @ 27a, 10V	2.25V @ 250µA	56 NC @ 4.5 v	± 20V	4860 pf @ 15 v	-	3.9W (TA), 89W (TC)
IKW75N65ES5XKSA1	7.7800	RFQ	3680	인피온 인피온	TrenchStop ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IKW75N65	기준		395 w			PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30					400V, 75A, 18ohm, 15V																			85 ns						도랑	650 v	80 a	300 a	1.75V @ 15V, 75A	2.4mj (on), 950µJ (OFF)	164 NC	40ns/144ns
BCR555E6433HTMA1	0.0838	RFQ	7802	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR555			330 MW			PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																															50 v	500 MA						100NA (ICBO)			pnp- 사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	70 @ 50MA, 5V	150MHz	2.2 Kohms	10 KOHMS
MMBT3904LT1HTSA1	0.3100	RFQ	44	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT3904			330 MW			PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																															40 v	200 MA						50NA (ICBO)			NPN	300mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
SIDC14D120H6X1SA1	-	RFQ	4194	인피온 인피온	-	대부분	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	주사위	SIDC14D120		기준				호일에 호일에	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		짐																				1200 v	1.6 V @ 25 a		27 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	25A	-
T590N18TOFXPSA1	-	RFQ	5427	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	DO-200AB, B-PUK	T590N				하나의			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1				300 MA												1.8 kV	1250 a	2.2 v	9400A @ 50Hz	250 MA	590 a								1 scr
irfr2407trpbf	1.6600	RFQ	6	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR2407		MOSFET (금속 (()				D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널			75 v	42A (TC)	10V	26mohm @ 25a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	110W (TC)
auirg4bc30u-s	-	RFQ	2312	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	auirg4	기준		100 W.			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001512140	귀 99	8541.29.0095	1,000					480v, 12a, 23ohm, 15v																									-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V, 12a	360µJ	50 NC	17ns/78ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²