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불연속 불연속 제품 (16626)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 노이즈 노이즈 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BC860BWH6327 Infineon Technologies BC860BWH6327 0.0400
RFQ
 ECAD 9665 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 250 MW PG-SOT323-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 6,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
D5810N06TVFXPSA1 Infineon Technologies D5810N06TVFXPSA1 436.3100
RFQ
 ECAD 5051 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 DO-200AC, K-PUK D5810N06 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4 짐 600 v 100 ma @ 600 v -40 ° C ~ 180 ° C 5800A -
IPW60R037CSFDXKSA1 Infineon Technologies IPW60R037CSFDXKSA1 11.7600
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFSD 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R037 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 54A (TC) 10V 37mohm @ 32.6a, 10V 4.5V @ 1.63ma 136 NC @ 10 v ± 20V 5623 pf @ 400 v - 245W (TC)
IRF7524D1TR Infineon Technologies IRF7524D1TR -
RFQ
 ECAD 8056 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MOSFET (금속 (() Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 20 v 1.7A (TA) 2.7V, 4.5V 270mohm @ 1.2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 8.2 NC @ 4.5 v ± 12V 240 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
BFP196E6327HTSA1 Infineon Technologies BFP196E6327HTSA1 0.5300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFP196 700MW PG-SOT-143-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10.5dB ~ 16.5dB 12V 150ma NPN 70 @ 50MA, 8V 7.5GHz 1.3dB ~ 2.3db @ 900MHz ~ 1.8GHz
BSB104N08NP3GXUSA1 Infineon Technologies BSB104N08NP3GXUSA1 0.6914
RFQ
 ECAD 7162 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-Wdson BSB104 MOSFET (금속 (() Mg-Wdson-2, Canpak M ™ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 13A (TA), 50A (TC) 10V 10A, 10A, 10V 3.5V @ 40µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 40 v - 2.8W (TA), 42W (TC)
BCX41E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX41E6327HTSA1 0.3600
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX41 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 125 v 800 MA 10µA NPN 900mv @ 30ma, 300ma 40 @ 200ma, 1v 100MHz
BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014NE2LSITMA1 1.7100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC014 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 33A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 12 v - 2.5W (TA), 74W (TC)
T740N24TOFXPSA1 Infineon Technologies T740N24TOFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 1848 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 DO-200AB, B-PUK T740N 하나의 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 300 MA 2.6kV 1500 a 2.2 v 13000a @ 50Hz 250 MA 745 a 1 scr
T2160N28TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T2160N28TOFVTXPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 9935 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 do-200ae T2160N28 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2 300 MA 2.8kV 4600 a 3 v 44000a @ 50Hz 300 MA 2400 a 1 scr
SKB15N60ATMA1 Infineon Technologies SKB15N60ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SKB15N 기준 139 w PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 15a, 21ohm, 15V 279 ns NPT 600 v 31 a 62 a 2.4V @ 15V, 15a 570µJ 76 NC 32ns/234ns
BFP196WE6327 Infineon Technologies BFP196WE6327 0.1400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 700MW PG-SOT343-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12.5dB ~ 19dB 12V 150ma NPN 70 @ 50MA, 8V 7.5GHz 1.3dB ~ 2.3db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRL3102S Infineon Technologies IRL3102S -
RFQ
 ECAD 2047 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3102S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 61A (TC) 4.5V, 7V 13mohm @ 37a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 58 NC @ 4.5 v ± 10V 2500 pf @ 15 v - 89W (TC)
PTFA191001EV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA19100101EV4XWSA1 -
RFQ
 ECAD 6731 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드 PTFA191001 1.96GHz LDMOS H-36248-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 10µA 900 MA 44dbm 17dB - 30 v
SGB15N60ATMA1 Infineon Technologies SGB15N60ATMA1 -
RFQ
 ECAD 3848 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SGB15N 기준 139 w PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 15a, 21ohm, 15V NPT 600 v 31 a 62 a 2.4V @ 15V, 15a 570µJ 76 NC 32ns/234ns
ISO3116I65HPSA1 Infineon Technologies ISO3116I65HPSA1 -
RFQ
 ECAD 6406 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
IRFR5410TR Infineon Technologies irfr5410tr -
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 13A (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 25 v - 66W (TC)
T830N16TOFXPSA1 Infineon Technologies T830N16TOFXPSA1 155.5900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 DO-200AB, B-PUK T830N16 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 9 300 MA 1.8 kV 1500 a 1.5 v 14500A @ 50Hz 250 MA 844 a 1 scr
BCR191E6327 Infineon Technologies BCR191E6327 0.0400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR191 200 MW PG-SOT23-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,013 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 200MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
IRFB61N15DPBF Infineon Technologies IRFB61N15DPBF -
RFQ
 ECAD 5668 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 60A (TC) 10V 32mohm @ 36a, 10V 5.5V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 30V 3470 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 330W (TC)
IPP80N04S2H4AKSA1 Infineon Technologies IPP80N04S2H4AKSA1 -
RFQ
 ECAD 1646 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 4mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 148 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 25 v - 300W (TC)
SPB80N03S2L-06 Infineon Technologies SPB80N03S2L-06 -
RFQ
 ECAD 3337 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 80a, 10V 2V @ 80µa 68 NC @ 10 v ± 20V 2530 pf @ 25 v - 150W (TC)
BUZ103SL-E3045A Infineon Technologies BUZ103SL-E3045A -
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 28A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10V 2V @ 50µA 50 nc @ 10 v -20V 960 pf @ 25 v - 75W (TC)
BAS116E6433 Infineon Technologies BAS116E6433 -
RFQ
 ECAD 6554 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 짐 80 v 1.25 V @ 150 mA 1.5 µs 5 na @ 75 v 150 ° C (°) 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
IRAMS10UP60B-2 Infineon Technologies IRAMS10UP60B-2 -
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 인피온 인피온 Imotion ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 23-powersip ip, 19 개의 리드, 형성 된 리드 IGBT 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001538798 귀 99 8542.39.0001 80 3 단계 10 a 600 v 2000VRMS
BF799E6327HTSA1 Infineon Technologies BF799E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BF799 280MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 20V 35MA NPN 40 @ 20MA, 10V 800MHz 3DB @ 100MHz
IRGB4086PBF Infineon Technologies IRGB4086PBF -
RFQ
 ECAD 4547 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 160 W. TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001546074 귀 99 8541.29.0095 50 196V, 25A, 10ohm 도랑 300 v 70 a 2.96V @ 15V, 120A - 65 NC 36ns/112ns
IRLR7833CTRRPBF Infineon Technologies IRLR7833CTRRPBF -
RFQ
 ECAD 6052 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 140A (TA) 4.5V, 10V - - ± 20V - 140W (TC)
BC807-25E6327 Infineon Technologies BC807-25E6327 0.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 200MHz
T920N02TOFXPSA1 Infineon Technologies T920N02TOFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 9282 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 140 ° C 클램프 클램프 DO-200AA, A-PUK T920N02 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 12 200 MA 600 v 1500 a 2 v 13500A @ 50Hz 200 MA 925 a 1 scr
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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