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불연속 불연속 제품 (16626)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies IPB80P03P4L04ATMA2 3.1200
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos®-P2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80p MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 30 v 80A (TC) 4.4mohm @ 80a, 10V 2V @ 253µA 160 nc @ 10 v +5V, -16V 11300 pf @ 25 v - 137W (TC)
IKWH70N65WR6XKSA1 Infineon Technologies IKWH70N65WR6XKSA1 5.8200
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 WR6 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKWH70N 기준 290 W. PG-to247-3-32 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 70A, 15ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 122 a 210 a 1.85V @ 15V, 70A 2.2mj (on), 1.07mj (OFF) 269 ​​NC 42ns/378ns
IPD65R600E6 Infineon Technologies IPD65R600E6 0.8200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 2,500 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 3.5V @ 210µA 23 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 63W (TC)
IRG4BC30K-S Infineon Technologies IRG4BC30K-S -
RFQ
 ECAD 8091 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 100 W. D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4BC30K-S 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 16A, 23OHM, 15V - 600 v 28 a 58 a 2.7V @ 15V, 16A 360µJ (on), 510µJ (OFF) 67 NC 26ns/130ns
IPP65R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPP65R190C6XKSA1 2.5242
RFQ
 ECAD 4303 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R190 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 20.2A (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 3.5V @ 730µA 73 NC @ 10 v ± 20V 1620 pf @ 100 v - 151W (TC)
IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies IPAN70R360P7SXKSA1 1.5700
RFQ
 ECAD 5036 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAN70 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 12.5A (TC) 10V 360mohm @ 3a, 10V 3.5V @ 150µA 16.4 NC @ 10 v ± 16V 517 pf @ 400 v - 26.5W (TC)
IRAM256-1567A Infineon Technologies IRAM256-1567A -
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 인피온 인피온 Imotion ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 29-powerssip 모듈, 21 개의 리드, 형성 된 리드 IGBT 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 80 3 단계 15 a 600 v 2000VRMS
IFF300B12N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies IFF300B12N2E4PB11BPSA1 272.3180
RFQ
 ECAD 7115 0.00000000 인피온 인피온 MIPAQ ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 IFF300 20 MW 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 2.1V @ 15V, 300A 1 MA 예 18.5 nf @ 25 v
IRF7326D2TRPBF Infineon Technologies IRF7326D2TRPBF 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 1.8a, 10V 1V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
IRFL4105 Infineon Technologies IRFL4105 -
RFQ
 ECAD 4829 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 55 v 3.7A (TA) 10V 45mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 1W (TA)
BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies BSC014N04LSTATMA1 2.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC014 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 33A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 6020 pf @ 20 v - 3W (TA), 115W (TC)
BCX71GE6327HTSA1 Infineon Technologies BCX71GE6327HTSA1 0.0529
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 120 @ 2MA, 5V 250MHz
BCW61CE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW61CE6327HTSA1 0.0529
RFQ
 ECAD 9295 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW61 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 250 @ 2MA, 5V 250MHz
IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies IPN80R2K0P7ATMA1 1.0100
RFQ
 ECAD 2051 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN80R2 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 3A (TC) 10V 2ohm @ 940ma, 10V 3.5V @ 50µA 9 NC @ 10 v ± 20V 175 pf @ 500 v - 6.4W (TC)
IPW60R070CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R070CFD7XKSA1 8.3100
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R070 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 31A (TC) 10V 70mohm @ 15.1a, 10V 4.5V @ 760µA 67 NC @ 10 v ± 20V 2721 pf @ 400 v - 156W (TC)
ISP25DP06LMXTSA1 Infineon Technologies ISP25DP06LMXTSA1 0.9400
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ISP25DP06 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 250mohm @ 1.9a, 10V 2V @ 270µA 13.9 NC @ 10 v ± 20V 420 pf @ 30 v - 1.8W (TA), 5W (TC)
IRF5805TR Infineon Technologies IRF5805TR -
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 98mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 511 pf @ 25 v - 2W (TA)
IPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R125C6ATMA1 6.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R125 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 125mohm @ 14.5a, 10V 3.5V @ 960µA 96 NC @ 10 v ± 20V 2127 pf @ 100 v - 219W (TC)
IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies IPD90N06S404ATMA2 2.3000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 3.8mohm @ 90a, 10V 4V @ 90µA 128 NC @ 10 v ± 20V 10400 pf @ 25 v - 150W (TC)
IFF450B12ME4S8PB11BPSA1 Infineon Technologies IFF450B12ME4S8PB11BPSA1 300.8067
RFQ
 ECAD 8849 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 IFF450 20 MW 기준 Ag- 에코 노드 -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 450 a 2.1V @ 15V, 450A 3 MA 예
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LBBPSA1 3.0000
RFQ
 ECAD 5938 0.00000000 인피온 인피온 Hybridpack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS03MR12 실리콘 실리콘 (sic) 20MW Ag-Hybridd-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 6 n 채널 (3 채널 교량) 1200V (1.2kv) 400A 3.7mohm @ 400a, 15V 5.55V @ 240ma 1320NC @ 15V 42500pf @ 600V -
BCR141E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR141E6433HTMA1 -
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR141 250 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 130MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
IRLR3715ZCTRLP Infineon Technologies IRLR3715ZCTRLP -
RFQ
 ECAD 1335 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 49A (TC) 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v 810 pf @ 10 v -
IRF7705GTRPBF Infineon Technologies IRF7705GTRPBF -
RFQ
 ECAD 1181 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 8A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 20V 2774 pf @ 25 v - 1.5W (TA)
IRFH7934TRPBF Infineon Technologies IRFH7934TRPBF 0.6561
RFQ
 ECAD 6322 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRFH7934 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 24A (TA), 76A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 24a, 10V 2.35V @ 50µA 30 nc @ 4.5 v ± 20V 3100 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
IRFR3708TRPBF Infineon Technologies irfr3708trpbf -
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 61A (TC) 2.8V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 12V 2417 pf @ 15 v - 87W (TC)
IKCM10H60HAXKMA1 Infineon Technologies ikcm10h60haxkma1 -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 인피온 인피온 CIPOS ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 24-powerdip ip (1.028 ", 26.10mm) IGBT 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 280 3 단계 10 a 600 v 2000VRMS
IPB60R250CP Infineon Technologies IPB60R250CP 1.4900
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10V 3.5V @ 520µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 100 v - 104W (TC)
IRG7PH35UPBF Infineon Technologies irg7ph35upbf -
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7ph 기준 210 W. TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001545868 귀 99 8541.29.0095 25 600V, 20A, 10ohm, 15V 도랑 1200 v 55 a 60 a 2.2V @ 15V, 20A 1.06mj (on), 620µJ (OFF) 85 NC 30ns/160ns
IPDQ60R022S7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ60R022S7XTMA1 16.4800
RFQ
 ECAD 1897 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ S7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op IPDQ60R MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IPDQ60R022S7XTMA1DKR 귀 99 8541.29.0095 750 n 채널 600 v 24A (TC) 12V 22mohm @ 23a, 12v 4.5V @ 1.44ma 150 nc @ 12 v ± 20V 5639 pf @ 300 v - 416W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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