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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | D251N16BXPSA1 | - | ![]() | 6082 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 스터드 스터드 | DO-205AA, DO-8, 스터드 | D251N | 기준 | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1600 v | 30 ma @ 1600 v | -40 ° C ~ 180 ° C | 255A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD75N04S406 | 1.0000 | ![]() | 6900 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 10V | 5.9mohm @ 75a, 10V | 4V @ 26µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 2550 pf @ 25 v | - | 58W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF3710ZS | - | ![]() | 9621 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRF3710 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 59A (TC) | 10V | 18mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP083N10N5AKSA1 | 1.9100 | ![]() | 2752 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP083 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 73A (TC) | 6V, 10V | 8.3mohm @ 73a, 10V | 3.8V @ 49µA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 2730 pf @ 50 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS7434PBF | - | ![]() | 6628 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001567780 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.6MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 324 NC @ 10 v | ± 20V | 10820 pf @ 25 v | - | 294W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRLR2905Z | - | ![]() | 9455 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001522326 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 36a, 10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 5 v | ± 16V | 1570 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB107N20N3GATMA1 | 8.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB107 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 88A (TC) | 10V | 10.7mohm @ 88a, 10V | 4V @ 270µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 7100 pf @ 100 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irg4cc50ub | - | ![]() | 6477 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 상자 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | 주사위 | IRG4CC | 표준 | 주사위 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 600 v | 55 a | 2V @ 15V, 10A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirlr024ztrl | - | ![]() | 9117 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 9.6a, 10V | 3V @ 250µA | 9.9 NC @ 5 v | ± 16V | 380 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA105N15N3GXKSA1 | 5.2200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA105 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 37A (TC) | 8V, 10V | 10.5mohm @ 37a, 10V | 4V @ 160µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 4300 pf @ 75 v | - | 40.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7477TRPBF | - | ![]() | 3683 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2710 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | imic22v02x6sa1 | - | ![]() | 4204 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001050128 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1200R17KP4B2NOSA2 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | IHM-B | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF1200 | 1400 w | 기준 | Ag-Prime2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 독립 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 1700 a | - | 5 MA | 아니요 | 98 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858CE6327HTSA1 | 0.0489 | ![]() | 9618 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auxmigp4063d | - | ![]() | 2315 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | auxmigp4063 | - | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001591248 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 400 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKU15N60R | 0.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | 기준 | 250 W. | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 15a, 15ohm, 15V | 110 ns | 도랑 | 600 v | 30 a | 45 a | 2.1V @ 15V, 15a | 900µJ | 90 NC | 16ns/183ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD30N03S4L09ATMA1 | 1.0600 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활성 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD30N03 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 9MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 13µA | 20 nc @ 10 v | ± 16V | 1520 pf @ 15 v | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R17ME4B11BOSA1 | - | ![]() | 5337 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econodual ™ 3 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF600R17 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 독립 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 2.3V @ 15V, 600A | 1 MA | 예 | 48 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPI100N08S2-07 | - | ![]() | 7810 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | SPI100N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 75 v | 100A (TA) | 10V | - | - | ± 20V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS100R12KS4BOSA1 | 366.2220 | ![]() | 5684 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS100R12 | 660 W. | 기준 | 모듈 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | - | 1200 v | 130 a | 3.7V @ 15V, 100A | 5 MA | 아니요 | 6.8 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS123 E6433 | - | ![]() | 8249 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 100 v | 170ma (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10V | 1.8V @ 50µA | 2.67 NC @ 10 v | ± 20V | 69 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD85P04P4L06ATMA1 | - | ![]() | 8190 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD85P04 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 85A (TC) | 4.5V, 10V | 6.4mohm @ 85a, 10V | 2.2V @ 150µA | 104 NC @ 10 v | ± 16V | 6580 pf @ 25 v | - | 88W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS07N70AKMA1 | - | ![]() | 1543 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | SS07N | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1851N70TS09XPSA1 | - | ![]() | 9895 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | TO-200AF | T1851N | 하나의 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000851548 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 350 MA | 7kv | 2880 a | 2.5 v | 50000A @ 50Hz | 350 MA | 2550 a | 1 scr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6636TR1 | - | ![]() | 8510 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 st | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ st | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 20 v | 18A (TA), 81A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 18a, 10V | 2.45V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2420 pf @ 10 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7469TRPBF | 1.3300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7469 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 9A (TA) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 9a, 10V | 3V @ 250µA | 23 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2000 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF300R17ME4B11BPSA1 | 270.2000 | ![]() | 4982 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econodual ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF300R17 | 1800 w | 기준 | Ag-Econod | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 독립 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 375 a | 2.3V @ 15V, 300A | 3 MA | 예 | 24.5 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL2505STRL | - | ![]() | 9173 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 104A (TC) | 4V, 10V | 8mohm @ 54a, 10V | 2V @ 250µA | 130 nc @ 5 v | ± 16V | 5000 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB06N03LAT | - | ![]() | 3811 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB06N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 30a, 10V | 2V @ 40µA | 22 nc @ 5 v | ± 20V | 2653 pf @ 15 v | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlhm630trpbf | 1.1000 | ![]() | 7487 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-vqfn q 패드 | irlhm630 | MOSFET (금속 (() | PQFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 21A (TA), 40A (TC) | 2.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 4.5v | 1.1V @ 50µA | 62 NC @ 4.5 v | ± 12V | 3170 pf @ 25 v | - | 2.7W (TA), 37W (TC) |
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