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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BCX6910H6327XTSA1	0.3105	RFQ	9069	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BCX6910			3 w		PG-SOT89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																																20 v	1 a						100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 100ma, 1a	85 @ 500ma, 1V	100MHz
IRL1404ZL	-	RFQ	3452	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRL1404ZL	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				40 v	75A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 75a, 10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 v	± 16V	5080 pf @ 25 v	-	230W (TC)
BCR523UE6327HTSA1	0.1621	RFQ	9175	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		표면 표면	SC-74, SOT-457	BCR523			330MW		PG-SC74-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																																50V	500ma						-	2 npn--바이어스 (듀얼)	300mv @ 2.5ma, 50ma	70 @ 50MA, 5V	100MHz	1kohms	10kohms
irg7ph35udpbf	-	RFQ	2310	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	irg7ph35	기준		180 w		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	400				600V, 20A, 10ohm, 15V																					105 ns						도랑	1200 v	50 a	60 a	2.2V @ 15V, 20A	1.06mj (on), 620µJ (OFF)	85 NC	30ns/160ns
DDB6U100N16RBOSA1	67.6000	RFQ	80	인피온 인피온	-	대부분	활동적인		섀시 섀시	기준 기준			기준			Ag-Econo2a	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐																						1600 v	1.55 V @ 100 a		5 ma @ 1600 v	150 ° C	104a	-
irg4ibc30wpbf	-	RFQ	1206	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		기준		45 W.		TO-220AB Full-Pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000				480v, 12a, 23ohm, 15v																											-	600 v	17 a	92 a	2.7V @ 15V, 12a	130µJ (on), 130µJ (OFF)	51 NC	25ns/99ns
IPB65R125C7ATMA2	2.9960	RFQ	9399	인피온 인피온	Coolmos ™ C7	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB65R125		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				650 v	18A (TC)	10V	125mohm @ 8.9a, 10V	4V @ 440µA	35 NC @ 10 v	± 20V	1670 pf @ 400 v	-	101W (TC)
ICA32V11X1SA1	-	RFQ	3724	인피온 인피온	*	대부분	쓸모없는										다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001141254	쓸모없는	0000.00.0000	1
IRGS4630DTRRPBF	-	RFQ	5052	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		206 w		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001534256	귀 99	8541.29.0095	800				400V, 18A, 22OHM, 15V																					100 ns						-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V, 18A	95µJ (on), 350µJ (OFF)	35 NC	40ns/105ns
BAT64-06E6327	1.0000	RFQ	6025	인피온 인피온	-	대부분	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT64		Schottky			PG-SOT23	다운로드					귀 99	8541.10.0070	1																						1 양극 양극 공통
IPD160N04LG	-	RFQ	8106	인피온 인피온	Optimos® 3	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	300		n 채널				40 v	30A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 30a, 10V	2V @ 10µA	15 nc @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 20 v	-	31W (TC)
irg4rc10k	-	RFQ	1822	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	irg4rc10k	기준		38 w		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRG4RC10K	귀 99	8541.29.0095	75				480V, 5A, 100ohm, 15V																											-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V, 5A	160µJ (on), 100µJ (OFF)	19 NC	11ns/51ns
T940N12TOFXPSA1	-	RFQ	9688	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	DO-200AB, B-PUK	T940N				하나의		다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1			300 MA													1.8 kV	1759 a	2.2 v	17500A @ 50Hz	250 MA	959 a									1 scr
imic36v02x6sa1	-	RFQ	6773	인피온 인피온	*	쟁반	쓸모없는										-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001631444	쓸모없는	0000.00.0000	1
MMBTA06LT1HTSA1	0.0590	RFQ	6139	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA06			330 MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																																80 v	500 MA						100NA	NPN	250mv @ 10ma, 100ma	100 @ 100ma, 1V	100MHz
Irg8CH42K10D	-	RFQ	8694	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는				irg8ch						다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1
IRFR4615PBF	-	RFQ	4340	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001578144	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				150 v	33A (TC)	10V	42mohm @ 21a, 10V	5V @ 100µa	26 NC @ 10 v	± 20V	1750 pf @ 50 v	-	144W (TC)
IRF3707ZSTRLP	-	RFQ	4417	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널				30 v	59A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 21a, 10V	2.25V @ 250µA	15 nc @ 4.5 v	± 20V	1210 pf @ 15 v	-	57W (TC)
BCV26E6327HTSA1	0.0815	RFQ	5261	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCV26			360 MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																																30 v	500 MA						100NA (ICBO)	pnp- 달링턴	1V @ 100µa, 100ma	20000 @ 100MA, 5V	200MHz
irf1010nl	-	RFQ	9310	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF1010NL	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				55 v	85A (TC)	10V	11mohm @ 43a, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 20V	3210 pf @ 25 v	-	180W (TC)
BFR740L3RHE6327XTSA1	0.9700	RFQ	3	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883	BFR740			160MW		PG-TSLP-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	15,000					24.5dB																											4.7V	30ma							NPN		160 @ 25MA, 3V	42GHz			0.5dB ~ 0.8db @ 1.8GHz ~ 6GHz
IRFR3704ZCPBF	-	RFQ	3104	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널				20 v	60A (TA)		8.4mohm @ 15a, 10V	-	14 nc @ 4.5 v		1190 pf @ 10 v	-	-
BCR562E6327HTSA1	0.3900	RFQ	4375	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR562			330 MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																																50 v	500 MA						100NA (ICBO)	pnp- 사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	60 @ 50MA, 5V	150MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
SPB02N60C3ATMA1	-	RFQ	5513	인피온 인피온	Coolmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SPB02N		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				650 v	1.8A (TC)	10V	3ohm @ 1.1a, 10V	3.9V @ 80µA	12.5 nc @ 10 v	± 20V	200 pf @ 25 v	-	25W (TC)
IRFP2907pbf	6.4000	RFQ	2	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP2907		MOSFET (금속 (()			TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25		n 채널				75 v	209A (TC)	10V	4.5mohm @ 125a, 10V	4V @ 250µA	620 NC @ 10 v	± 20V	13000 pf @ 25 v	-	470W (TC)
auirlr3410tr	-	RFQ	8770	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	auirlr3410		MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널				100 v	17A (TC)	4V, 10V	10A @ 10A, 10V	2V @ 250µA	34 NC @ 5 v	± 16V	800 pf @ 25 v	-	79W (TC)
SDT12S60	-	RFQ	6826	인피온 인피온	Coolsic ™+	튜브	쓸모없는		구멍을 구멍을	TO-220-2	SDT12S		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky			PG-to220-2-2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)																						600 v	1.7 V @ 12 a	0 ns	400 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	12a	450pf @ 1v, 1MHz
BSS7728N	-	RFQ	3680	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (금속 (()			PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널				60 v	200MA (TA)	4.5V, 10V	5ohm @ 500ma, 10V	2.3V @ 26µA	1.5 nc @ 10 v	± 20V	56 pf @ 25 v	-	360MW (TA)
IPA90R800C3	-	RFQ	9463	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()			PG-to220 20 팩	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				900 v	6.9A (TC)		800mohm @ 4.1a, 10V	3.5V @ 460µA	42 NC @ 10 v	± 20V	1100 pf @ 100 v	-	33W (TC)
irfr3910trr	-	RFQ	3372	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				100 v	16A (TC)	10V	115mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	79W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²