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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	구조	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	커패시턴스 커패시턴스	커패시턴스 커패시턴스 조건	Q @ vr, f
BSP135 E6906	-	RFQ	7991	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (금속 (()				PG-SOT223-4	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			600 v	120MA (TA)	0V, 10V	45ohm @ 120ma, 10V	1V @ 94µA	4.9 NC @ 5 v	± 20V	146 pf @ 25 v	고갈 고갈	1.8W (TA)
BC848BWE6327BTSA1	-	RFQ	4047	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC848			250 MW			PG-SOT323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																															30 v	100 MA								15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
BCR169SE6327BTSA1	-	RFQ	8215	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR169			250MW			PG-SOT363-PO	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																															50V	100ma								-			2 pnp--바이어스 (듀얼)	300MV @ 500µA, 10MA	120 @ 5MA, 5V	200MHz	4.7kohms	-
IRF8707GPBF	-	RFQ	4062	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()				도 8-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001575436	귀 99	8541.29.0095	95			n 채널			30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	11.9mohm @ 11a, 10V	2.35V @ 25µA	9.3 NC @ 4.5 v	± 20V	760 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
IRLBA1304PPBF	-	RFQ	2320	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-273AA			MOSFET (금속 (()				Super-220 ™ (TO-273AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRLBA1304PPBF	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			40 v	185A (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 110a, 10V	1V @ 250µA	140 nc @ 4.5 v	± 16V	7660 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IRF540NL	-	RFQ	4495	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()				TO-262	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF540NL	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			100 v	33A (TC)	10V	44mohm @ 16a, 10V	4V @ 250µA	71 NC @ 10 v	± 20V	1960 pf @ 25 v	-	130W (TC)
IPU50R1K4CEBKMA1	-	RFQ	5775	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	ipu50r		MOSFET (금속 (()				PG-to251-3	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널			500 v	3.1A (TC)	13V	1.4ohm @ 900ma, 13v	3.5V @ 70µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	178 pf @ 100 v	-	25W (TC)
T2180N14TOFVTXPSA1	687.8700	RFQ	7317	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	DO-200AD	T2180N14				하나의			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2				300 MA												1.8 kV	4460 a	2 v	44000a @ 50Hz	250 MA	2180 a								1 scr
BCR22PNE6433HTMA1	-	RFQ	9802	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR22			250MW			PG-SOT363-PO	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000																															50V	100ma								-			1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	300MV @ 500µA, 10MA	50 @ 5MA, 5V	130MHz	22kohms	22kohms
ETD540N22P60TIMHPSA1	306.5100	RFQ	7741	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	135 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준					시리즈 시리즈 - scr/다이오드			-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2				300 MA												2.2kV	700 a	2.2 v	16300A @ 50Hz	250 MA	542 a								1 scr, 1 다이오드
IRD3CH42DD6	-	RFQ	2622	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는				IRD3CH42							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1
irfr1010ztrpbf	1.6200	RFQ	6755	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR1010		MOSFET (금속 (()				D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널			55 v	42A (TC)	10V	7.5mohm @ 42a, 10V	4V @ 100µa	95 NC @ 10 v	± 20V	2840 pf @ 25 v	-	140W (TC)
FP75R12N2T7B11BPSA1	-	RFQ	1149	인피온 인피온	Econopim ™ 2	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	FP75R12			20 MW		3 정류기 정류기 브리지	Ag-Econo2b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	3 단계 인버터																													트렌치 트렌치 정지	1200 v	75 a		1.55V @ 15V, 75A						14 µA	예	15.1 NF @ 25 v
IPP16CN10LGXKSA1	-	RFQ	2995	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP16C		MOSFET (금속 (()				PG-to220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			100 v	54A (TC)	10V	15.7mohm @ 54a, 10V	2.4V @ 61µA	44 NC @ 10 v	± 20V	4190 pf @ 50 v	-	100W (TC)
irf520nstrl	-	RFQ	8651	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()				D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			100 v	9.7A (TC)	10V	200mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	330 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 48W (TC)
IPD42DP15LMATMA1	2.0300	RFQ	2	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD42D		MOSFET (금속 (()				PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널			150 v	1.7A (TA), 9A (TC)	4.5V, 10V	420mohm @ 8.2a, 10V	2V @ 1.04ma	43 NC @ 10 v	± 20V	2100 pf @ 75 v	-	3W (TA), 83W (TC)
SPD30N08S2L-21	-	RFQ	4870	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	spd30n		MOSFET (금속 (()				PG-to252-3-11	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			75 v	30A (TC)	4.5V, 10V	20.5mohm @ 25a, 10V	2V @ 80µa	72 NC @ 10 v	± 20V	2130 pf @ 25 v	-	136W (TC)
IKW50N60TFKSA1	8.3900	RFQ	2	인피온 인피온	TrenchStop®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IKW50N60	기준		333 w			PG-to247-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30					400V, 50A, 7ohm, 15V																			143 ns						트렌치 트렌치 정지	600 v	80 a	150 a	2V @ 15V, 50A	2.6mj	310 NC	26ns/299ns
64-9145	-	RFQ	9243	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 MX	IRF6620		MOSFET (금속 (()				DirectFet ™ MX	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,800			n 채널			20 v	27A (TA), 150A (TC)	4.5V, 10V	2.7mohm @ 27a, 10V	2.45V @ 250µA	42 NC @ 4.5 v	± 20V	4130 pf @ 10 v	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IQDH45N04LM6ATMA1	1.8914	RFQ	2743	인피온 인피온	*	테이프 & tr (TR)	활동적인											-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	448-IQDH45N04LM6ATMA1TR			5,000
IPB06P001LATMA1	-	RFQ	3800	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB06P		MOSFET (금속 (()				PG-to263-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001647768	귀 99	8541.29.0095	1,000			p 채널			60 v	100A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 100a, 10V	2V @ 5.55MA	281 NC @ 10 v	± 20V	8500 pf @ 30 v	-	300W (TC)
IPL60R299CPAUMA1	1.7251	RFQ	3077	인피온 인피온	Coolmos ™ CP	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-powertsfn	IPL60R299		MOSFET (금속 (()				PG-VSON-4	다운로드	Rohs3 준수	2A (4 주)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널			600 v	11.1A (TC)	10V	299mohm @ 6.6a, 10V	3.5V @ 440µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1100 pf @ 100 v	-	96W (TC)
IRLR8103VTRR	-	RFQ	5821	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()				D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널			30 v	91A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	27 NC @ 5 v	± 20V	2672 pf @ 16 v	-	115W (TC)
IPP100N06S2L05AKSA1	-	RFQ	7253	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP100N		MOSFET (금속 (()				PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			55 v	100A (TC)	4.5V, 10V	4.7mohm @ 80a, 10V	2V @ 250µA	230 nc @ 10 v	± 20V	5660 pf @ 25 v	-	300W (TC)
FF225R17ME4B11BPSA1	221.5850	RFQ	1717	인피온 인피온	Econodual ™ 3	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	FF225R17			1500 W.		기준	Ag-Econod	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	2 독립																													트렌치 트렌치 정지	1700 v	340 a		2.3V @ 15V, 225A						3 MA	예	18.5 nf @ 25 v
BB66402VE7902	-	RFQ	3540	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523							PG-SC79-2-1	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0070	1																												2.75pf @ 28V, 1MHz										하나의	30 v										16.4	C1/C28	-
SIDC06D120H6X1SA4	-	RFQ	9085	인피온 인피온	-	대부분	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	주사위	SIDC06D120		기준				호일에 호일에	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		짐																				1200 v	1.6 V @ 7.5 a		27 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	7.5A	-
SIPC69SN60C3X2SA2	-	RFQ	4158	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	-	-	-	SIPC69		-				-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP003503048	귀 99	8541.29.0095	1			-				-	-	-	-		-		-	-
IPB70N10S3L12ATMA1	2.9700	RFQ	1896	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB70N10		MOSFET (금속 (()				PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			100 v	70A (TC)	4.5V, 10V	11.8mohm @ 70a, 10V	2.4V @ 83µA	80 nc @ 10 v	± 20V	5550 pf @ 25 v	-	125W (TC)
BSB044N08NN3GXUMA1	3.8300	RFQ	7551	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-Wdson	BSB044		MOSFET (금속 (()				Mg-Wdson-2, Canpak M ™	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널			80 v	18A (TA), 90A (TC)	10V	4.4mohm @ 30a, 10V	3.5V @ 97µA	73 NC @ 10 v	± 20V	5700 pf @ 40 v	-	2.2W (TA), 78W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²