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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전원 - 최대	구조	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	scr 유형	노이즈 노이즈	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
AUIRF7319Q	-	RFQ	2796	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AUIRF7319			MOSFET (금속 (()	2W			8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001517232	귀 99	8541.29.0095	95	n 및 p 채널									30V	6.5a, 4.9a		29mohm @ 5.8a, 10V	3V @ 250µA	33NC @ 10V		650pf @ 25V	논리 논리 게이트
irlr024ntrpbf	1.0000	RFQ	49	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRLR024			MOSFET (금속 (()				D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널							55 v	17A (TC)	4V, 10V	65mohm @ 10a, 10V	2V @ 250µA	15 nc @ 5 v	± 16V	480 pf @ 25 v	-	45W (TC)
BAS4007WE6327BTSA1	-	RFQ	6983	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-82A, SOT-343	BAS4007			Schottky				PG-SOT343-3D	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																											2 독립	40 v	120MA (DC)	1 v @ 40 ma	100 ps	1 µa @ 30 v	150 ° C (°)
IPU95R2K0P7AKMA1	1.4400	RFQ	9806	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPU95R2			MOSFET (금속 (()				PG-to251-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75			n 채널							950 v	4A (TC)	10V	2ohm @ 1.7a, 10V	3.5V @ 80µA	10 nc @ 10 v	± 20V	330 pf @ 400 v	-	37W (TC)
FP150R07N3E4	1.0000	RFQ	2251	인피온 인피온	Econopim ™ 3	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준					430 w		3 정류기 정류기 브리지	Ag-Econo3	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1	3 단계 인버터																																						트렌치 트렌치 정지	650 v	150 a		1.95V @ 15V, 150A					1 MA	예	6.2 NF @ 25 v
PTFA210701FV4R250XTMA1	-	RFQ	6406	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	65 v		표면 표면	2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지	PTFA210701		2.14GHz	LDMOS				H-37265-2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	250				10µA			550 MA	18W	16.5dB																			-																			30 v
D1131SH65TXPSA1	1.0000	RFQ	2	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인			섀시 섀시	do-200ae	D1131SH65			기준				-	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2		짐																												6500 v		5.6 V @ 2500 a		150 ma @ 6500 v	0 ° C ~ 140 ° C	1100A	-
IGP20N65F5XKSA1	1.6346	RFQ	9885	인피온 인피온	TrenchStop ™	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IGP20N65	기준			125 w			PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500						400V, 10A, 32OHM, 15V																																	도랑	650 v	42 a	60 a	2.1V @ 15V, 20A	160µJ (on), 60µJ (OFF)	48 NC	20ns/165ns
IAUC64N08S5L075ATMA1	0.8108	RFQ	6642	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn				MOSFET (금속 (()				PG-TDSON-8-33	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널							80 v	64A (TJ)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 32a, 10V	2V @ 30µA	37 NC @ 10 v	± 20V	2106 pf @ 40 v	-	75W (TC)
IRFB7437pbf	1.8200	RFQ	2	인피온 인피온	Hexfet®, StrongIrfet ™	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFB7437			MOSFET (금속 (()				TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							40 v	195a (TC)	6V, 10V	2MOHM @ 100A, 10V	3.9V @ 150µA	225 NC @ 10 v	± 20V	7330 pf @ 25 v	-	230W (TC)
IRLU024N	-	RFQ	3020	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA				MOSFET (금속 (()				i-pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRLU024N	귀 99	8541.29.0095	75			n 채널							55 v	17A (TC)	4V, 10V	65mohm @ 10a, 10V	2V @ 250µA	15 nc @ 5 v	± 16V	480 pf @ 25 v	-	45W (TC)
PTAC240502FCV1XWSA1	-	RFQ	7767	인피온 인피온	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	65 v		섀시 섀시	H-37248-4			2.62GHz ~ 2.4GHz	LDMOS				H-37248-4	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	SP001153422	귀 99	8541.29.0095	50				-			120 MA	50W	14.2db																			-																			28 v
irlh6224tr2pbf	-	RFQ	7453	인피온 인피온	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는			표면 표면	8-powertdfn				MOSFET (금속 (()				8-pqfn (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	400			n 채널							20 v	28A (TA), 105A (TC)		3MOHM @ 20A, 4.5V	1.1V @ 50µA	86 NC @ 10 v		3710 pf @ 10 v	-
BC850CWE6327HTSA1	-	RFQ	1964	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC850				250 MW			PG-SOT323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																																								45 v	100 MA							15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	250MHz
ETZ1100N16P70HPSA1	-	RFQ	4334	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는		135 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	ETZ1100							BG-PB70ECO-1	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1					500 MA															1.6kV	1000 a	2 v	33600A @ 50Hz	250 MA	1.52 v	1051 a	표준 표준
TDB6HK180N16RRBOSA1	159.8200	RFQ	4	인피온 인피온	EconoPack ™ 2	대부분	sic에서 중단되었습니다		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	TDB6HK180				515 w		기준	Ag-Econo2b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10	브레이크가있는 3 인버터 단계																																						-	1200 v	140 a		2.2V @ 15V, 100A					1 MA	아니요	6.3 NF @ 25 v
IKP20N60T	-	RFQ	2069	인피온 인피온	TrenchStop ™	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		기준			166 w			PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.50.7000	1						400V, 20A, 12ohm, 15V																											41 ns						트렌치 트렌치 정지	600 v	41 a	60 a	2.05V @ 15V, 20A	310µJ (on), 460µJ (OFF)	120 NC	18ns/199ns
IPD036N04LGATMA1	1.4600	RFQ	43	인피온 인피온	Optimos ™ 3	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD036			MOSFET (금속 (()				PG-to252-3-11	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널							40 v	90A (TC)	4.5V, 10V	3.6MOHM @ 90A, 10V	2V @ 45µA	78 NC @ 10 v	± 20V	6300 pf @ 20 v	-	94W (TC)
IRFZ44ZSPBF	-	RFQ	8487	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()				D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							55 v	51A (TC)	10V	13.9mohm @ 31a, 10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 v	± 20V	1420 pf @ 25 v	-	80W (TC)
TZ150N26KOFHPSA1	-	RFQ	2675	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	TZ150N					하나의			다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3					300 MA															2.6kV	350 a	2 v	4500A @ 50Hz	200 MA		223 a												1 scr
auirfl024ntr	-	RFQ	3495	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA				MOSFET (금속 (()				SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널							55 v	2.8A (TA)	10V	75mohm @ 2.8a, 10V	4V @ 250µA	18.3 NC @ 10 v	± 20V	400 pf @ 25 v	-	1W (TA)
IPP60R380P6	1.1300	RFQ	3	인피온 인피온	Coolmos ™ P6	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				MOSFET (금속 (()				PG-to220-3	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1			n 채널								10.6A (TC)
IPI65R099C6	-	RFQ	7750	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA				MOSFET (금속 (()				PG-to262-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1			n 채널							650 v	38A (TC)	10V	99mohm @ 12.8a, 10V	3.5v @ 1.2ma	127 NC @ 10 v	± 20V	2780 pf @ 100 v	-	278W (TC)
IPW60R120P7XKSA1	5.3700	RFQ	1426	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IPW60R120			MOSFET (금속 (()				PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			n 채널							600 v	26A (TC)	10V	120mohm @ 8.2a, 10V	4V @ 410µA	36 nc @ 10 v	± 20V	1544 pf @ 400 v	-	95W (TC)
T2180N16TOFVTXPSA1	701.9600	RFQ	4261	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	DO-200AD	T2180N16					하나의			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2					300 MA															1.8 kV	4460 a	2 v	44000a @ 50Hz	250 MA		2180 a												1 scr
SMBTA92E6433	0.0300	RFQ	8182	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					360 MW			PG-SOT23-3-3	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0095	3,010																																								300 v	500 MA							100NA (ICBO)				500mv @ 2ma, 20ma	40 @ 10ma, 10V	50MHz
BFP 405F E6327	-	RFQ	3076	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 리드	BFP 405				55MW			4-TSFP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000									22.5dB																															5V	12MA										NPN		60 @ 5MA, 4V	25GHz			1.25dB @ 1.8GHz
irfr4105trl	-	RFQ	7375	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()				D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널							55 v	27A (TC)	10V	45mohm @ 16a, 10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 20V	700 pf @ 25 v	-	68W (TC)
BCR 114L3 E6327	-	RFQ	8620	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	SC-101, SOT-883	BCR 114				250 MW			PG-TSLP-3-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	15,000																																								50 v	100 MA							100NA (ICBO)			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	160MHz	4.7 Kohms	10 KOHMS
BCW66KHB6327HTLA1	-	RFQ	9464	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW66				500MW			PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	30,000																																								45 v	800 MA							20NA (ICBO)			NPN	450MV @ 50MA, 500MA	250 @ 100MA, 1V	170MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²