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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 - 최대	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	노이즈 노이즈	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	전압 - 테스트	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	저항 @ if, f	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPI60R125CPXKSA1	7.0000	RFQ	4130	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI60R125			MOSFET (금속 (()			PG-to262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널								650 v	25A (TC)	10V	125mohm @ 16a, 10V	3.5v @ 1.1ma	70 nc @ 10 v	± 20V	2500 pf @ 100 v	-	208W (TC)
IGW30N65L5XKSA1	4.4400	RFQ	960	인피온 인피온	TrenchStop ™ 5	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IGW30N65	기준			227 w		PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30							400V, 30A, 10ohm, 15V																														-	650 v	85 a	120 a	1.35V @ 15V, 30A	470µJ (on), 1.35mj (OFF)	168 NC	33ns/308ns
BAT64-06E6327	1.0000	RFQ	6025	인피온 인피온	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT64			Schottky			PG-SOT23	다운로드					귀 99	8541.10.0070	1																												1 양극 양극 공통
IPD160N04LG	-	RFQ	8106	인피온 인피온	Optimos® 3	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	300			n 채널								40 v	30A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 30a, 10V	2V @ 10µA	15 nc @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 20 v	-	31W (TC)
T700N22TOFXPSA1	202.7550	RFQ	3686	인피온 인피온	-	쟁반	마지막으로 마지막으로		-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	DO-200AB, B-PUK	T700N22					하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	6						300 MA															2.2kV	1500 a	2.2 v	13500A @ 50Hz	250 MA	700 a										1 scr
IRFR24N15DTRPBF	1.6400	RFQ	2	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR24			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널								150 v	24A (TC)	10V	95mohm @ 14a, 10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 30V	890 pf @ 25 v	-	140W (TC)
IRGS6B60KDPBF	-	RFQ	2934	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRGS6B60KDPBF	기준			90 W.		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50							400V, 5A, 100ohm, 15V																								70 ns						NPT	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V, 5A	110µJ (on), 135µJ (OFF)	18.2 NC	25NS/215NS
BF2030WH6814XTSA1	-	RFQ	7475	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	8 v		표면 표면	SC-82A, SOT-343	BF2030		800MHz	MOSFET			PG-SOT343-3D	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 채널			40ma				10 MA	-	23db																	1.5dB																		5 v
BSS215PL6327HTSA1	-	RFQ	7305	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				MOSFET (금속 (()			PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널								20 v	1.5A (TA)	2.5V, 4.5V	150mohm @ 1.5a, 4.5v	1.2V @ 11µA	3.6 NC @ 4.5 v	± 12V	346 pf @ 15 v	-	500MW (TA)
ETT420N22P60HPSA1	-	RFQ	9717	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는		-40 ° C ~ 135 ° C (TC)	섀시 섀시	기준 기준	ETT420					시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2						300 MA															2.2kV	700 a	2.2 v	13400A @ 50Hz	250 MA	427 a										2 scrs
irg4ibc30fdpbf	-	RFQ	7567	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	irg4ibc	기준			45 W.		TO-220AB Full-Pak	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50							480v, 17a, 23ohm, 15v																								42 ns						-	600 v	20.3 a	120 a	1.8V @ 15V, 17a	630µj (on), 1.39mj (OFF)	51 NC	42ns/230ns
IGB15N60TATMA1	2.0900	RFQ	6040	인피온 인피온	TrenchStop®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IGB15N60	기준			130 W.		PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000							400V, 15a, 15ohm, 15V																														도랑	600 v	30 a	45 a	2.05V @ 15V, 15a	570µJ	87 NC	17ns/188ns
auxhkgp4062d-e	-	RFQ	5077	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는					auxhkgp4062							-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1												-
BCR583E6327HTSA1	0.0838	RFQ	6047	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR583				330 MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																																						50 v	500 MA									100NA (ICBO)		pnp- 사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	70 @ 50MA, 5V	150MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
BC 857B B5003	-	RFQ	4071	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC 857				330 MW		PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																																						45 v	100 MA									15NA (ICBO)		PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	250MHz
T940N12TOFXPSA1	-	RFQ	9688	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	DO-200AB, B-PUK	T940N					하나의		다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1						300 MA															1.8 kV	1759 a	2.2 v	17500A @ 50Hz	250 MA	959 a										1 scr
BF799E6327HTSA1	-	RFQ	1464	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BF799				280MW		PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000										-																												20V	35MA											NPN		40 @ 20MA, 10V	800MHz			3DB @ 100MHz
IHW40T120FKSA1	-	RFQ	9045	인피온 인피온	TrenchStop®	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IHW40	기준			270 W.		PG-to247-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	240							600V, 40A, 15ohm, 15V																								195 ns						트렌치 트렌치 정지	1200 v	75 a	105 a	2.3V @ 15V, 40A	6.5mj	203 NC	48ns/480ns
IPF04N03LA g	-	RFQ	8559	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPF04N			MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-23	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널								25 v	50A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 50a, 10V	2V @ 30µA	41 NC @ 5 v	± 20V	5199 pf @ 15 v	-	115W (TC)
BA592E6433HTMA1	0.0931	RFQ	6107	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		150 ° C (TJ)		SC-76, SOD-323	BA592E6433						PG-SOD323-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000					100 MA																														1.1pf @ 3v, 1MHz											표준 - 단일	35V		500mohm @ 10ma, 100mhz
SIDC42D120H8X1SA3	-	RFQ	5467	인피온 인피온	-	대부분	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	주사위	SIDC42D			기준			호일에 호일에	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000491790	귀 99	8541.10.0080	1		짐																											1200 v	1.97 V @ 50 a		27 µa @ 1200 v	-40 ° C ~ 175 ° C	75a	-
IRGB30B60K	-	RFQ	3031	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		기준			370 W.		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRGB30B60K	귀 99	8541.29.0095	50							400V, 30A, 10ohm, 15V																														NPT	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V, 30A	350µJ (on), 825µJ (OFF)	102 NC	46ns/185ns
ikp10n60txksa1	1.9900	RFQ	460	인피온 인피온	TrenchStop®	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IKP10N	기준			110 W.		PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50							400V, 10A, 23ohm, 15V																								115 ns						npt, 필드 트렌치 중지	600 v	20 a	30 a	2.05V @ 15V, 10A	430µj	62 NC	12ns/215ns
IKP30N65F5XKSA1	2.6289	RFQ	1828	인피온 인피온	TrenchStop ™	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IKP30N65	기준			188 w		PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500							400V, 15a, 23ohm, 15V																								55 ns						도랑	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V, 30A	280µJ (on), 70µJ (OFF)	65 NC	19ns/170ns
irfiz46npbf	-	RFQ	6912	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩				MOSFET (금속 (()			TO-220AB Full-Pak	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널								55 v	33A (TC)	10V	20mohm @ 19a, 10V	4V @ 250µA	61 NC @ 10 v	± 20V	1500 pf @ 25 v	-	45W (TC)
ipuh6n03lb g	-	RFQ	8894	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	ipuh6n			MOSFET (금속 (()			PG-to251-3	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널								30 v	50A (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 50a, 10V	2V @ 40µA	22 nc @ 5 v	± 20V	2800 pf @ 15 v	-	83W (TC)
IPB60R125CFD7ATMA1	4.9500	RFQ	9734	인피온 인피온	CoolMOS ™ CFD7	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB60R125			MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널								600 v	18A (TC)	10V	125mohm @ 7.8a, 10V	4.5V @ 390µA	36 nc @ 10 v	± 20V	1503 pf @ 400 v	-	92W (TC)
BSO119N03S	-	RFQ	8839	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()			PG-DSO-8	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널								30 v	9A (TA)	4.5V, 10V	11.9mohm @ 11a, 10V	2V @ 25µA	13 nc @ 5 v	± 20V	1730 pf @ 15 v	-	1.56W (TA)
IRF7467	-	RFQ	8384	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF7467	귀 99	8541.29.0095	95			n 채널								30 v	11A (TA)	2.8V, 10V	12mohm @ 11a, 10V	2V @ 250µA	32 NC @ 4.5 v	± 12V	2530 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
IPN60R1K5CEATMA1	0.6300	RFQ	8801	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IPN60R1			MOSFET (금속 (()			PG-SOT223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널								600 v	5A (TC)	10V	1.5ohm @ 1.1a, 10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 v	± 20V	200 pf @ 100 v	-	5W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²