SIC
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불연속 불연속 제품 (16626)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IPD16CN10N G Infineon Technologies IPD16CN10N g -
RFQ
 ECAD 8050 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD16C MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 53A (TC) 10V 16MOHM @ 53A, 10V 4V @ 61µA 48 NC @ 10 v ± 20V 3220 pf @ 50 v - 100W (TC)
IDH16G120C5XKSA1 Infineon Technologies IDH16G120C5XKSA1 11.1500
RFQ
 ECAD 369 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™+ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 IDH16G120 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky PG-to220-2-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.95 V @ 16 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 16A 730pf @ 1v, 1MHz
IRFH7934TRPBF Infineon Technologies IRFH7934TRPBF 0.6561
RFQ
 ECAD 6322 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRFH7934 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 24A (TA), 76A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 24a, 10V 2.35V @ 50µA 30 nc @ 4.5 v ± 20V 3100 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
FS50R12KT3BPSA1 Infineon Technologies FS50R12KT3BPSA1 122.7100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS50R12 280 W. 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 2.15V @ 15V, 50A 5 MA 예 3.5 NF @ 25 v
FS150R12N2T7B54BPSA1 Infineon Technologies FS150R12N2T7B54BPSA1 233.9900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS150R12 20 MW 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 150 a 1.8V @ 15V, 150A 12 µA 예 30.1 NF @ 25 v
IPW60R055CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R055CFD7XKSA1 9.6300
RFQ
 ECAD 237 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R055 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 38A (TC) 10V 55mohm @ 18a, 10V 4.5V @ 900µA 79 NC @ 10 v ± 20V 3194 pf @ 400 v - 178W (TC)
FP15R12W1T7PBPSA1 Infineon Technologies FP15R12W1T7PBPSA1 52.8000
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 인피온 인피온 Easypim ™, TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP15R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Easy1b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 15 a - 3 µA 예 2.82 NF @ 25 v
IRFU3707PBF Infineon Technologies IRFU3707pbf -
RFQ
 ECAD 4210 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 61A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 1990 pf @ 15 v - 87W (TC)
IRF8734PBF Infineon Technologies IRF8734PBF -
RFQ
 ECAD 9500 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,800 n 채널 30 v 21A (TA) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 21a, 10V 2.35V @ 50µA 30 nc @ 4.5 v ± 20V 3175 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IMBG65R030M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG65R030M1HXTMA1 19.3500
RFQ
 ECAD 6254 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA IMBG65 sicfet ((카바이드) PG-to263-7-12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IMBG65R030M1HXTMA1CT 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 63A (TC) 18V 42mohm @ 29.5a, 18V 5.7v @ 8.8ma 49 NC @ 18 v +23V, -5V 1643 pf @ 400 v - 234W (TC)
IPI075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI075N15N3GXKSA1 7.3400
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI075 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 100A (TC) 8V, 10V 7.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 270µA 93 NC @ 10 v ± 20V 5470 pf @ 75 v - 300W (TC)
IRL5602L Infineon Technologies IRL5602L -
RFQ
 ECAD 9962 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 20 v 24A (TC) 2.5V, 4.5V 42mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 8V 1460 pf @ 15 v - -
2PS06017E32G28213NOSA1 Infineon Technologies 2PS06017E32G28213NOSA1 -
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 인피온 인피온 Primestack ™ 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 55 ° C 섀시 섀시 기준 기준 2PS06017 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 독립 - - 예
SPI08N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPI08N50C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 3928 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI08N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 560 v 7.6A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350µA 32 NC @ 10 v ± 20V 750 pf @ 25 v - 83W (TC)
IRL3713STRRPBF Infineon Technologies irl3713strpbf -
RFQ
 ECAD 2513 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001568494 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 260A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 38A, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 4.5 v ± 20V 5890 pf @ 15 v - 330W (TC)
IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies IRF1404ZSTRLPBF 2.2000
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1404 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 180A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 150 nc @ 10 v ± 20V 4340 pf @ 25 v - 200W (TC)
T2251N80TOHXPSA1 Infineon Technologies T2251N80ToHXPSA1 4.0000
RFQ
 ECAD 6492 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AF T2251N80 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 350 MA 8kv 3550 a 2.5 v 67000a @ 50Hz 350 MA 3140 a 1 scr
AUIRFR1018E Infineon Technologies auirfr1018e -
RFQ
 ECAD 4383 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR1018 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 56A (TC) 10V 8.4mohm @ 47a, 10V 4V @ 100µa 69 NC @ 10 v ± 20V 2290 pf @ 50 v - 110W (TC)
SPB73N03S2L-08 G Infineon Technologies SPB73N03S2L-08 g -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB73N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 73A (TC) 4.5V, 10V 8.1mohm @ 36a, 10V 2V @ 55µA 46.2 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 25 v - 107W (TC)
IPP80N04S404AKSA1 Infineon Technologies IPP80N04S404AKSA1 2.2700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N04 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 4.6mohm @ 80a, 10V 4V @ 35µA 43 NC @ 10 v ± 20V 3440 pf @ 25 v - 71W (TC)
IRG4BC40FPBF Infineon Technologies IRG4BC40FPBF -
RFQ
 ECAD 7999 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRG4BC40 기준 160 W. TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480v, 27a, 10ohm, 15v - 600 v 49 a 196 a 1.7V @ 15V, 27A 370µJ (on), 1.81mj (OFF) 100 NC 26ns/240ns
IRG4RC10UDTRRP Infineon Technologies irg4rc10udtrrp -
RFQ
 ECAD 6914 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRG4RC10 기준 38 w D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 480V, 5A, 100ohm, 15V 28 ns - 600 v 8.5 a 34 a 2.6V @ 15V, 5A 140µJ (on), 120µJ (OFF) 15 NC 40ns/87ns
IRFR3711TRR Infineon Technologies irfr3711trr -
RFQ
 ECAD 5505 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 120W (TC)
BCR 521 E6327 Infineon Technologies BCR 521 E6327 -
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 521 330 MW PG-SOT23-3-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 20 @ 50MA, 5V 100MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
SIDC23D60E6X1SA1 Infineon Technologies SIDC23D60E6X1SA1 -
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 주사위 SIDC23D 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 600 v 1.25 V @ 50 a 27 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 50a -
BSC080N12LSGATMA1 Infineon Technologies BSC080N12LSGATMA1 2.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 120 v 12A (TA), 99A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 112µA 79 NC @ 10 v ± 20V 7400 pf @ 60 v - 156W (TC)
IRF7755TRPBF Infineon Technologies IRF7755TRPBF -
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IRF775 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.9a 51mohm @ 3.7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 17NC @ 4.5V 1090pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFP4229PBF Infineon Technologies IRFP4229PBF 5.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP4229 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 250 v 44A (TC) 10V 46mohm @ 26a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 4560 pf @ 25 v - 310W (TC)
IPW60R250CP Infineon Technologies IPW60R250CP -
RFQ
 ECAD 8344 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10V 3.5V @ 440µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 100 v - 104W (TC)
IKQ100N120CS7XKSA1 Infineon Technologies IKQ100N120CS7XKSA1 16.0300
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKQ100 기준 824 w PG-to247-3-55 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - 203 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 188 a 300 a 2V @ 15V, 100A 6.87mj (on), 4.71mj (OFF) 610 NC 38ns/200ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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