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불연속 불연속 제품 (16626)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BCR166WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR166WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR166 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 160MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
SPD09P06PL Infineon Technologies SPD09P06PL -
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD09p MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 9.7A (TC) 4.5V, 10V 250mohm @ 6.8a, 10V 2V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 42W (TC)
IRLML2502TRPBF Infineon Technologies irlml2502trpbf 0.4600
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 irlml2502 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 4.2A (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 4.2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 12V 740 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
IRG4PH50KPBF Infineon Technologies irg4ph50kpbf -
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg4ph50 기준 200 w TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 960V, 24A, 5ohm, 15V - 1200 v 45 a 90 a 3.5V @ 15V, 24A 1.21mj (on), 2.25mj (OFF) 180 NC 36ns/200ns
IPP530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP530N15N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 5087 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP530 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 21A (TC) 8V, 10V 53mohm @ 18a, 10V 4V @ 35µA 12 nc @ 10 v ± 20V 887 pf @ 75 v - 68W (TC)
IRF9530NSTRRPBF Infineon Technologies irf9530nstrrpbf -
RFQ
 ECAD 2717 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001572446 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 14A (TC) 10V 200mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 79W (TC)
FS25R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies FS25R12W1T4BOMA1 41.1100
RFQ
 ECAD 6689 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS25R12 205 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 45 a 2.25V @ 15V, 25A 1 MA 예 1.45 NF @ 25 v
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKWH75N65EH7XKSA1 7.7600
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240
BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC035N04LSGATMA1 1.4200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC035 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 21A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 36µA 64 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
TT140N22KOFHPSA2 Infineon Technologies TT140N22KOFHPSA2 198.6775
RFQ
 ECAD 6694 0.00000000 인피온 인피온 TT 쟁반 활동적인 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 8 200 MA 2.2kV 250 a 2 v 4000A @ 50Hz 150 MA 159 a 2 scrs
IRF3711ZCSTRR Infineon Technologies IRF3711ZCSTRR -
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 92A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 79W (TC)
BC848BE6433HTMA1 Infineon Technologies BC848BE6433HTMA1 0.0418
RFQ
 ECAD 1849 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
SPB80N03S2L05 Infineon Technologies SPB80N03S2L05 0.3800
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-2 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 55a, 10V 2V @ 110µA 89.7 NC @ 10 v ± 20V 3320 pf @ 25 v - 167W (TC)
BCM856SE6327BTSA1 Infineon Technologies BCM856SE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 9172 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCM856 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
F3L11MR12W2M1C01BOMA1 Infineon Technologies F3L11MR12W2M1C01BOMA1 -
RFQ
 ECAD 9329 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15
TD240N16SOFHPSA1 Infineon Technologies TD240N16SOFHPSA1 53.9400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 130 ° C (TC) 섀시 섀시 기준 기준 TD240N16 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 8 200 MA 1.6kV 275 a 2.5 v 5200A @ 50Hz 145 MA 240 a 1 scr, 1 다이오드
IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPD082N10N3GATMA1 2.2600
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD082 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 80A (TC) 6V, 10V 8.2MOHM @ 73A, 10V 3.5V @ 75µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3980 pf @ 50 v - 125W (TC)
BCR108SH6433XTMA1 Infineon Technologies BCR108SH6433XTMA1 -
RFQ
 ECAD 9588 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR108 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2kohms 47kohms
BCR10PNE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR10PNE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR10 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10kohms 10kohms
IRG4RC10UTRL Infineon Technologies irg4rc10utrl -
RFQ
 ECAD 8381 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 irg4rc10u 기준 38 w D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 480V, 5A, 100ohm, 15V - 600 v 8.5 a 34 a 2.6V @ 15V, 5A 80µJ (on), 160µJ (OFF) 15 NC 19ns/116ns
IRG4BC40W-SPBF Infineon Technologies IRG4BC40W-SPBF -
RFQ
 ECAD 6719 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BC40 기준 160 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.5V @ 15V, 20A 110µJ (on), 230µJ (OFF) 98 NC 27ns/100ns
IDP08E65D2XKSA1 Infineon Technologies IDP08E65D2XKSA1 1.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 IDP08E65 기준 TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 650 v 2.3 V @ 3 a 40 ns 40 µa @ 650 v -40 ° C ~ 175 ° C 8a -
BC 856B E6433 Infineon Technologies BC 856B E6433 -
RFQ
 ECAD 6567 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 856 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF1405ZSTRL7PP Infineon Technologies IRF1405ZSTRL7PP -
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 120A (TC) 10V 4.9mohm @ 88a, 10V 4V @ 150µA 230 nc @ 10 v ± 20V 5360 pf @ 25 v - 230W (TC)
IPD13N03LA G Infineon Technologies IPD13N03LA g -
RFQ
 ECAD 2316 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD13N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 12.8mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 8.3 NC @ 5 v ± 20V 1043 pf @ 15 v - 46W (TC)
IRF7821GTRPBF Infineon Technologies IRF7821GTRPBF -
RFQ
 ECAD 1445 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 13.6A (TA) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10V 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1010 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRFS4615TRLPBF Infineon Technologies IRFS4615trlpbf 2.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS4615 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 33A (TC) 10V 42mohm @ 21a, 10V 5V @ 100µa 40 nc @ 10 v ± 20V 1750 pf @ 50 v - 144W (TC)
IRF7202TR Infineon Technologies IRF7202TR -
RFQ
 ECAD 5556 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 2.5A (TC) 4.5V, 10V 250mohm @ 1a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 20 v - 1.6W (TA), 2.5W (TC)
IPU60R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies IPU60R1K0CEAKMA2 0.3733
RFQ
 ECAD 4643 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU60R1 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 600 v 4.3A (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130µA 13 nc @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 61W (TC)
FF300R12KT3PEHOSA1 Infineon Technologies FF300R12KT3PEHOSA1 262.0625
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF300R12 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 300 a 2.15V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 21 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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