| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 최대 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 저항 @ If, F | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPLK70R2K0P7ATMA1 | 1.0500 | ![]() | 5942 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ P7 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 표면 실장 | 8파워TDFN | IPLK70 | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 700V | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS28E6327 | 1.0000 | ![]() | 7034 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-253-4, TO-253AA | 바스28 | 기준 | PG-SOT-143-3D | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 2개의 면 | 80V | 200mA(DC) | 1.25V @ 150mA | 4ns | 75V에서 100nA | 150°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAR6405E6327HTSA1 | 0.3600 | ![]() | 4739 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAR6405 | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100mA | 250mW | 0.35pF @ 20V, 1MHz | PIN - 1쌍 직후 | 150V | 1.35옴 @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUZ103SL | - | ![]() | 6772 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU04N03LA | - | ![]() | 8225 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | IPU04N | MOSFET(금속) | P-TO251-3-1 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000014621 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 25V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 4m옴 @ 50A, 10V | 2V @ 80μA | 41nC @ 5V | ±20V | 5199pF @ 15V | - | 115W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKD04N60R6EDV1 | - | ![]() | 2362 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 트렌치스톱™ | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 기준 | 75W | PG-TO252-3-313 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 4A, 43옴, 15V | 43ns | 트렌치 필드스톱 | 600V | 8A | 12A | 2.1V @ 15V, 4A | 90μJ(켜짐), 150μJ(꺼짐) | 27nC | 14ns/146ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR1018ETRPBF | 1.6600 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRFR1018 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 60V | 56A(티씨) | 10V | 8.4m옴 @ 47A, 10V | 4V @ 100μA | 69nC @ 10V | ±20V | 50V에서 2290pF | - | 110W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS7430PBF | - | ![]() | 9018 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET®, StrongIRFET™ | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001578352 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 195A(Tc) | 6V, 10V | 1.2m옴 @ 100A, 10V | 3.9V @ 250μA | 460nC @ 10V | ±20V | 25V에서 14240pF | - | 375W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUC41N06S5L100ATMA1 | 0.8900 | ![]() | 6138 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | IAUC41 | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8-33 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 41A(티제이) | 10m옴 @ 20A, 10V | 2.2V @ 13μA | 16.4nC @ 10V | ±16V | 30V에서 1205pF | - | 42W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBTA14E6327 | 0.1000 | ![]() | 210 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330mW | PG-SOT23-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,112 | 30V | 300mA | 100nA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1.5V @ 100μA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF2400RB12IP7BPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | PrimePACK™3 | 쟁반 | 활동적인 | - | - | - | FF2400R | 기준 | - | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | 2개의 면 | - | 750V | 2400A | - | 아니요 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA260851F V1 | - | ![]() | 6193 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | 2플랫팩, 핀 리드 | PTFA260851 | 2.68GHz | LDMOS | H-31248-2 | 다운로드 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 10μA | 900mA | 85W | 14dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFIB41N15DPBF | - | ![]() | 2698 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220AB 풀팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 150V | 41A (Tc) | 10V | 45m옴 @ 25A, 10V | 250μA에서 5.5V | 110nC @ 10V | ±20V | 2520pF @ 25V | - | 48W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPBE65R190CFD7AATMA1 | 5.6800 | ![]() | 948 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA | IPBE65 | MOSFET(금속) | PG-TO263-7-11 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 650V | 14A(TC) | 190m옴 @ 6.4A, 10V | 320μA에서 4.5V | 7nC @ 10V | ±20V | 400V에서 1291pF | - | 77W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS10R06VE3BOMA1 | - | ![]() | 2825 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | FS10R06 | 50W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 삼상인버터 | - | 600V | 16A | 2V @ 15V, 10A | 1mA | 아니요 | 25V에서 550pF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFN39H6327 | 0.2000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5W | SOT-223 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,615 | 300V | 200mA | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 2mA, 20mA | 40 @ 10mA, 10V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRAM256-2067A2 | - | ![]() | 5436 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | iMOTION™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 29-PowerSSIP 모듈, 21리드, 아름다운 리드 | IGBT | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 80 | 3상 | 20A | 600V | 2000Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STT2200N18P55XPSA1 | 779.7500 | ![]() | 5559 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | 125°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | STT2200 | 1상 컨트롤러 - 모든 SCR | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 300mA | 1.8kV | 2V | 21000A @ 50Hz | 200mA | SCR 2개 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC 846A E6433 | - | ![]() | 3891 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 846년 | 330mW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUC100N10S5L054ATMA1 | 1.2000 | ![]() | 5550 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8-34 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 100V | 101A(티제이) | 4.5V, 10V | 5.4m옴 @ 50A, 10V | 2.2V @ 64μA | 53nC @ 10V | ±20V | 50V에서 3744pF | - | 130W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU50R950CEBKMA1 | - | ![]() | 5199 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CE | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | IPU50R | MOSFET(금속) | PG-TO251-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 500V | 4.3A(Tc) | 13V | 950m옴 @ 1.2A, 13V | 100μA에서 3.5V | 10.5nC @ 10V | ±20V | 100V에서 231pF | - | 34W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF40H233ATMA1 | - | ![]() | 2455 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | StrongIRFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | IRF40 | MOSFET(금속) | 3.8W(Ta), 50W(Tc) | PG-TDSON-8-4 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 N채널(듀얼) | 40V | 65A(Tc) | 6.2m옴 @ 35A, 10V | 50μA에서 3.9V | 57nC @ 10V | 2200pF @ 20V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7914TRPBF | 0.7300 | ![]() | 2076 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | IRFH7914 | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 30V | 15A(Ta), 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 8.7m옴 @ 14A, 10V | 2.35V @ 25μA | 12nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 1160pF | - | 3.1W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI80N04S4-03 | 1.0700 | ![]() | 350 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | PG-TO262-3-1 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 350 | N채널 | 40V | 80A(Tc) | 10V | 3.7m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 53μA | 66nC @ 10V | ±20V | 5260pF @ 25V | - | 94W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB04N60C3 | - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 4.5A(Tc) | 10V | 950m옴 @ 2.8A, 10V | 200μA에서 3.9V | 25nC @ 10V | ±20V | 490pF @ 25V | - | 50W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7338PBF | - | ![]() | 1289 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | IRF733 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N 및 P 채널 | 12V | 6.3A, 3A | 34m옴 @ 6A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 8.6nC @ 4.5V | 640pF @ 9V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC30S2SN08NX2MA1 | 2013년 3월 | ![]() | 3812 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | IPC30S2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPF04N03LA | - | ![]() | 9074 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPF04N | MOSFET(금속) | PG-TO252-3-23 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.8m옴 @ 50A, 10V | 2V @ 30μA | 41nC @ 5V | ±20V | 5199pF @ 15V | - | 115W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR2705TRRPBF | - | ![]() | 6224 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001558392 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 55V | 28A(TC) | 4V, 10V | 40m옴 @ 17A, 10V | 2V @ 250μA | 25nC @ 5V | ±16V | 25V에서 880pF | - | 68W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4PC40F | - | ![]() | 5124 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 가방 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IRG4PC40 | 기준 | 160W | TO-247AC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRG4PC40F | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V, 27A, 10옴, 15V | - | 600V | 49A | 200A | 1.7V @ 15V, 27A | 370μJ(켜짐), 1.81mJ(꺼짐) | 100nC | 26ns/240ns |

일일 평균 견적 요청량

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