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디스크리트 반도체(16626)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 파워	구조	입력	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	전류 - 유지(Ih)(최대)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 꺼진 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	현재 - 충전상태(It(AV))(최대)	모델 지수	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	SCR, 다이오드 수	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	입력 커패시턴스(Cies) @ Vce	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
D56U40CXPSA1	-	보상요청	9900	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			덤불	마개	D56S40C		기준				BG-DSW272-1	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	1		표준 복구 >500ns, > 200mA(Io)																								4000V	4.5V @ 320A	3.3μs	4000V에서 5mA	125°C	102A	-
BCR169WH6327XTSA1	-	보상요청	5544	인피니언 테크놀로지스	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.			표면 실장	SC-70, SOT-323	BCR169			250mW			PG-SOT323	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																																			50V	100mA			100nA(ICBO)			PNP - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	120 @ 5mA, 5V	200MHz	4.7kΩ
FZ1000R33HL3BPSA1	1.0000	보상요청	8451	인피니언 테크놀로지스	IHM-B	쟁반	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.		-40°C ~ 150°C	방역	기준기준	FZ1000			1600W		기준	기준기준	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2	스위치																																	트렌치 필드스톱	3300V	1000A	2.85V @ 15V, 1000A		5mA	아니요	25V에서 190nF
IRF7504TRPBF	-	보상요청	5898	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비)	IRF7504		MOSFET(금속)	1.25W			마이크로8™	다운로드	ROHS3 준수	2(1년)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 P채널(듀얼)								20V	1.7A		270m옴 @ 1.2A, 4.5V	250μA에서 700mV	8.2nC @ 4.5V		240pF @ 15V	게임 레벨 레벨
BCR48PNH6327XTSA1	0.0975	보상요청	2435	인피니언 테크놀로지스	-	테이프 및 릴리(TR)	마지막 구매			표면 실장	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR48			250mW			PG-SOT363-PO	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000																																			50V	70mA, 100mA			-			NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	500μA, 10mA에서 300mV	70 @ 5mA, 5V	100MHz, 200MHz	47k옴, 2.2k옴	47k옴
GATELEADWH406XPSA1	29.6100	보상요청	1454	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	활동적인			-	-	GATELEADWH406		-				-	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.			0000.00.0000	1		-																												-	-	-
BSP320SL6327	0.2200	보상요청	2	인피니언 테크놀로지스	SIPMOS®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET(금속)				PG-SOT223-4-21	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1			N채널						60V	2.9A(티제이)	10V	120m옴 @ 2.9A, 10V	4V @ 20μA	12nC @ 10V	±20V	340pF @ 25V	-	1.8W(타)
IPI45N06S3-16	-	보상요청	2954	인피니언 테크놀로지스	옵티모스™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	IPI45N		MOSFET(금속)				PG-TO262-3	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	500			N채널						55V	45A(Tc)	10V	15.7m옴 @ 23A, 10V	30μA에서 4V	57nC @ 10V	±20V	2980pF @ 25V	-	65W(Tc)
BC848AE6327	0.0300	보상요청	78	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				330mW			PG-SOT23	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	9,427																																			30V	100mA			15nA(ICBO)			NPN	600mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2mA, 5V	250MHz
IRFS7530PBF	-	보상요청	9253	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®, StrongIRFET™	튜브	SIC에서는 존재하지 않았습니다.		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)				D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널						60V	195A(Tc)	6V, 10V	2m옴 @ 100A, 10V	250μA에서 3.7V	411nC @ 10V	±20V	25V에서 13703pF	-	375W(Tc)
D1251S45TXPSA1	2.0000	보상요청	8488	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	활동적인			방역	DO-200AC, K-PUK	D1251S45		기준				-	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	6		표준 복구 >500ns, > 200mA(Io)																								4500V	2.5V @ 2500A		4500V에서 80mA	-40°C ~ 140°C	1530A	-
FF450R12ME4BOSA1	270.2000	보상요청	6426	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	기준기준	FF450R12			2250W		기준	기준기준	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	10	다리 다리																																	트렌치 필드스톱	1200V	675A	2.1V @ 15V, 450A		3mA	예	28nF @ 25V
IRL2203NLPBF	-	보상요청	6876	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)				TO-262	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널						30V	116A(Tc)	4.5V, 10V	7m옴 @ 60A, 10V	3V @ 250μA	60nC @ 4.5V	±16V	3290pF @ 25V	-	3.8W(Ta), 180W(Tc)
BCR505E6327HTSA1	0.3900	보상요청	2824	인피니언 테크놀로지스	-	테이프 및 릴리(TR)	마지막 구매			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR505			330mW			PG-SOT23	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																																			50V	500mA			100nA(ICBO)			NPN - 사전 바이어스됨	300mV @ 2.5mA, 50mA	70 @ 50mA, 5V	100MHz	2.2kΩ	10kΩ
IDL06G65C5XUMA2	2.9300	보상요청	2	인피니언 테크놀로지스	CoolSiC™+	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	4-PowerTSFN	IDL06G65		SiC(탄화규소) 쇼트키				PG-VSON-4	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	3,000		복구 시간 없음 > 500mA(Io)																								650V	1.7V @ 6A	0ns	650V에서 110μA	-55°C ~ 150°C	6A	190pF @ 1V, 1MHz
IRF7402TRPBF	-	보상요청	2329	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)			MOSFET(금속)				8-SO	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	4,000			N채널						20V	6.8A(타)	2.7V, 4.5V	35m옴 @ 4.1A, 4.5V	250μA에서 700mV(최소)	22nC @ 4.5V	±12V	15V에서 650pF	-	2.5W(타)
BSM100GD120DN2BOSA1	414.8900	보상요청	2973년	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.		150°C (TJ)	방역	기준기준	BSM100			680W		기준	기준기준	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	10	삼상인버터																																	-	1200V	150A	3V @ 15V, 100A		2mA	아니요	6.5nF @ 25V
BCP72M	1.0000	보상요청	7779	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	활동적인												다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0075	3,000
IPP12CN10N G	-	보상요청	5943	인피니언 테크놀로지스	옵티모스™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	IPP12C		MOSFET(금속)				PG-TO220-3	다운로드		3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	500			N채널						100V	67A (Tc)	10V	12.9m옴 @ 67A, 10V	4V @ 83μA	65nC @ 10V	±20V	50V에서 4320pF	-	125W(Tc)
IPB05N03LAT	-	보상요청	9251	인피니언 테크놀로지스	옵티모스™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB05N		MOSFET(금속)				PG-TO263-3-2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널						25V	80A(Tc)	4.5V, 10V	4.6m옴 @ 55A, 10V	2V @ 50μA	25nC @ 5V	±20V	3110pF @ 15V	-	94W(Tc)
IRFBL3315	-	보상요청	8515	인피니언 테크놀로지스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	슈퍼 D2-팩			MOSFET(금속)				대단한 D2-PAK	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널						150V	21A(타)		-	-				-	-
PTFA181001FV4R250FTMA1	-	보상요청	6260	인피니언 테크놀로지스	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	65V		표면 실장	2-플랫팩, 핀 결과, 일치형	PTFA181001	1.88GHz	LDMOS				H-37248-2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	250				1μA		750mA	100W	16.5dB																	-													28V
IRFR1010ZPBF	-	보상요청	7693	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	튜브	SIC에서는 존재하지 않았습니다.		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)				D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	75			N채널						55V	42A(Tc)	10V	7.5m옴 @ 42A, 10V	4V @ 100μA	95nC @ 10V	±20V	25V에서 2840pF	-	140W(Tc)
IPB015N04LGATMA1	4.8700	보상요청	1	인피니언 테크놀로지스	옵티모스™	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB015		MOSFET(금속)				PG-TO263-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널						40V	120A(Tc)	4.5V, 10V	1.5m옴 @ 100A, 10V	2V @ 200μA	346nC @ 10V	±20V	28000pF @ 25V	-	250W(Tc)
TD240N32KOFHPSA1	-	보상요청	4004	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 125°C	방역	기준기준	TD240N				직렬 연결 - SCR/다이오드			다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	2					300mA														3.8kV	700A	1.5V	6100A @ 50Hz	250mA	446A									SCR 1개, 다이오드 1개
IPD60R2K0C6BTMA1	-	보상요청	8023	인피니언 테크놀로지스	CoolMOS™ C6	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	IPD60R		MOSFET(금속)				PG-TO252-3	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널						600V	2.4A(Tc)	10V	2옴 @ 760mA, 10V	60μA에서 3.5V	6.7nC @ 10V	±20V	100V에서 140pF	-	22.3W(Tc)
SIDC81D120F6X1SA1	-	보상요청	2594	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	SIC에서는 존재하지 않았습니다.			표면 실장	분수	SIDC78D		기준				호일에 최고질	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	1		표준 복구 >500ns, > 200mA(Io)																								1200V	2.1V @ 100A		1200V에서 27μA	-55°C ~ 150°C	100A	-
BSP317PE6327T	-	보상요청	9078	인피니언 테크놀로지스	SIPMOS®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA	BSP317		MOSFET(금속)				PG-SOT223-4	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			P채널						250V	430mA(타)	4.5V, 10V	4옴 @ 430mA, 10V	2V @ 370μA	15.1nC @ 10V	±20V	25V에서 262pF	-	1.8W(타)
IRF6797MTRPBF	-	보상요청	1554년	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	DirectFET™ 아이소메트릭 MX	IRF6797		MOSFET(금속)				DIRECTFET™ MX	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	SP001530232	EAR99	8541.29.0095	4,800			N채널						25V	36A(Ta), 210A(Tc)	4.5V, 10V	1.4m옴 @ 38A, 10V	150μA에서 2.35V	68nC @ 4.5V	±20V	5790pF @ 13V	-	2.8W(Ta), 89W(Tc)
IRFR13N20DPBF	-	보상요청	8809	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	튜브	SIC에서는 존재하지 않았습니다.		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)				D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	75			N채널						200V	13A(티씨)	10V	235m옴 @ 8A, 10V	250μA에서 5.5V	38nC @ 10V	±30V	25V에서 830pF	-	110W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²