| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPI80N04S2-04 | 1.0700 | ![]() | 296 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | PG-TO262-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 296 | N채널 | 40V | 80A(Tc) | 10V | 3.7m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 250μA | 170nC @ 10V | ±20V | 25V에서 5300pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFN7110TR | - | ![]() | 6737 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | AUIRFN7110 | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 100V | 58A(티씨) | 10V | 14.5m옴 @ 35A, 10V | 4V @ 100μA | 74nC @ 10V | ±20V | 3050pF @ 25V | - | 4.3W(Ta), 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D1821SH45TS05XOSA1 | - | ![]() | 4105 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 방역 | DO-200, 변형 | D1821SH45 | 기준 | BG-D10026K-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001303724 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 4500V | - | 1710A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG8P15N120KDPBF | - | ![]() | 9375 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IRG8P | 기준 | 125W | TO-247AC | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V, 10A, 10옴, 15V | 60ns | - | 1200V | 30A | 30A | 2V @ 15V, 10A | 600μJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) | 98nC | 15ns/170ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSD223P | - | ![]() | 9206 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD223 | MOSFET(금속) | 250mW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 390mA | 1.2옴 @ 390mA, 4.5V | 1.2V @ 1.5μA | 0.62nC @ 4.5V | 56pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC10SD-SPBF | - | ![]() | 2811 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 38W | D2PAK | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 8A, 100옴, 15V | 28ns | - | 600V | 14A | 18A | 1.8V @ 15V, 8A | 310μJ(켜짐), 3.28mJ(꺼짐) | 15nC | 76ns/815ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFBA1404 | - | ![]() | 6809 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-273AA | MOSFET(금속) | SUPER-220™(TO-273AA) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 206A(타) | 10V | 3.7m옴 @ 95A, 10V | 4V @ 250μA | 200nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7360pF | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW67BE6327 | 0.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330mW | PG-SOT23-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,948 | 32V | 800mA | 20nA(ICBO) | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKW30N60TFKSA1 | 5.1400 | ![]() | 7882 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | TrenchStop® | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IKW30N60 | 기준 | 187W | PG-TO247-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30A, 10.6옴, 15V | 143ns | 트렌치 필드스톱 | 600V | 60A | 90A | 2.05V @ 15V, 30A | 1.46mJ | 167nC | 23ns/254ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D5810N02TVFXPSA1 | - | ![]() | 2117 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 방역 | DO-200AC, K-PUK | D5810N02 | 기준 | - | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 200V | 200V에서 100mA | -40°C ~ 180°C | 5800A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC81D120H8X1SA3 | - | ![]() | 2633 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | SIDC81D | 기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1200V | 2.15V @ 150A | 1200V에서 27μA | -40°C ~ 175°C | 150A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR158 | - | ![]() | 2078 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BCR15 | 250mW | PG-SOT323-3-1 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 70 @ 5mA, 5V | 200MHz | 2.2kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI22N03S4L15AKSA1 | - | ![]() | 5380 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IPI22N | MOSFET(금속) | PG-TO262-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 30V | 22A(TC) | 4.5V, 10V | 14.9m옴 @ 22A, 10V | 2.2V @ 10μA | 14nC @ 10V | ±16V | 980pF @ 25V | - | 31W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB65R110CFD7ATMA1 | 6.0500 | ![]() | 5667 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CFD7 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB65R | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 650V | 22A(TC) | 10V | 110m옴 @ 9.7A, 10V | 4.5V @ 480μA | 41nC @ 10V | ±20V | 400V에서 1942pF | - | 114W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIHD15N60RFATMA1 | - | ![]() | 3667 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | AIHD15 | 기준 | 240W | PG-TO252-3-313 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 15A, 15옴, 15V | 트렌치 필드스톱 | 600V | 30A | 45A | 2.5V @ 15V, 15A | 270μJ(켜짐), 250μJ(꺼짐) | 90nC | 13ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBTA14E6327XT | 0.1000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330mW | PG-SOT23 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,112 | 30V | 300mA | 100nA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1.5V @ 100μA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUT300N08S5N011ATMA1 | 6.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerSFN | MOSFET(금속) | PG-HSOF-8-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 80V | 410A(티제이) | 6V, 10V | 1.1m옴 @ 100A, 10V | 3.8V @ 275μA | 231nC @ 10V | ±20V | 40V에서 16250pF | - | 375W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR1018EPBF | - | ![]() | 9968 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 60V | 56A(티씨) | 10V | 8.4m옴 @ 47A, 10V | 4V @ 100μA | 69nC @ 10V | ±20V | 50V에서 2290pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R110CFDXKSA2 | 6.8400 | ![]() | 7298 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CFD2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP65R110 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 650V | 31.2A(Tc) | 10V | 110m옴 @ 12.7A, 10V | 4.5V @ 1.3mA | 118nC @ 10V | ±20V | 100V에서 3240pF | - | 277.8W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC090N03LSGATMA1 | 0.7800 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | BSC090 | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 13A(Ta), 48A(Tc) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 30A, 10V | 2.2V @ 250μA | 18nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1500pF | - | 2.5W(Ta), 32W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUA200N04S5N010AUMA1 | 2.9800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™-5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 5-PowerSFN | IAUA200 | MOSFET(금속) | PG-HSOF-5-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 40V | 200A(Tc) | 7V, 10V | 1m옴 @ 100A, 10V | 100μA에서 3.4V | 132nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7650pF | - | 167W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL6342PBF | - | ![]() | 2139 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001558090 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N채널 | 30V | 9.9A(타) | 2.5V, 4.5V | 14.6m옴 @ 9.9A, 4.5V | 1.1V @ 10μA | 11nC @ 4.5V | ±12V | 25V에서 1025pF | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC023N08NS5SCATMA1 | 4.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | BSC023 | MOSFET(금속) | PG-WSON-8-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 80V | 202A(TC) | 6V, 10V | 2.3m옴 @ 50A, 10V | 115μA에서 3.8V | 98nC @ 10V | ±20V | 40V에서 6800pF | - | 188W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI120N04S401AKSA1 | 3.6700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IPI120 | MOSFET(금속) | PG-TO262-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 40V | 120A(Tc) | 10V | 1.9m옴 @ 100A, 10V | 4V @ 140μA | 176nC @ 10V | ±20V | 25V에서 14000pF | - | 188W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW60R099C6FKSA1 | 8.1900 | ![]() | 240 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IPW60R099 | MOSFET(금속) | PG-TO247-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 37.9A(Tc) | 10V | 99m옴 @ 18.1A, 10V | 3.5V @ 1.21mA | 119nC @ 10V | ±20V | 100V에서 2660pF | - | 278W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12ME7B11BPSA2 | 337.7200 | ![]() | 6522 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | EconoDUAL™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | FF600R12 | 20mW | 기준 | AG-경제 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2개의 면 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 600A | 1.75V @ 15V, 600A | 35μA | 예 | 25V에서 92nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF80R12W2H3B11BOMA1 | 34.9000 | ![]() | 285 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | 190W | 기준 | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 더블버스트 헬기 | - | 1200V | 50A | 1.7V @ 15V, 20A | 1mA | 예 | 2.35nF @ 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPP15N65C3HKSA1 | - | ![]() | 2067 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | SPP15N | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 650V | 15A(Tc) | 10V | 280m옴 @ 9.4A, 10V | 675μA에서 3.9V | 63nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1600pF | - | 156W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ011NE2LS5IATMA1 | 3.1900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | BSZ011 | MOSFET(금속) | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 25V | 35A(Ta), 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.1m옴 @ 20A, 10V | 2V @ 250μA | 50nC @ 10V | ±16V | 12V에서 3400pF | - | 2.1W(Ta), 69W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUZ40N06S5L050ATMA1 | 1.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™-5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | PG-TSDSON-8-33 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 90A(티제이) | 4.5V, 10V | 5m옴 @ 20A, 10V | 2.2V @ 29μA | 36.7nC @ 10V | ±16V | 30V에서 2500pF | - | 71W(Tc) |

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