SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 최대 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
IPAW60R600P7SXKSA1 Infineon Technologies IPAW60R600P7SXKSA1 1.2200
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ECAD 1 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ P7 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 IPAW60 MOSFET(금속) PG-TO220-FP 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 45 N채널 600V 6A(TC) 10V 600m옴 @ 1.7A, 10V 4V @ 80μA 9nC @ 10V ±20V 400V에서 363pF - 21W(Tc)
IPS70R950CEAKMA1 Infineon Technologies IPS70R950CEAKMA1 -
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ECAD 3021 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak IPS70R950 MOSFET(금속) PG-TO251-3-11 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 700V 7.4A(Tc) 10V 950m옴 @ 1.5A, 10V 150μA에서 3.5V 15.3nC @ 10V ±20V 100V에서 328pF - 68W(Tc)
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 155.5811
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ECAD 4166 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 쟁반 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 18
IPB60R199CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R199CPATMA1 4.6000
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ECAD 1 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ CP 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R199 MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 16A(티씨) 10V 199m옴 @ 9.9A, 10V 660μA에서 3.5V 43nC @ 10V ±20V 100V에서 1520pF - 139W(Tc)
ILD03N60 Infineon Technologies ILD03N60 0.1900
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ECAD 1024 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 라이트모스 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 기준 27W PG-TO252-3-1 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,343 400V, 0.8A, 60옴, 10V 250ns - 600V 4.5A 5.5A 2.9V @ 10V, 3A 12μJ(켜짐), 20μJ(꺼짐) 8.5nC 15ns/100ns
FP50R06W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies FP50R06W2E3B11BOMA1 62.6193
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ECAD 7960 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 EasyPIM™ 2B 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C 방역 기준기준 FP50R06 175W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 15 삼상인버터 트렌치 필드스톱 600V 65A 1.9V @ 15V, 50A 1mA 3.1nF @ 25V
BFN26E6327 Infineon Technologies BFN26E6327 1.0000
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ECAD 2428 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 360mW PG-SOT23-3-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 300V 200mA 100nA(ICBO) 500mV @ 2mA, 20mA 30 @ 30mA, 10V 70MHz
IKP15N65H5XKSA1 Infineon Technologies IKP15N65H5XKSA1 3.2700
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ECAD 3463 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 TrenchStop® 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IKP15N65 기준 105W PG-TO220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 400V, 7.5A, 39옴, 15V 48ns - 650V 30A 45A 2.1V @ 15V, 15A 120μJ(켜짐), 50μJ(꺼짐) 38nC 17ns/160ns
FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies FF300R08W2P2B11ABOMA1 89.8700
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ECAD 15 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 이지팩™ 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 FF300R08 20mW 기준 AG-EASY2B-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 15 2개의 면 - 750V 200A 1.18V @ 15V, 200A 1mA 53nF @ 50V
BFP450E6327 Infineon Technologies BFP450E6327 -
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ECAD 1849년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-82A, SOT-343 450mW PG-SOT343-4 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 1 15.5dB 5V 100mA NPN 60 @ 50mA, 4V 24GHz 1.25dB @ 1.8GHz
IPD65R1K4C6ATMA1 Infineon Technologies IPD65R1K4C6ATMA1 1.3000
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ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ C6 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD65R1 MOSFET(금속) PG-TO252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 3.2A(Tc) 10V 1.4옴 @ 1A, 10V 100μA에서 3.5V 10.5nC @ 10V ±20V 100V에서 225pF - 28W(Tc)
BFR360FH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR360FH6327XTSA1 0.5000
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ECAD 68 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 BFR360 210mW PG-TSFP-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 15.5dB 9V 35mA NPN 90 @ 15mA, 3V 14GHz 1dB @ 1.8GHz
IPA60R650CEE8210XKSA1 Infineon Technologies IPA60R650CEE8210XKSA1 -
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ECAD 8037 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) PG-TO220 풀팩 - REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 600V 9.9A(Tc) 10V 650m옴 @ 2.4A, 10V 200μA에서 3.5V 20.5nC @ 10V ±20V 100V에서 440pF - 28W(Tc)
BCR 108F E6327 Infineon Technologies BCR 108F E6327 -
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ECAD 8008 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-723 BCR 108 250mW PG-TSFP-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 70 @ 5mA, 5V 170MHz 2.2kΩ 47kΩ
IPB13N03LB G Infineon Technologies IPB13N03LBG -
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ECAD 9149 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB13N MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 30V 30A(Tc) 4.5V, 10V 12.5m옴 @ 30A, 10V 2V @ 20μA 11nC @ 5V ±20V 1355pF @ 15V - 52W(Tc)
BCR583 Infineon Technologies BCR583 0.0600
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ECAD 954 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 4,792
IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies IRFS7537TRLPBF 2.3100
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ECAD 4168 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET®, StrongIRFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS7537 MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 60V 173A (Tc) 6V, 10V 3.3m옴 @ 100A, 10V 150μA에서 3.7V 210nC @ 10V ±20V 25V에서 7020pF - 230W(Tc)
F3L75R12W1H3B11BPSA1 Infineon Technologies F3L75R12W1H3B11BPSA1 64.3800
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ECAD 24 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C 방역 기준기준 F3L75R12 275W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 24 헬기 - 1200V 45A 1.7V @ 15V, 30A 1mA 25V에서 4.4nF
IRFZ34E Infineon Technologies IRFZ34E -
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ECAD 1741년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRFZ34E EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 28A(TC) 10V 42m옴 @ 17A, 10V 4V @ 250μA 30nC @ 10V ±20V 680pF @ 25V - 68W(Tc)
FZ1800R17KF4NOSA1 Infineon Technologies FZ1800R17KF4NOSA1 1.0000
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ECAD 62 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 13500W 기준 기준기준 다운로드 0000.00.0000 1 3면 트렌치 필드스톱 1200V 3560A 2.1V @ 15V, 2.4kA 5mA 아니요 25V에서 150nF
IDP30E65D2XKSA1 Infineon Technologies IDP30E65D2XKSA1 2.1100
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ECAD 433 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 IDP30E65 기준 PG-TO220-2-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 650V 2.2V @ 30A 42ns 650V에서 40μA -40°C ~ 175°C 60A -
FZ1800R17HP4B29BOSA2 Infineon Technologies FZ1800R17HP4B29BOSA2 1.0000
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ECAD 6478 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 IHM-B 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 FZ1800 11500W 기준 AG-IHMB190 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 스위치 트렌치 필드스톱 1700V 1800A 2.25V @ 15V, 1.8kA 5mA 아니요 25V에서 145nF
BAR6305WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAR6305WE6327HTSA1 -
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ECAD 3058 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) SC-70, SOT-323 BAR6305 PG-SOT323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 100mA 250mW 0.3pF @ 5V, 1MHz PIN - 1쌍 직후 50V 1옴 @ 10mA, 100MHz
IPP65R190C7 Infineon Technologies IPP65R190C7 1.0000
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ECAD 1826년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 650V 13A(티씨) 10V 190m옴 @ 5.7A, 10V 4V @ 290μA 23nC @ 10V ±20V 400V에서 1150pF - 72W(Tc)
DDB6U84N16RRBPSA1 Infineon Technologies DDB6U84N16RRBPSA1 110.7100
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ECAD 15 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 방역 기준기준 DDB6U8 350W 기준 AG-ECONO2A 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 15 헬기 - 1200V 50A 3.2V @ 20V, 50A 1mA 아니요 3.3nF @ 25V
SIDC78D170HX1SA1 Infineon Technologies SIDC78D170HX1SA1 -
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ECAD 6083 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 분수 SIDC78D 기준 호일에 최고질 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1700V 1.8V @ 150A 1700V에서 27μA -55°C ~ 150°C 150A -
PTFA212401E V4 Infineon Technologies PTFA212401E V4 -
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ECAD 7757 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 H-36260-2 PTFA212401 2.14GHz LDMOS H-36260-2 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 35 10μA 1.6A 50W 15.8dB - 30V
IPD60R380E6ATMA2 Infineon Technologies IPD60R380E6ATMA2 -
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ECAD 8322 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ E6 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET(금속) PG-TO252-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 600V 10.6A(Tc) 10V 380m옴 @ 3.8A, 10V 3.5V @ 300μA 32nC @ 10V ±20V 100V에서 700pF - 83W(Tc)
IPN70R1K5CE Infineon Technologies IPN70R1K5CE 1.0000
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ECAD 4905 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-3 MOSFET(금속) PG-SOT223 다운로드 0000.00.0000 1 N채널 700V 5.4A(Tc) 10V 1.5옴 @ 1A, 10V 100μA에서 3.5V 10.5nC @ 10V ±20V 100V에서 225pF - 5W(Tc)
IPS031N03LGAKMA1 Infineon Technologies IPS031N03LGAKMA1 -
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ECAD 2481 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™ 3 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak MOSFET(금속) PG-TO251-3-11 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 30V 90A(Tc) 4.5V, 10V 3.1m옴 @ 30A, 10V 2.2V @ 250μA 51nC @ 10V ±20V 15V에서 5300pF - 94W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고