| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 최대 | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 저항 @ If, F | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPAW60R600P7SXKSA1 | 1.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ P7 | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPAW60 | MOSFET(금속) | PG-TO220-FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 45 | N채널 | 600V | 6A(TC) | 10V | 600m옴 @ 1.7A, 10V | 4V @ 80μA | 9nC @ 10V | ±20V | 400V에서 363pF | - | 21W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS70R950CEAKMA1 | - | ![]() | 3021 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | IPS70R950 | MOSFET(금속) | PG-TO251-3-11 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 700V | 7.4A(Tc) | 10V | 950m옴 @ 1.5A, 10V | 150μA에서 3.5V | 15.3nC @ 10V | ±20V | 100V에서 328pF | - | 68W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 | 155.5811 | ![]() | 4166 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 쟁반 | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 448-FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 | 18 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R199CPATMA1 | 4.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CP | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB60R199 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 16A(티씨) | 10V | 199m옴 @ 9.9A, 10V | 660μA에서 3.5V | 43nC @ 10V | ±20V | 100V에서 1520pF | - | 139W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ILD03N60 | 0.1900 | ![]() | 1024 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 라이트모스 | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 기준 | 27W | PG-TO252-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,343 | 400V, 0.8A, 60옴, 10V | 250ns | - | 600V | 4.5A | 5.5A | 2.9V @ 10V, 3A | 12μJ(켜짐), 20μJ(꺼짐) | 8.5nC | 15ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP50R06W2E3B11BOMA1 | 62.6193 | ![]() | 7960 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | EasyPIM™ 2B | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | FP50R06 | 175W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 삼상인버터 | 트렌치 필드스톱 | 600V | 65A | 1.9V @ 15V, 50A | 1mA | 예 | 3.1nF @ 25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFN26E6327 | 1.0000 | ![]() | 2428 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 360mW | PG-SOT23-3-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300V | 200mA | 100nA(ICBO) | 500mV @ 2mA, 20mA | 30 @ 30mA, 10V | 70MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKP15N65H5XKSA1 | 3.2700 | ![]() | 3463 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | TrenchStop® | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IKP15N65 | 기준 | 105W | PG-TO220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 7.5A, 39옴, 15V | 48ns | - | 650V | 30A | 45A | 2.1V @ 15V, 15A | 120μJ(켜짐), 50μJ(꺼짐) | 38nC | 17ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF300R08W2P2B11ABOMA1 | 89.8700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 이지팩™ | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | FF300R08 | 20mW | 기준 | AG-EASY2B-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 2개의 면 | - | 750V | 200A | 1.18V @ 15V, 200A | 1mA | 예 | 53nF @ 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP450E6327 | - | ![]() | 1849년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-82A, SOT-343 | 450mW | PG-SOT343-4 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 15.5dB | 5V | 100mA | NPN | 60 @ 50mA, 4V | 24GHz | 1.25dB @ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD65R1K4C6ATMA1 | 1.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ C6 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD65R1 | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 650V | 3.2A(Tc) | 10V | 1.4옴 @ 1A, 10V | 100μA에서 3.5V | 10.5nC @ 10V | ±20V | 100V에서 225pF | - | 28W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR360FH6327XTSA1 | 0.5000 | ![]() | 68 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-723 | BFR360 | 210mW | PG-TSFP-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15.5dB | 9V | 35mA | NPN | 90 @ 15mA, 3V | 14GHz | 1dB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R650CEE8210XKSA1 | - | ![]() | 8037 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | PG-TO220 풀팩 | - | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 9.9A(Tc) | 10V | 650m옴 @ 2.4A, 10V | 200μA에서 3.5V | 20.5nC @ 10V | ±20V | 100V에서 440pF | - | 28W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 108F E6327 | - | ![]() | 8008 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SOT-723 | BCR 108 | 250mW | PG-TSFP-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 70 @ 5mA, 5V | 170MHz | 2.2kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB13N03LBG | - | ![]() | 9149 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB13N | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 30V | 30A(Tc) | 4.5V, 10V | 12.5m옴 @ 30A, 10V | 2V @ 20μA | 11nC @ 5V | ±20V | 1355pF @ 15V | - | 52W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR583 | 0.0600 | ![]() | 954 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,792 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS7537TRLPBF | 2.3100 | ![]() | 4168 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET®, StrongIRFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS7537 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 60V | 173A (Tc) | 6V, 10V | 3.3m옴 @ 100A, 10V | 150μA에서 3.7V | 210nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7020pF | - | 230W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B11BPSA1 | 64.3800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | F3L75R12 | 275W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 헬기 | - | 1200V | 45A | 1.7V @ 15V, 30A | 1mA | 예 | 25V에서 4.4nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ34E | - | ![]() | 1741년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRFZ34E | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 28A(TC) | 10V | 42m옴 @ 17A, 10V | 4V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±20V | 680pF @ 25V | - | 68W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1800R17KF4NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 62 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | 13500W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 3면 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 3560A | 2.1V @ 15V, 2.4kA | 5mA | 아니요 | 25V에서 150nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDP30E65D2XKSA1 | 2.1100 | ![]() | 433 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | IDP30E65 | 기준 | PG-TO220-2-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 650V | 2.2V @ 30A | 42ns | 650V에서 40μA | -40°C ~ 175°C | 60A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1800R17HP4B29BOSA2 | 1.0000 | ![]() | 6478 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | IHM-B | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | FZ1800 | 11500W | 기준 | AG-IHMB190 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 스위치 | 트렌치 필드스톱 | 1700V | 1800A | 2.25V @ 15V, 1.8kA | 5mA | 아니요 | 25V에서 145nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAR6305WE6327HTSA1 | - | ![]() | 3058 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAR6305 | PG-SOT323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100mA | 250mW | 0.3pF @ 5V, 1MHz | PIN - 1쌍 직후 | 50V | 1옴 @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R190C7 | 1.0000 | ![]() | 1826년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 650V | 13A(티씨) | 10V | 190m옴 @ 5.7A, 10V | 4V @ 290μA | 23nC @ 10V | ±20V | 400V에서 1150pF | - | 72W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDB6U84N16RRBPSA1 | 110.7100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | DDB6U8 | 350W | 기준 | AG-ECONO2A | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 헬기 | - | 1200V | 50A | 3.2V @ 20V, 50A | 1mA | 아니요 | 3.3nF @ 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC78D170HX1SA1 | - | ![]() | 6083 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 표면 실장 | 분수 | SIDC78D | 기준 | 호일에 최고질 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1700V | 1.8V @ 150A | 1700V에서 27μA | -55°C ~ 150°C | 150A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA212401E V4 | - | ![]() | 7757 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | H-36260-2 | PTFA212401 | 2.14GHz | LDMOS | H-36260-2 | 다운로드 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 35 | 10μA | 1.6A | 50W | 15.8dB | - | 30V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R380E6ATMA2 | - | ![]() | 8322 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ E6 | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 10.6A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 3.8A, 10V | 3.5V @ 300μA | 32nC @ 10V | ±20V | 100V에서 700pF | - | 83W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPN70R1K5CE | 1.0000 | ![]() | 4905 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-3 | MOSFET(금속) | PG-SOT223 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 700V | 5.4A(Tc) | 10V | 1.5옴 @ 1A, 10V | 100μA에서 3.5V | 10.5nC @ 10V | ±20V | 100V에서 225pF | - | 5W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS031N03LGAKMA1 | - | ![]() | 2481 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 3 | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | MOSFET(금속) | PG-TO251-3-11 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 30V | 90A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.1m옴 @ 30A, 10V | 2.2V @ 250μA | 51nC @ 10V | ±20V | 15V에서 5300pF | - | 94W(Tc) |

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