| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 냄비에 | 냄비를 조건으로 | Q@VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS8405 | - | ![]() | 4002 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRFS8405 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 40V | 120A(Tc) | 10V | 2.3m옴 @ 100A, 10V | 100μA에서 3.9V | 161nC @ 10V | ±20V | 5193pF @ 25V | - | 163W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1010EZSTRLP | 1.7200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF1010 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 60V | 75A(Tc) | 10V | 8.5m옴 @ 51A, 10V | 4V @ 100μA | 86nC @ 10V | ±20V | 25V에서 2810pF | - | 140W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFI540NPBF | 1.8500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IRFI540 | MOSFET(금속) | TO-220AB 풀팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 20A(TC) | 10V | 52m옴 @ 11A, 10V | 4V @ 250μA | 94nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1400pF | - | 54W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-9150PBF | - | ![]() | 6659 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1,000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU075N03LG | - | ![]() | 2445 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | IPU075N | MOSFET(금속) | PG-TO251-3-21 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 30V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 7.5m옴 @ 30A, 10V | 2.2V @ 250μA | 18nC @ 10V | ±20V | 1900pF @ 15V | - | 47W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF2807Z | - | ![]() | 7281 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 75V | 75A(Tc) | 10V | 9.4m옴 @ 53A, 10V | 4V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±20V | 3270pF @ 25V | - | 170W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ180P03NS3GATMA1 | 0.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | BSZ180 | MOSFET(금속) | PG-TSDSON-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P채널 | 30V | 9A(Ta), 39.6A(Tc) | 6V, 10V | 18m옴 @ 20A, 10V | 48μA에서 3.1V | 30nC @ 10V | ±25V | 15V에서 2220pF | - | 2.1W(Ta), 40W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7313QTR | 2.4100 | ![]() | 9744 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | AUIRF7313 | MOSFET(금속) | 2.4W | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 6.9A | 29m옴 @ 6.9A, 10V | 3V @ 250μA | 33nC @ 10V | 25V에서 755pF | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX5216E6433HTMA1 | - | ![]() | 2006년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | BCX52 | 2W | PG-SOT89 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 60V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKWH40N65EH7XKSA1 | 6.2500 | ![]() | 240 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 활동적인 | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R380C6XKSA1 | - | ![]() | 5429 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP65R | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 650V | 10.6A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 3.2A, 10V | 3.5V @ 320μA | 39nC @ 10V | ±20V | 100V에서 710pF | - | 83W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSD840NH6327XTSA1 | 0.3700 | ![]() | 93 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD840 | MOSFET(금속) | 500mW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 880mA | 400m옴 @ 880mA, 2.5V | 750mV @ 1.6μA | 0.26nC @ 2.5V | 78pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BBY 57-02W E6127 | - | ![]() | 8923 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 표면 실장 | SC-80 | 비비 57 | SCD-80 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 5.5pF @ 4V, 1MHz | 하나의 | 10V | 4.5 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFR024N | - | ![]() | 3717 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | AUIRFR024 | MOSFET(금속) | TO-252AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 55V | 17A(TC) | 10V | 75m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±20V | 370pF @ 25V | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N03S4L03 | 1.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 295 | N채널 | 30V | 80A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.7m옴 @ 80A, 10V | 2.2V에서 45μA | 75nC @ 10V | ±16V | 5100pF @ 25V | - | 94W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB212507SHV1R250XTMA1 | - | ![]() | 9114 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | PTFB212507 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001015178 | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB200N25N3GATMA1 | 2000년 8월 | ![]() | 3565 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB200 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 250V | 64A(티씨) | 10V | 20m옴 @ 64A, 10V | 4V @ 270μA | 86nC @ 10V | ±20V | 100V에서 7100pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3715ZCSTRLP | - | ![]() | 6283 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 20V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 11m옴 @ 15A, 10V | 2.55V @ 250μA | 11nC @ 4.5V | ±20V | 870pF @ 10V | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CWM60FN | 1.0000 | ![]() | 8163 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-05 B5003 | - | ![]() | 8446 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 똥 64 | 쇼트키 | PG-SOT23 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍씩 시작됩니다 | 40V | 120mA | 750mV @ 100mA | 5ns | 30V에서 2μA | 150°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7425TRPBF | 1.6800 | ![]() | 6274 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | IRF7425 | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | P채널 | 20V | 15A(타) | 2.5V, 4.5V | 8.2m옴 @ 15A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 130nC @ 4.5V | ±12V | 7980pF @ 15V | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-25B5003 | 0.0200 | ![]() | 147 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330mW | PG-SOT23-3-11 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IFS100B12N3E4PB11BPSA1 | 258.4200 | ![]() | 9917 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | MIPAQ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | IFS100 | 515W | 기준 | 기준기준 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | 다리를 풀다 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 150A | 2.1V @ 15V, 100A | 1mA | 예 | 25V에서 6.2nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 62-0136PBF | - | ![]() | 5369 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C(타) | 표면 실장 | - | MOSFET(금속) | - | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001562150 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N채널 | 30V | 19A(타) | 10V | 4.5m옴 @ 19A, 10V | 2.25V @ 250μA | 44nC @ 4.5V | ±20V | 3710pF @ 15V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3114ZPBF | - | ![]() | 8968 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001568538 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 42A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.9m옴 @ 42A, 10V | 100μA에서 2.5V | 56nC @ 4.5V | ±16V | 3810pF @ 25V | - | 140W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F417MR12W1M1HPB76BPSA1 | 152.9700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | F417MR12 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16 | 0.0400 | ![]() | 550 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 85V | 1.25V @ 150mA | 6ns | 75V에서 1μA | -55°C ~ 150°C | 200mA | 2pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF540NPBF | 1.4900 | ![]() | 151 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRF540 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 33A(티씨) | 10V | 44m옴 @ 16A, 10V | 4V @ 250μA | 71nC @ 10V | ±20V | 1960pF @ 25V | - | 130W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R380E6 | - | ![]() | 3455 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 650V | 10.6A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 3.2A, 10V | 3.5V @ 320μA | 39nC @ 10V | ±20V | 100V에서 710pF | - | 83W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMZA120R014M1HXKSA1 | 52.5600 | ![]() | 193 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-4 | SiCFET(탄화규소) | PG-TO247-4-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 1200V | 127A(Tc) | 15V, 18V | 18.4m옴 @ 54.3A, 18V | 5.2V @ 23.4mA | 110nC @ 18V | +20V, -5V | 4580nF @ 25V | - | 455W(Tc) |

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