| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIDC08D120F6X1SA3 | - | ![]() | 7249 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 표면 실장 | 분수 | SIDC08 | 기준 | 호일에 최고질 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1200V | 2.1V @ 7A | 1200V에서 27μA | -55°C ~ 150°C | 7A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISZ0702NLSATMA1 | 1.2900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | ISZ0702N | MOSFET(금속) | PG-TSDSON-8-25 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 17A(타), 86A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.5m옴 @ 20A, 10V | 2.3V @ 26μA | 39nC @ 10V | ±20V | 30V에서 2500pF | - | 2.5W(Ta), 65W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDW20G65C5FKSA1 | - | ![]() | 3675 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™+ | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 스루홀 | TO-247-3 | IDW20G65 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | PG-TO247-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 650V | 1.7V @ 20A | 0ns | 650V에서 700μA | -55°C ~ 175°C | 20A | 590pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA180701FV4R250XTMA1 | - | ![]() | 6580 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | 2-플랫팩, 핀 결과, 일치형 | PTFA180701 | 1.84GHz | LDMOS | H-37265-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 10μA | 550mA | 60W | 16.5dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFHM8337TRPBF | - | ![]() | 5125 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(3.3x3.3), 전원33 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 30V | 12A(타) | 4.5V, 10V | 12.4m옴 @ 12A, 10V | 2.35V @ 25μA | 8.1nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 755pF | - | 2.8W(Ta), 25W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CWH6778 | 0.0400 | ![]() | 93 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 250mW | PG-SOT323-3-1 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,378 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDP09E120XKSA1 | 0.7700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | 기준 | PG-TO220-2-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1200V | 2.15V @ 9A | 140ns | 1200V에서 100μA | -55°C ~ 150°C | 23A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB08P06P | - | ![]() | 4945 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB08P | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 60V | 8.8A(타) | 10V | 300m옴 @ 6.2A, 10V | 4V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±20V | 25V에서 420pF | - | 42W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R045C7XKSA1 | 14.6900 | ![]() | 6498 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ C7 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP65R045 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 46A(Tc) | 10V | 45m옴 @ 24.9A, 10V | 4V @ 1.25mA | 93nC @ 10V | ±20V | 4340pF @ 400V | - | 227W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPQC65R125CFD7AXTMA1 | 2.5642 | ![]() | 6257 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 22-PowerBSOP 모듈 | MOSFET(금속) | PG-HDSOP-22-1 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 750 | N채널 | 650V | 24A(TC) | 10V | 125m옴 @ 7.8A, 10V | 390μA에서 4.5V | 32nC @ 10V | ±20V | 400V에서 1566pF | - | 160W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB034N06N3GATMA1 | - | ![]() | 9266 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭) | IPB034N | MOSFET(금속) | PG-TO263-7 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 60V | 100A(Tc) | 10V | 3.4m옴 @ 100A, 10V | 4V @ 93μA | 130nC @ 10V | ±20V | 30V에서 11000pF | - | 167W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1500R12IE5PBPSA1 | 1.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | PrimePACK™3+ B | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 175°C | 방역 | 기준기준 | FF1500R | 20mW | 기준 | AG-프라임3+-5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | 다리 다리 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 1500A | 2.15V @ 15V, 1.5kA | 5mA | 예 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUC120N06S5L022ATMA1 | 0.7046 | ![]() | 8249 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™-5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8-34 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 170A(티제이) | 4.5V, 10V | 2.2m옴 @ 60A, 10V | 2.2V @ 65μA | 77nC @ 10V | ±20V | 30V에서 5651pF | - | 136W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLB4132PBF | 1.0200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRLB4132 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001558130 | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N채널 | 30V | 78A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.5m옴 @ 40A, 10V | 100μA에서 2.35V | 54nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 5110pF | - | 140W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6795MTR1PBF | - | ![]() | 4682 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 MX | MOSFET(금속) | DIRECTFET™ MX | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 25V | 32A(Ta), 160A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.8m옴 @ 32A, 10V | 100μA에서 2.35V | 53nC @ 4.5V | ±20V | 4280pF @ 13V | - | 2.8W(Ta), 75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD78CN10NG | - | ![]() | 9851 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 2 | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | PG-TO252-3-313 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 100V | 13A(티씨) | 10V | 78m옴 @ 13A, 10V | 4V @ 12μA | 11nC @ 10V | ±20V | 50V에서 716pF | - | 31W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO300N03S | - | ![]() | 7984 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | PG-DSO-8 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 5.7A(타) | 4.5V, 10V | 30m옴 @ 7.2A, 10V | 2V @ 8μA | 4.6nC @ 5V | ±20V | 15V에서 600pF | - | 1.56W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB036N12N3GATMA1 | 6.4000 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭) | IPB036 | MOSFET(금속) | PG-TO263-7 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 120V | 180A(Tc) | 10V | 3.6m옴 @ 100A, 10V | 4V @ 270μA | 211nC @ 10V | ±20V | 60V에서 13800pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPW11N60CFD | 1.8900 | ![]() | 391 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | PG-TO247-3-21 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 11A(티씨) | 10V | 440m옴 @ 7A, 10V | 5V @ 500μA | 64nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1200pF | - | 125W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSD816SNH6327XTSA1 | - | ![]() | 7256 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET(금속) | PG-SOT363-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 1.4A(타) | 1.8V, 2.5V | 160m옴 @ 1.4A, 2.5V | 3.7μA에서 950mV | 0.6nC @ 2.5V | ±8V | 10V에서 180pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC09D60F6X1SA5 | - | ![]() | 1738년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 분수 | SIDC09D60 | 기준 | 분수 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 600V | 1.6V @ 30A | 600V에서 27μA | -40°C ~ 175°C | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW90R120C3XKSA1 | 17.0000 | ![]() | 7385 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IPW90R120 | MOSFET(금속) | PG-TO247-3-21 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 900V | 36A(티씨) | 10V | 120m옴 @ 26A, 10V | 3.5V @ 2.9mA | 270nC @ 10V | ±20V | 6800pF @ 100V | - | 417W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS7004E6327 | 0.0800 | ![]() | 8739 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS7004 | 쇼트키 | PG-SOT23 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍 직렬 연결 | 70V | 70mA(DC) | 1V @ 15mA | 100ps | 50V에서 100nA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N04S2-H4ATMA2 | - | ![]() | 4726 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 40V | 80A(Tc) | 10V | 3.7m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 250μA | 148nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4400pF | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3911TRLPBF | - | ![]() | 3802 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 14A(TC) | 10V | 115m옴 @ 8.4A, 10V | 4V @ 250μA | 32nC @ 10V | ±20V | 25V에서 740pF | - | 56W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI22N03S4L15AKSA1 | - | ![]() | 5380 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IPI22N | MOSFET(금속) | PG-TO262-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 30V | 22A(TC) | 4.5V, 10V | 14.9m옴 @ 22A, 10V | 2.2V @ 10μA | 14nC @ 10V | ±16V | 980pF @ 25V | - | 31W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR158 | - | ![]() | 2078 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BCR15 | 250mW | PG-SOT323-3-1 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 70 @ 5mA, 5V | 200MHz | 2.2kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIHD15N60RFATMA1 | - | ![]() | 3667 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | AIHD15 | 기준 | 240W | PG-TO252-3-313 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 15A, 15옴, 15V | 트렌치 필드스톱 | 600V | 30A | 45A | 2.5V @ 15V, 15A | 270μJ(켜짐), 250μJ(꺼짐) | 90nC | 13ns/160ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDL10G65C5XUMA2 | 5.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™+ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | 4-PowerTSFN | IDL10G65 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | PG-VSON-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 650V | 1.7V @ 10A | 0ns | 650V에서 180μA | -55°C ~ 150°C | 10A | 300pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB65R110CFD7ATMA1 | 6.0500 | ![]() | 5667 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CFD7 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB65R | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 650V | 22A(TC) | 10V | 110m옴 @ 9.7A, 10V | 4.5V @ 480μA | 41nC @ 10V | ±20V | 400V에서 1942pF | - | 114W(Tc) |

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