SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IRF40H233ATMA1 Infineon Technologies IRF40H233ATMA1 -
RFQ
ECAD 2455 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRF40 MOSFET (금속 (() 3.8W (TA), 50W (TC) PG-TDSON-8-4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 40V 65A (TC) 6.2MOHM @ 35A, 10V 3.9V @ 50µA 57NC @ 10V 2200pf @ 20V -
IAUC120N04S6L012ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N04S6L012ATMA1 1.7800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IAUC120 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.21MOHM @ 60A, 10V 2V @ 60µA 80 nc @ 10 v ± 16V 4832 pf @ 25 v - 115W (TC)
IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKD06N60RC2ATMA1 1.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD06N60 기준 51.7 w PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 6A, 49ohm, 15V 98 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 11.7 a 18 a 2.3V @ 15V, 6A 170µJ (on), 80µJ (OFF) 31 NC 6ns/129ns
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKD15N60RC2ATMA1 1.6200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD15N60 기준 115.4 w PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 15a, 49ohm, 15V 129 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 28 a 45 a 2.3V @ 15V, 15a 570µJ (on), 350µJ (OFF) 72 NC 18ns/374ns
IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon Technologies IAUS260N10S5N019TATMA1 7.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 16-Powersop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-16-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 100 v 260A (TJ) 6V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 210µA 166 NC @ 10 v ± 20V 11830 pf @ 50 v - 300W (TC)
IAUS300N08S5N014TATMA1 Infineon Technologies IAUS300N08S5N014TATMA1 7.6200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 16-Powersop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-16-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 80 v 300A (TJ) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 230µA 187 NC @ 10 v ± 20V 13178 pf @ 40 v - 300W (TC)
BSM300GA120DN2S2HDLA1 Infineon Technologies BSM300GA120DN2S2HDLA1 -
RFQ
ECAD 1190 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 BSM300 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10
FB20R06W1E3B11BPSA1 Infineon Technologies FB20R06W1E3B11BPSA1 41.1200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 94 w 기준 Ag-Easy1b - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 600 v 29 a 2V @ 15V, 20A 1 MA 1.1 NF @ 25 v
IPB65R041CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R041CFD7ATMA1 12.0400
RFQ
ECAD 3459 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 50A (TC) 10V 41mohm @ 24.8a, 10V 4.5V @ 1.24ma 102 NC @ 10 v ± 20V 4975 pf @ 400 v - 227W (TC)
IPB65R090CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R090CFD7ATMA1 6.3700
RFQ
ECAD 9200 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 25A (TC) 10V 90mohm @ 12.5a, 10V 4.5V @ 630µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2513 pf @ 400 v - 127W (TC)
BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC004NE2LS5ATMA1 2.6400
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 40A (TA), 479A (TC) 4.5V, 10V 0.45mohm @ 30a, 10V 2V @ 10MA 238 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 12.5 v - 2.5W (TA), 188W (TC)
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 132.7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 Ag-Easy1b-1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 24 1.85 V @ 60 a 174 µa @ 1200 v 60 a 단일 단일 1.2kV
F411MR12W2M1B76BOMA1 Infineon Technologies F411MR12W2M1B76BOMA1 -
RFQ
ECAD 1921 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ Coolsic ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 f411mr 실리콘 실리콘 (sic) - Ag-Easy1b-2 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 4 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 100A (TJ) 11.3MOHM @ 100A, 15V 5.55V @ 40MA 248NC @ 15V 7360pf @ 800V -
IKW50N120CS7XKSA1 Infineon Technologies IKW50N120CS7XKSA1 11.4200
RFQ
ECAD 890 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW50N 기준 428 w PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 50A, 2.3OHM, 15V 165 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 82 a 150 a 2V @ 15V, 50A 2.8mj (on), 2.2mj (OFF) 290 NC 29ns/170ns
ISC0806NLSATMA1 Infineon Technologies ISC0806NLSATMA1 2.6500
RFQ
ECAD 1943 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC0806N MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 16A (TA), 97A (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 50a, 10V 2.3V @ 61µA 49 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 96W (TC)
FP35R12N2T7B11BPSA1 Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA1 93.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP35R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 35 a 1.6V @ 15V, 35A 7 µA 6.62 NF @ 25 v
FP75R12N2T7BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N2T7BPSA1 135.9400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP75R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 1.55V @ 15V, 75A 14 µA 15.1 NF @ 25 v
PX8847HDNG008XTMA1 Infineon Technologies PX8847HDNG008XTMA1 -
RFQ
ECAD 5006 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 PX8847HD - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1
PX8244HDMG008XTMA1 Infineon Technologies PX8244HDMG008XTMA1 -
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 PX8244HD 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1
AUXTMGPS4070D2 Infineon Technologies auxtmgps4070d2 -
RFQ
ECAD 4965 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - autxmgps - - 영향을받지 영향을받지 448-auxtmgps4070d2 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - -
FF600R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME7B11BPSA1 -
RFQ
ECAD 8241 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 20 MW 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 1.75V @ 15V, 600A 35 µA 92 NF @ 25 v
IPW65R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R018CFD7XKSA1 24.9500
RFQ
ECAD 9651 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 106A (TC) 10V 18mohm @ 58.2a, 10V 4.5V @ 2.91ma 234 NC @ 10 v ± 20V 11659 pf @ 400 v - 446W (TC)
IPI032N06N3GE8214AKSA1 Infineon Technologies IPI032N06N3GE8214AKSA1 -
RFQ
ECAD 6516 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI032N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 118µA 165 NC @ 10 v ± 20V 13000 pf @ 30 v - 188W (TC)
IGC08T65U12QX7SA1 Infineon Technologies IGC08T65U12QX7SA1 -
RFQ
ECAD 9953 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 쓸모없는 - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 45
BAT1704E6583HTSA1 Infineon Technologies BAT1704E6583HTSA1 0.0600
RFQ
ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BAT1704E6583HTSA1-448 1
IPS70R2K0CEE8211AKMA1 Infineon Technologies IPS70R2K0CEE8211AKMA1 0.2300
RFQ
ECAD 40 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-IPS70R2K0CEE8211AKMA1-448 1
IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies ikfw50n65dh5xksa1 -
RFQ
ECAD 2623 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-IKFW50N65DH5XKSA1-448 1
IPD11DP10NMATMA1 Infineon Technologies ipd11dp10nmatma1 1.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD11D MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 3.4A (TA), 22A (TC) 10V 111mohm @ 18a, 10V 4V @ 1.7ma 74 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 50 v - 3W (TA), 125W (TC)
IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies IST011N06NM5AUMA1 6.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IST011N MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 38A (TA), 399A (TC) 6V, 10V 1.1MOHM @ 100A, 10V 3.3V @ 148µA 154 NC @ 10 v ± 20V 8100 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 313W (TC)
ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC027N10NM6ATMA1 4.0800
RFQ
ECAD 6757 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC027N MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-ISC027N10NM6ATMA1CT 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 23A (TA), 192a (TC) 8V, 10V 2.7mohm @ 50a, 10V 3.3V @ 116µA 72.5 nc @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 50 v - 3W (TA), 217W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고