SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재 - 최대 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
FZ1200R45HL3BPSA1 Infineon Technologies FZ1200R45HL3BPSA1 2.0000
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ECAD 1 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 IHM-B 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C 방역 기준기준 FZ1200 15000W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 스위치 트렌치 필드스톱 4500V 1200A 2.8V @ 15V, 1200A 5mA 아니요 280nF @ 25V
IPF04N03LA Infineon Technologies IPF04N03LA -
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ECAD 9074 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPF04N MOSFET(금속) PG-TO252-3-23 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 50A(Tc) 4.5V, 10V 3.8m옴 @ 50A, 10V 2V @ 30μA 41nC @ 5V ±20V 5199pF @ 15V - 115W(Tc)
IRLR2705TRRPBF Infineon Technologies IRLR2705TRRPBF -
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ECAD 6224 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001558392 EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 55V 28A(TC) 4V, 10V 40m옴 @ 17A, 10V 2V @ 250μA 25nC @ 5V ±16V 25V에서 880pF - 68W(Tc)
IPC30S2SN08NX2MA1 Infineon Technologies IPC30S2SN08NX2MA1 2013년 3월
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ECAD 3812 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 IPC30S2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3,000
SPB04N60C3 Infineon Technologies SPB04N60C3 -
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ECAD 2049 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 4.5A(Tc) 10V 950m옴 @ 2.8A, 10V 200μA에서 3.9V 25nC @ 10V ±20V 490pF @ 25V - 50W(Tc)
IRF7338PBF Infineon Technologies IRF7338PBF -
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ECAD 1289 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) IRF733 MOSFET(금속) 2W 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 95 N 및 P 채널 12V 6.3A, 3A 34m옴 @ 6A, 4.5V 250μA에서 1.5V 8.6nC @ 4.5V 640pF @ 9V 게임 레벨 레벨
IPI80N04S4-03 Infineon Technologies IPI80N04S4-03 1.0700
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ECAD 350 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) PG-TO262-3-1 다운로드 EAR99 8542.39.0001 350 N채널 40V 80A(Tc) 10V 3.7m옴 @ 80A, 10V 4V @ 53μA 66nC @ 10V ±20V 5260pF @ 25V - 94W(Tc)
IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies IAUA200N04S5N010AUMA1 2.9800
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ECAD 3 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™-5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 5-PowerSFN IAUA200 MOSFET(금속) PG-HSOF-5-1 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 200A(Tc) 7V, 10V 1m옴 @ 100A, 10V 100μA에서 3.4V 132nC @ 10V ±20V 25V에서 7650pF - 167W(Tc)
SMBTA14E6327XT Infineon Technologies SMBTA14E6327XT 0.1000
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ECAD 30 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330mW PG-SOT23 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,112 30V 300mA 100nA(ICBO) NPN-달링턴 1.5V @ 100μA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 125MHz
BSC023N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies BSC023N08NS5SCATMA1 4.1600
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ECAD 3 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™ 5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN BSC023 MOSFET(금속) PG-WSON-8-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 80V 202A(TC) 6V, 10V 2.3m옴 @ 50A, 10V 115μA에서 3.8V 98nC @ 10V ±20V 40V에서 6800pF - 188W(Tc)
IPP65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies IPP65R110CFDXKSA2 6.8400
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ECAD 7298 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ CFD2 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP65R110 MOSFET(금속) PG-TO220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 650V 31.2A(Tc) 10V 110m옴 @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118nC @ 10V ±20V 100V에서 3240pF - 277.8W(Tc)
FF600R12ME7B11BPSA2 Infineon Technologies FF600R12ME7B11BPSA2 337.7200
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ECAD 6522 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 EconoDUAL™ 3 쟁반 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 방역 기준기준 FF600R12 20mW 기준 AG-경제 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 2개의 면 트렌치 필드스톱 1200V 600A 1.75V @ 15V, 600A 35μA 25V에서 92nF
IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon Technologies IAUZ20N08S5L300ATMA1 1.1300
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ECAD 7150 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™-5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN IAUZ20 MOSFET(금속) PG-TSDSON-8-32 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 80V 20A(TC) 4.5V, 10V 30m옴 @ 10A, 10V 2V @ 8μA 10.5nC @ 10V ±20V 40V에서 599pF - 30W(Tc)
IPC302N15N3X7SA1 Infineon Technologies IPC302N15N3X7SA1 -
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ECAD 7183 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™ 3 대부분 활동적인 - 표면 실장 분수 IPC302 MOSFET(금속) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001155560 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V - 10V 100m옴 @ 2A, 10V 4V @ 270μA - - -
IRFR1018EPBF Infineon Technologies IRFR1018EPBF -
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ECAD 9968 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 60V 56A(티씨) 10V 8.4m옴 @ 47A, 10V 4V @ 100μA 69nC @ 10V ±20V 50V에서 2290pF - 110W(Tc)
DF80R12W2H3B11BOMA1 Infineon Technologies DF80R12W2H3B11BOMA1 34.9000
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ECAD 285 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 190W 기준 - 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 더블버스트 헬기 - 1200V 50A 1.7V @ 15V, 20A 1mA 2.35nF @ 25V
SPP15N65C3HKSA1 Infineon Technologies SPP15N65C3HKSA1 -
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ECAD 2067 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 SPP15N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 650V 15A(Tc) 10V 280m옴 @ 9.4A, 10V 675μA에서 3.9V 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1600pF - 156W(Tc)
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N06S5L050ATMA1 1.2600
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ECAD 3 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™-5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) PG-TSDSON-8-33 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 90A(티제이) 4.5V, 10V 5m옴 @ 20A, 10V 2.2V @ 29μA 36.7nC @ 10V ±16V 30V에서 2500pF - 71W(Tc)
BAS28E6327 Infineon Technologies BAS28E6327 1.0000
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ECAD 7034 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-253-4, TO-253AA 바스28 기준 PG-SOT-143-3D 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2개의 면 80V 200mA(DC) 1.25V @ 150mA 4ns 75V에서 100nA 150°C(최대)
IPU04N03LA Infineon Technologies IPU04N03LA -
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ECAD 8225 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IPU04N MOSFET(금속) P-TO251-3-1 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000014621 EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 25V 50A(Tc) 4.5V, 10V 4m옴 @ 50A, 10V 2V @ 80μA 41nC @ 5V ±20V 5199pF @ 15V - 115W(Tc)
ND171N12KHPSA1 Infineon Technologies ND171N12KHPSA1 -
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ECAD 5166 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 방역 기준기준 ND171N12 기준 BG-PB34-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 8 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1200V 1200V에서 20mA -40°C ~ 135°C 171A -
BAT 63-02V E6327 Infineon Technologies 63-02V E6327 -
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ECAD 5923 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) SC-79, SOD-523 BAT63 PG-SC79-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 100mA 100mW 0.85pF @ 0.2V, 1MHz 쇼트키 - Single 3V -
FZ3600R12HP4HOSA2 Infineon Technologies FZ3600R12HP4HOSA2 1.0000
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ECAD 1 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 IHM-B 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C 방역 기준기준 FZ3600 19000W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 스위치 도랑 1200V 4930A 2.05V @ 15V, 3600A 5mA 아니요 25V에서 225nF
IRF3711SPBF Infineon Technologies IRF3711SPBF -
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ECAD 8155 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 20V 110A(TC) 4.5V, 10V 6m옴 @ 15A, 10V 3V @ 250μA 44nC @ 4.5V ±20V 2980pF @ 10V - 3.1W(Ta), 120W(Tc)
IQE018N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies IQE018N06NM6SCATMA1 1992년 1월
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ECAD 5918 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-IQE018N06NM6SCATMA1TR 6,000
IQE004NE1LM7SCATMA1 Infineon Technologies IQE004NE1LM7SCATMA1 1.1739
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ECAD 1174 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 6,000
IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies IKD15N60RATMA1 1.9600
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ECAD 30 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 트렌치스톱™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IKD15N60 기준 250W PG-TO252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 400V, 15A, 15옴, 15V 트렌치 필드스톱 600V 30A 45A 2.1V @ 15V, 15A 370μJ(켜짐), 530μJ(꺼짐) 90nC 16ns/183ns
IRF6708S2TRPBF Infineon Technologies IRF6708S2TRPBF -
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ECAD 6254 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 S1 MOSFET(금속) DirectFET™ 아이소메트릭 S1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,800 N채널 30V 13A(티씨) 4.5V, 10V 8.9m옴 @ 13A, 10V 2.35V @ 25μA 10nC @ 4.5V ±20V 1010pF @ 15V - 2.5W(Ta), 20W(Tc)
SPB04N50C3ATMA1 Infineon Technologies SPB04N50C3ATMA1 -
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ECAD 1979년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SPB04N MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 560V 4.5A(Tc) 10V 950m옴 @ 2.8A, 10V 200μA에서 3.9V 22nC @ 10V ±20V 470pF @ 25V - 50W(Tc)
FS15R06XE3BOMA1 Infineon Technologies FS15R06XE3BOMA1 -
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ECAD 4487 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 FS15R06 71.5W 기준 기준기준 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 20 풀 패드 인버터 - 600V 22A 2V @ 15V, 15A 1mA 25V에서 830pF
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고