| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 테스트 조건 | 전력 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD78CN10NG | - | ![]() | 9851 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 2 | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | PG-TO252-3-313 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 100V | 13A(티씨) | 10V | 78m옴 @ 13A, 10V | 4V @ 12μA | 11nC @ 10V | ±20V | 50V에서 716pF | - | 31W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPW11N60CFD | 1.8900 | ![]() | 391 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | PG-TO247-3-21 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 11A(티씨) | 10V | 440m옴 @ 7A, 10V | 5V @ 500μA | 64nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1200pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB036N12N3GATMA1 | 6.4000 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭) | IPB036 | MOSFET(금속) | PG-TO263-7 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 120V | 180A(Tc) | 10V | 3.6m옴 @ 100A, 10V | 4V @ 270μA | 211nC @ 10V | ±20V | 60V에서 13800pF | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSD816SNH6327XTSA1 | - | ![]() | 7256 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET(금속) | PG-SOT363-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 1.4A(타) | 1.8V, 2.5V | 160m옴 @ 1.4A, 2.5V | 3.7μA에서 950mV | 0.6nC @ 2.5V | ±8V | 10V에서 180pF | - | 500mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8910TRPBFXTMA1 | 0.3899 | ![]() | 3784 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | MOSFET(금속) | 2W(타) | PG-DSO-8-902 | - | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 N채널 | 20V | 10A(타) | 13.4m옴 @ 10A, 10V | 2.55V @ 250μA | 11nC @ 4.5V | 960pF @ 10V | 기준 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISZ0702NLSATMA1 | 1.2900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | ISZ0702N | MOSFET(금속) | PG-TSDSON-8-25 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 17A(타), 86A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.5m옴 @ 20A, 10V | 2.3V @ 26μA | 39nC @ 10V | ±20V | 30V에서 2500pF | - | 2.5W(Ta), 65W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB08P06P | - | ![]() | 4945 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB08P | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 60V | 8.8A(타) | 10V | 300m옴 @ 6.2A, 10V | 4V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±20V | 25V에서 420pF | - | 42W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDW20G65C5FKSA1 | - | ![]() | 3675 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™+ | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 스루홀 | TO-247-3 | IDW20G65 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | PG-TO247-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 650V | 1.7V @ 20A | 0ns | 650V에서 700μA | -55°C ~ 175°C | 20A | 590pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS3307ZTRRPBF | 2.9100 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS3307 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 75V | 120A(Tc) | 10V | 5.8m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 150μA | 110nC @ 10V | ±20V | 50V에서 4750pF | - | 230W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUZ30AH | 1.0000 | ![]() | 7250 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 200V | 21A(TC) | 130m옴 @ 13.5A, 10V | 4V @ 1mA | ±20V | 1900pF @ 25V | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF650R17IE4PBOSA1 | 654.5700 | ![]() | 7059 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | PrimePACK™2 | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | FF650R17 | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | 2개의 면 | 트렌치 필드스톱 | 1700V | 650A | 2.45V @ 15V, 650A | 5mA | 예 | 25V에서 54nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC072N08NS5ATMA1 | 1.8300 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | BSC072 | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8-7 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 80V | 74A (Tc) | 6V, 10V | 7.2m옴 @ 37A, 10V | 3.8V @ 36μA | 29nC @ 10V | ±20V | 40V에서 2100pF | - | 2.5W(Ta), 69W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF2903ZSTRLP | - | ![]() | 8961 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 10V | 2.4m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 150μA | 240nC @ 10V | ±20V | 6320pF @ 25V | - | 290W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4PSC71UDPBF | - | ![]() | 2444 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-274AA | 기준 | 350W | SUPER-247™(TO-274AA) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V, 60A, 5옴, 15V | 82ns | - | 600V | 85A | 200A | 2V @ 15V, 60A | 3.26mJ(켜짐), 2.27mJ(꺼짐) | 340nC | 90ns/245ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM150GB170DN2HOSA1 | - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | BSM150 | 1250W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 다리 다리 | - | 1700V | 220A | 3.9V @ 15V, 150A | 1.5mA | 아니요 | 20nF @ 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFR2307Z | - | ![]() | 2322 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001522814 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 75V | 42A(Tc) | 10V | 16m옴 @ 32A, 10V | 4V @ 100μA | 75nC @ 10V | ±20V | 2190pF @ 25V | - | 110W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTVA101K02EVV1XWSA1 | - | ![]() | 8837 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 50V | 방역 | H-36275-4 | 1.03GHz ~ 1.09GHz | LDMOS | H-36275-4 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001033548 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 2개 | - | 950W | 17.5dB | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R520C6BTMA1 | - | ![]() | 5233 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ C6 | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 600V | 8.1A(티씨) | 10V | 520m옴 @ 2.8A, 10V | 230μA에서 3.5V | 23.4nC @ 10V | ±20V | 100V에서 512pF | - | 66W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB04N60C3ATMA1 | - | ![]() | 4783 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB04N | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 650V | 4.5A(Tc) | 10V | 950m옴 @ 2.8A, 10V | 200μA에서 3.9V | 25nC @ 10V | ±20V | 490pF @ 25V | - | 50W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC0901NSATMA1 | 1.3100 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | BSC0901 | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 28A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.9m옴 @ 30A, 10V | 2.2V @ 250μA | 44nC @ 10V | ±20V | 2800pF @ 15V | - | 2.5W(Ta), 69W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IM393M6E3XKLA1 | - | ![]() | 5624 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CIPOS™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 35-PowerDIP 모듈(0.866", 22.00mm), 30 리드 | IGBT | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 15 | 3상 인버터 | 10A | 600V | 2000Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS169H6327XTSA1 | 0.4700 | ![]() | 98 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS169 | MOSFET(금속) | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 170mA(타) | 0V, 10V | 6옴 @ 170mA, 10V | 1.8V에서 50μA | 2.8nC @ 7V | ±20V | 25V에서 68pF | 고갈 모드 | 360mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS5620TRLPBF | - | ![]() | 3026 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 200V | 24A(TC) | 10V | 77.5m옴 @ 15A, 10V | 100μA에서 5V | 38nC @ 10V | ±20V | 50V에서 1710pF | - | 144W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDH16G65C5XKSA1 | - | ![]() | 8089 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™+ | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 스루홀 | TO-220-2 | IDH16 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | PG-TO220-2-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 650V | 1.7V @ 16A | 0ns | 650V에서 550μA | -55°C ~ 175°C | 16A | 470pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB90R340C3ATMA1 | - | ![]() | 3542 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB90R | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 900V | 15A(Tc) | 10V | 340m옴 @ 9.2A, 10V | 3.5V @ 1mA | 94nC @ 10V | ±20V | 100V에서 2400pF | - | 208W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC60R041C6UNSAWNX6SA1 | - | ![]() | 3057 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | IPC60R | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000910380 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM35GB120DN2HOSA1 | - | ![]() | 8314 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | BSM35GB120 | 280W | 기준 | 기준기준 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 다리 다리 | - | 1200V | 50A | 3.2V @ 15V, 35A | 1mA | 아니요 | 25V에서 2nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F4100R17N3P4B58BPSA1 | 247.2800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | EconoPACK™3 | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | F4100R | 20mW | 삼상 다리 정류기 | AG-ECONO3B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 풀 패드 인버터 | 트렌치 필드스톱 | 1700V | 100A | 2.25V @ 15V, 100A | 1mA | 예 | 25V에서 9nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF2MR12KM1호사1 | 1.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™ | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | FF2MR12 | MOSFET(금속) | - | AG-62MM | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 N 채널(하프 다리) | 1200V(1.2kV) | 500A(Tc) | 2.13m옴 @ 500A, 15V | 5.15V @ 224mA | 1340nC @ 15V | 39700pF @ 800V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF2903ZPBF | 1.6468 | ![]() | 9665 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRF2903 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 10V | 2.4m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 150μA | 240nC @ 10V | ±20V | 6320pF @ 25V | - | 290W(Tc) |

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